4H-Semi Sic

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August 22, 2024

Connessione Categoria: Sic substrato

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#sic wafer #sic substrato #substrato del carburo di silicio

Riassunto: Con un diametro di 10 mm e uno spessore di 5 mm, questo Wafer SiC è ideale per il taglio ad alta frequenza.dispositivi elettronici ad alta potenzaPersonalizzabile e resistente, perfetto per applicazioni industriali e scientifiche.

Caratteristiche del prodotto correlate:

Alta durezza, fino a 9,2 Mohs, seconda solo al diamante.
Eccellente conducibilità termica, adatto per ambienti ad alta temperatura.
Caratteristiche di banda proibita ampia per dispositivi elettronici ad alta frequenza e alta potenza.
Personalizzabile con disegni per soddisfare requisiti specifici.
Prodotto in monocristallo di SiC con struttura cristallina esagonale (4H SiC).
Basse concentrazioni di vettori e elevate proprietà isolanti per applicazioni ad alta potenza.
Adatto per MOSFET di potenza, diodi di potenza, amplificatori di potenza RF e sensori fotoelettrici.
Disponibile in qualità primaria e di qualità fittizia con specifiche precise.

FAQ:

Qual è il processo di fabbricazione delle lame da taglio 4H-Semi SiC?

La fabbricazione di lame da taglio in carburo di silicio (SiC) 4H semiconduttore isolante richiede una serie di complesse fasi di processo, tra cui la crescita del cristallo, il taglio, la rettifica e la lucidatura.
Quali sono le prospettive future di 4H-SEMI SiC?

Le prospettive future del SiC 4H-SEMI sembrano promettenti a causa delle sue proprietà uniche e della crescente domanda di materiali semiconduttori ad alte prestazioni in vari settori.
Per quali applicazioni sono adatti i wafer 4H-SEMI SiC?

i wafer SiC 4H-SEMI sono adatti a dispositivi di elettronica di potenza, RF e microonde, dispositivi optoelettronici,e applicazioni ad alta temperatura e ad alta pressione a causa della loro elevata resistenza alla tensione e della loro conduttività termica.

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