Substrati in SiC 6H di grado industriale per elettronica ad alta temperatura, UV e di precisione

Substrati SiC 6H di grado industriale per elettronica di precisione, UV e ad alta temperatura

Panoramica del prodotto

I substrati in carburo di silicio (SiC) 6H sono wafer monocristallini di alta qualità progettati per applicazioni optoelettroniche specializzate ad alta temperatura, alta tensione. A differenza del SiC 4H, il 6H offre un diverso politipo esagonale con mobilità elettronica leggermente inferiore ma eccellente stabilità termica, resistenza meccanica ed efficienza economica per usi di nicchia come LED UV, sensori ad alta temperatura ed elettronica industriale.

Caratteristiche principali

• Struttura cristallina esagonale 6H:Garantisce stabilità dimensionale e robustezza meccanica durante la lavorazione dei wafer.

• Proprietà elettriche:Mobilità elettronica moderata adatta per dispositivi ad alta temperatura e alta tensione; supporta ingombri di dispositivi più piccoli.

• Conduttività termica (~390–450 W/m·K):Dissipazione efficiente del calore nei moduli di potenza e negli ambienti difficili.

• Forza meccanica e resistenza chimica:Elevata durezza e resistenza alla corrosione per un'affidabilità a lungo termine.

• Opzioni di superficie Epi-Ready:Compatibile con la crescita epitassiale, inclusa la ricottura all'idrogeno e la lucidatura CMP.

• Dimensioni e spessore personalizzabili:Disponibili in diametri standard o su misura per specifiche esigenze produttive.

Applicazioni

• Dispositivi e sensori a semiconduttore ad alta temperatura

• LED UV e optoelettronica specializzata

• Elettronica aerospaziale e automobilistica esposta a condizioni estreme

• Elettronica industriale che richiede componenti compatti e robusti

• Ricerca e sviluppo di semiconduttori a banda larga

Specifiche tecniche (tipiche e personalizzabili)

Vantaggi del substrato quadrato

• Sensori ad alta temperatura e LED UV:I substrati quadrati forniscono un allineamento preciso per gli elettrodi e le basi della confezione.

• Elettronica industriale:Consente un design compatto con elevata integrazione, riducendo gli spazi tra contenitore e substrato.

• Circuiti RF e microonde (opzione SI):Perdita di segnale ridotta per applicazioni ad alta frequenza.

Processo di produzione

1. Sintesi delle polveri: materia prima SiC di elevata purezza.

2. Montaggio del seme: seme 6H attaccato all'ampolla di crescita.

3. Crescita ad alta temperatura: la sublimazione a 2300–2500°C forma boule di SiC.

4. Affettatura: la sega a filo diamantato taglia i wafer.

5. Lucidatura e ispezione: CMP o lucidatura al diamante per superfici epi-ready; metrologia e certificato di analisi (CoA) forniti.

Applicazioni chiave e casi d'uso

• Elettronica per alte temperature e sensori industriali

• Optoelettronica UV

• Elettronica aerospaziale e per la difesa in condizioni estreme

• Dispositivi di potenza compatti ad alta affidabilità per mercati di nicchia

• Ricerca e sviluppo e produzione pilota di dispositivi a semiconduttore a banda larga

Domande frequenti

1.Cosa rende i substrati SiC 6H diversi da quelli 4H?

6H SiC ha un diverso politipo esagonale, minore mobilità degli elettroni e vantaggi economici per applicazioni specializzate e ad alta temperatura, mentre 4H è standard per dispositivi di potenza ad alta velocità e alta efficienza.

2.Il SiC 6H può resistere alle alte temperature?

Sì, mantiene la stabilità meccanica ed elettrica in ambienti termici estremi.

3.I substrati SiC 6H sono personalizzabili?

Sì, diametro, spessore, finitura superficiale e conduttività possono essere personalizzati per esigenze di ricerca e sviluppo o di produzione.

4.Quali industrie utilizzano substrati SiC 6H?

Sensori ad alta temperatura, LED UV, settori aerospaziale, automobilistico ed elettronica industriale che richiedono prestazioni robuste in condizioni estreme.