Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza

4H-N Substrato SiC tipo 10×10 mm Wafer piccolo Forma e dimensioni personalizzabili

Il piccolo wafer SiC 10×10 è un prodotto semiconduttore ad alte prestazioni sviluppato sulla base di carburo di silicio (SiC) materiale semiconduttore di terza generazione.Prodotto utilizzando processi di trasporto fisico dei vapori (PVT) o di deposizione chimica a alta temperatura dei vapori (HTCVD), offre due opzioni di politipo: 4H-SiC o 6H-SiC. Con tolleranza dimensionale controllata entro ± 0,05 mm e rugosità superficiale Ra < 0,5 nm,il prodotto è disponibile sia nelle versioni dopate di tipo N che di tipo P, con una resistenza compresa tra 0,01-100Ω·cm. Ogni wafer è sottoposto a rigorosi controlli di qualità,compresa la diffrazione a raggi X (XRD) per la prova dell'integrità del reticolo e la microscopia ottica per la rilevazione dei difetti superficiali, garantendo il rispetto delle norme di qualità dei semiconduttori.

SiC Substrato 10×10 mm Specifica tecnica

SiC Substrato 10×10 mm Principali caratteristiche tecniche

• Gestione termica eccezionale:SiC Substrato 10×10 mm conduttività termica fino a 490 W/m·K, tre volte superiore al silicio, riducendo significativamente la temperatura di funzionamento del dispositivo e migliorando l'affidabilità del sistema.

• Proprietà elettriche superiori:SiC Substrato 10×10 mm forza di campo di degradazione di 2-4 MV/cm, dieci volte quella del silicio, supportando il funzionamento a tensione superiore; velocità di deriva della saturazione elettronica raggiunge 2×10^7 cm/s,rendendolo ideale per applicazioni ad alta frequenza.

• Estrema adattabilità all'ambiente:SiC Substrate 10×10mm mantiene prestazioni stabili a temperature fino a 600°C, con un basso coefficiente di espansione termica di 4,0×10^-6/K,garantire la stabilità dimensionale in condizioni di alta temperatura.

• Performance meccaniche eccezionali:Durezza Vickers di 28-32 GPa, resistenza alla flessione superiore a 400 MPa e eccezionale resistenza all'usura, SiC Substrato 10 × 10 mm offre una durata di servizio 5-10 volte superiore a quella dei materiali convenzionali.

• Servizi di personalizzazione:SiC Substrato 10×10 mm soluzioni su misura disponibili per l'orientamento cristallino (ad esempio, 0001, 11-20), spessore (100-500μm) e concentrazione di doping (10^15-10^19 cm^-3) in base alle esigenze del cliente.

---

 

SiC Substrato 10×10 mm Core Application Areas

 

1.Motori per veicoli a nuova energia:Il substrato SiC 10×10mm è utilizzato in MOSFET e diodi SiC di livello automobilistico, migliorando l'efficienza dell'inverter del 3-5% e estendendo l'autonomia dei veicoli elettrici.

 

 

2.Infrastrutture di comunicazione 5G:Il substrato SiC 10×10mm funge da substrato per amplificatori di potenza RF (RF PA), supportando applicazioni a banda di onde millimetriche (24-39GHz) e riducendo il consumo di energia della stazione base di oltre il 20%.

 

 

3.Equipaggiamento di rete intelligente:Sottostrato di SiC 10×10 mm applicato nei sistemi ad alta tensione di corrente continua (HVDC) per trasformatori a stato solido e interruttori, migliorando l'efficienza della trasmissione di potenza.

 

 

4.Automazione industriale:Il substrato in SiC da 10×10 mm consente di azionare motori industriali ad alta potenza con frequenze di commutazione superiori a 100 kHz, riducendo le dimensioni del dispositivo del 50%.

 

 

5.Electronica aerospaziale:Il substrato in SiC da 10×10 mm soddisfa i requisiti di affidabilità dei sistemi di alimentazione satellitare e dei sistemi di controllo dei motori degli aeromobili in ambienti estremi.

 

 

6.Dispositivi optoelettronici di fascia alta:Substrato SiC 10×10 mm materiale ideale per i LED UV, i diodi laser e altri componenti optoelettronici.