Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza

Soluzione di semiconduttori ad alte prestazioni per l'elettronica avanzata

ILSubstrato in carburo di silicio (SiC) di tipo 4H-N da 10×10 mmè un materiale semiconduttore ad alte prestazioni basato sulla tecnologia SiC di terza generazione. Prodotto tramiteTrasporto fisico del vapore (PVT)ODeposizione chimica in fase vapore ad alta temperatura (HTCVD), offre eccezionali proprietà termiche, elettriche e meccaniche. Con una tolleranza dimensionale di±0,05 mme rugosità superficialeRa <0,5 nm, è ideale per la prototipazione di dispositivi di potenza, componenti RF e sistemi optoelettronici. Il substrato è disponibile in4H-SiCO6H-SiCpolitipi, con opzioni di drogaggio di tipo N o di tipo P, e viene sottoposto a rigorosi controlli di qualità (ad esempio, XRD, microscopia ottica) per garantire l'affidabilità del livello dei semiconduttori.

Tabella 1: Parametri chiave del substrato SiC di tipo 4H-N da 10×10 mm

• Gestione termica superiore: Con una conduttività termica di490 W/m·K(3 volte più alto del silicio), il substrato consente un'efficiente dissipazione del calore, riducendo le temperature operative del dispositivo e migliorando la longevità del sistema.

• Tolleranza all'alta tensione: Un'intensità di campo di ripartizione di2–4 MV/cm(10 volte più alto del silicio) supporta applicazioni ad alta potenza, mentre un'elevata velocità di deriva della saturazione degli elettroni (2×10⁷ cm/s) avvantaggia i progetti ad alta frequenza.

• Robustezza meccanica: Durezza Vickers di28–32 GPae resistenza alla flessione >400 MPagarantiscono una durata utile 5–10 volte maggiore rispetto ai materiali convenzionali.

• Stabilità ambientale: Temperature operative fino a600°Ce un basso coefficiente di dilatazione termica (4,0×10⁻⁶/K) garantiscono prestazioni in condizioni estreme.

Tabella 2: Aree di applicazione principali dei substrati SiC da 10×10 mm

• Geometria: forme rotonde, rettangolari o definite dall'utente.

• Doping: Tipo N o tipo P con concentrazioni daDa 10¹⁵ a 10¹⁹ cm⁻³.

• Spessore: 100–500 μm, con metallizzazione posteriore opzionale per una migliore integrazione.

Il substrato SiC di tipo 4H-N da 10×10 mm combina proprietà avanzate del materiale con flessibilità nel design, rendendolo un abilitatore fondamentale per l'elettronica di prossima generazione nei sistemi automobilistici, di comunicazione e energetici. La sua compatibilità con applicazioni ad alta temperatura, alta frequenza e alta potenza lo posiziona come una pietra angolare dell'innovazione dei semiconduttori.

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