Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza

Substrato SiC di tipo 4H-N 10×10mm Wafer piccolo Forma e dimensioni personalizzabili

Il piccolo wafer SiC 10×10 è un prodotto a semiconduttore ad alte prestazioni sviluppato sulla base del carburo di silicio (SiC), un materiale semiconduttore di terza generazione. Prodotto utilizzando processi di trasporto di vapore fisico (PVT) o deposizione chimica da vapore ad alta temperatura (HTCVD), offre due opzioni di politipo: 4H-SiC o 6H-SiC. Con una tolleranza dimensionale controllata entro ±0,05 mm e una rugosità superficiale Ra < 0,5 nm, il prodotto è disponibile in versioni drogate di tipo N e di tipo P, che coprono un intervallo di resistività di 0,01-100Ω·cm. Ogni wafer è sottoposto a rigorose ispezioni di qualità, tra cui la diffrazione a raggi X (XRD) per il test dell'integrità del reticolo e la microscopia ottica per l'individuazione dei difetti superficiali, garantendo la conformità agli standard di qualità di grado semiconduttore.

Specifiche tecniche del substrato SiC 10×10mm

Caratteristiche tecniche principali del substrato SiC 10×10mm

• Gestione termica eccezionale: Conducibilità termica del substrato SiC 10×10mm fino a 490 W/m·K, tre volte superiore a quella del silicio, riducendo significativamente la temperatura di esercizio del dispositivo e migliorando l'affidabilità del sistema.

• Proprietà elettriche superiori: Resistenza alla rottura del substrato SiC 10×10mm di 2-4 MV/cm, dieci volte superiore a quella del silicio, che supporta un funzionamento a tensione più elevata; la velocità di deriva di saturazione degli elettroni raggiunge 2×10^7 cm/s, rendendolo ideale per applicazioni ad alta frequenza.

• Adattabilità ambientale estrema: Il substrato SiC 10×10mm mantiene prestazioni stabili a temperature fino a 600°C, con un basso coefficiente di espansione termica di 4,0×10^-6/K, garantendo la stabilità dimensionale in condizioni di alta temperatura.

• Prestazioni meccaniche eccezionali: Durezza Vickers di 28-32 GPa, resistenza alla flessione superiore a 400 MPa ed eccezionale resistenza all'usura, il substrato SiC 10×10mm offre una durata utile da 5 a 10 volte superiore rispetto ai materiali convenzionali.

• Servizi di personalizzazione: Soluzioni su misura per il substrato SiC 10×10mm disponibili per l'orientamento cristallino (ad esempio, 0001, 11-20), lo spessore (100-500μm) e la concentrazione di drogaggio (10^15-10^19 cm^-3) in base alle esigenze del cliente.

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Principali aree di applicazione del substrato SiC 10×10mm

 

1. Sistemi di propulsione per veicoli a nuova energia: Il substrato SiC 10×10mm viene utilizzato nei MOSFET e nei diodi SiC di grado automobilistico, migliorando l'efficienza dell'inverter del 3-5% e prolungando l'autonomia di guida dei veicoli elettrici.

 

 

2. Infrastruttura di comunicazione 5G: Il substrato SiC 10×10mm funge da substrato per gli amplificatori di potenza RF (RF PA), supportando le applicazioni a banda millimetrica (24-39 GHz) e riducendo il consumo energetico delle stazioni base di oltre il 20%.

 

 

3. Apparecchiature per smart grid: Il substrato SiC 10×10mm viene applicato nei sistemi a corrente continua ad alta tensione (HVDC) per trasformatori e interruttori a stato solido, migliorando l'efficienza della trasmissione di potenza.

 

 

4. Automazione industriale: Il substrato SiC 10×10mm consente azionamenti per motori industriali ad alta potenza con frequenze di commutazione superiori a 100 kHz, riducendo le dimensioni dei dispositivi del 50%.

 

 

5. Elettronica aerospaziale: Il substrato SiC 10×10mm soddisfa i requisiti di affidabilità per i sistemi di alimentazione satellitare e i sistemi di controllo dei motori aeronautici in ambienti estremi.

 

 

6. Dispositivi optoelettronici di fascia alta: Il substrato SiC 10×10mm è un materiale di substrato ideale per LED UV, diodi laser e altri componenti optoelettronici.