Chip SiC a carburo di silicio per elettronica avanzata

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Il substrato rettangolare del carburo di silicio (SiC) è un materiale semiconduttore a cristallo singolo progettato per soddisfare i severi requisiti della moderna elettronica di potenza, dei dispositivi optoelettronici,e applicazioni ad alta frequenzaIl SiC è riconosciuto per la sua eccellente conduttività termica, la sua ampia banda elettronica e la sua eccezionale resistenza meccanica, che lo rende ideale per l'uso in ambienti estremi.come le alte temperatureQuesto substrato SiC è comunemente utilizzato nei laboratori di ricerca e sviluppo, nello sviluppo di prototipi e nella produzione di dispositivi specializzati.

Processo di fabbricazione di chip di substrato di carburo di silicio (SiC)

La produzione di substrati di carburo di silicio (SiC) prevede tecniche avanzate di crescita dei cristalli come il trasporto fisico di vapore (PVT) o la sublimazione.

• Preparazione della materia prima:La polvere di SiC ultrapura viene collocata in un crogiolo di grafite ad alta densità per la sublimazione.

• Crescita cristallina:A temperature superiori a 2.000°C, il materiale SiC sublima e ricondensa su un cristallo di seme per formare una grande sfera di SiC a singolo cristallo.

• Taglio di lingotti:Le seghe a filo di diamante vengono utilizzate per tagliare la sfera in wafer sottili o schegge a forma rettangolare.

• Lappaggio e macinatura:La planarizzazione della superficie garantisce uno spessore uniforme e rimuove i segni di taglio.

• Polizione chimica meccanica (CMP):Il substrato viene lucidato fino a ottenere una finitura liscia come uno specchio, adatta per la deposizione di strati epitaxiali.

• Doping facoltativo:Il doping di tipo N o P è disponibile per regolare le proprietà elettriche in base alle esigenze dell'applicazione.

• Assicurazione della qualità:Test rigorosi della piattezza, della densità dei difetti e dello spessore garantiscono la conformità agli standard dei semiconduttori.

Proprietà materiali del carburo di silicio (SiC)

Il SiC è disponibile principalmente in strutture cristalline 4H-SiC e 6H-SiC, ognuna ottimizzata per applicazioni specifiche:

• 4H-SiC:Fornisce una maggiore mobilità elettronica ed è ideale per l'elettronica di potenza ad alta tensione come i MOSFET e i diodi Schottky.

• 6H-SiC:Ideale per applicazioni RF e microonde, offrendo minori perdite di potenza nelle operazioni ad alta frequenza.

I principali vantaggi dei substrati di SiC includono:

• Ampia banda:Circa 3,2 ∼ 3,3 eV, offrendo elevata tensione di rottura ed efficienza nei dispositivi di alimentazione.

• Conduttività termica:3.0 ¥4.9 W/cm·K, garantendo un'eccellente dissipazione del calore nelle applicazioni di potenza.

• Resistenza meccanica:Durezza di Mohs di ~9.2, rendendo il SiC altamente resistente all'usura.

Applicazioni di chip per substrati rettangolari a carburo di silicio (SiC)

• Potenza elettronica:Ideale per MOSFET, IGBT e diodi Schottky utilizzati nei propulsori dei veicoli elettrici, nei sistemi di accumulo di energia e nella conversione di potenza.

• Dispositivi ad alta frequenza e RF:Perfetto per sistemi radar, comunicazioni satellitari e stazioni base 5G.

• Optoelettronica:Adatto per LED UV, diodi laser e fotodettori grazie all'eccellente trasparenza UV.

• Aerospaziale e Difesa:Permette di operare in ambienti soggetti a radiazioni e ad alte temperature.

• Ricerca accademica e industriale:Eccellente per lo sviluppo di nuovi materiali, prototipi e dispositivi.

Le specifiche tecniche:

Opzioni di personalizzazione:

• Dimensioni personalizzate:Disponibile in una varietà di dimensioni e forme, compresi i formati rettangolari personalizzati.

• Profili di doping:Doping di tipo N o P disponibile per prestazioni elettriche personalizzate.

• Trattamenti superficiali:Polizione su un solo lato o su due lati, nonché strati epitaxiali personalizzati.

Imballaggio e consegna:

• Imballaggio:Soluzioni di imballaggio personalizzate per garantire una consegna sicura.

• Tempo di consegna:In genere entro 30 giorni dalla conferma dell'ordine.

FAQ Silicon Carbide (SiC) Rectangle Substrate Chips

• D1: Perché scegliere i substrati di SiC rispetto al silicio tradizionale?
  Il SiC offre prestazioni termiche superiori, una maggiore resistenza alla rottura e perdite di commutazione significativamente inferiori rispetto al silicio, il che lo rende ideale per applicazioni ad alta efficienza e alta potenza.

• D2: Questi substrati possono essere dotati di strati epitassiali?
  Sì, offriamo epi-ready e opzioni di epitaxia personalizzate per applicazioni ad alta potenza, RF o dispositivi optoelettronici.

• D3: Puoi personalizzare le dimensioni e il doping?
  Le dimensioni personalizzate, i profili di doping e i trattamenti superficiali sono disponibili per soddisfare esigenze specifiche di applicazione.

• Q4: Come si comportano i substrati di SiC in condizioni estreme?
  I substrati di SiC mantengono l'integrità strutturale e la stabilità elettrica a temperature superiori a 600°C, rendendoli adatti a ambienti difficili come l'aerospaziale, la difesa,e applicazioni industriali ad alta potenza.

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