Sapphire Wafer C-Plane To A 1° off 99.999% Al2O3 Dia 2"3"4"6"8" Personalizza Spessore

Wafer di zaffiro C-Plane a A 1° Off, 99,999% Al2O₃, Diametro 2 "/3"/4"/6"/8", Spessore personalizzato

Questo...Wafer di zaffiro ad alta precisionecaratteristiche aPiano C-asse A 1° orientamento fuori taglio- e99Purezza 0,999% (5N), ottimizzato per una crescita epitaxiale superiore in applicazioni optoelettroniche e semiconduttrici avanzate.diametri standard da 2" a 8"con spessori personalizzabili, fornisce un'eccezionale uniformità cristallografica, una densità di difetto estremamente bassa e una straordinaria stabilità termica/chimica.L'angolo di taglio di 1° controllato migliora l'epitaxia del GaN e dell'AlN riducendo i difetti di aggregazione a gradini, che lo rende ideale per LED ad alte prestazioni, diodi laser, elettronica di potenza e dispositivi RF.

Caratteristiche chiave della valigetta di zaffiro

Precisione dell'orientamento fuori taglio

Piano C verso l'asse A 1° ± 0,1° fuori taglio, progettato per migliorare l'uniformità della pellicola epitaxiale e ridurre al minimo i difetti nei dispositivi a base di GaN.

Ultra-alta purezza (5N Al)2O3)

99.999% di purezzacon tracce di impurità (Fe, Ti, Si) < 5 ppm, garantendo prestazioni elettriche e ottiche ottimali.

Diametri: 2", 3", 4", 6", 8" (tolleranza ± 0,1 mm).

Spessore: da 100 μm a 1500 μm (tolleranza ± 5 μm), su misura per applicazioni specifiche.

Poliestere pronto per l'epi: Ra < 0,5 nm (lato anteriore) per deposizione a film sottile senza difetti.

Stabilità termica: Punto di fusione ~ 2,050°C, adatto a processi ad alta temperatura (MOCVD, MBE).

Trasparenza ottica: > 85% di trasmissione (UV a infrarossi medi: 250 nm ∼ 5.000 nm).

Robustezza meccanica: 9 Durezza di Mohs, resistente all'incisione chimica e all'abrasione.

Applicazioni del safiro

Optoelettronica

LED/diodi laser a base di GaN: LED blu/UV, micro LED e VCSEL.

Finestre laser ad alta potenza: CO2 e componenti laser excimer.

Potenza e elettronica RF

HEMT (transistor ad alta mobilità elettronica): amplificatori di potenza 5G/6G e sistemi radar.

Diodi di Schottky e MOSFET: dispositivi ad alta tensione per veicoli elettrici.

Industria e difesa

Finestre IR e cupole missilistiche: Alta trasparenza in ambienti difficili.

Sensori di zaffiro: Coperture resistenti alla corrosione per il monitoraggio industriale.

Tecnologie quantistiche e di ricerca

Sottostati per qubit superconduttori(calcolo quantistico).

Cristali SPDC (Spontaneous Parametric Down-Conversion)per l'ottica quantistica.

Semiconduttori e MEMS

Oggetti di SOI (Silicone-on-Isolator)per IC avanzate.

Sensori di pressione MEMSche richiedono inerzia chimica.

Specificità

Domande e risposte

Q1: Posso richiedere un angolo di taglio diverso (ad esempio 0,5° o 2°)?
A2: - Sì, è vero.Gli angoli di taglio personalizzati (0,2° ∼5°) sono disponibili con tolleranza di ±0,1°.

Q2: Qual è lo spessore massimo disponibile?
A6:Fino a1,500 μm (1,5 mm)per la stabilità meccanica nelle applicazioni ad elevate tensioni.

D3: Come devono essere conservati i wafer per evitare la contaminazione?
A10:Conservarecassette compatibili con la stanza pulitao armadi di azoto (20-25°C, umidità < 40%).