Wafer di zaffiro 8' di diametro 200 mm ± 0,2 mm Spessore 725 Um C-Plano 99,99% puro

Wafer di zaffiro da 8" di diametro 200 mm (± 0,2 mm), spessore 725 μm, piano C, 99,99% di purezza

Questo wafer di zaffiro di alta purezza da 8 pollici (200 mm) presenta un'eccezionale precisione dimensionale (diametro ± 0,2 mm, spessore 725 μm) e un orientamento cristallografico (piano C),rendendolo ideale per applicazioni optoelettroniche e semiconduttori esigentiCon una purezza del 99,99% e una stabilità meccanica/termica superiore, il wafer funge da substrato ottimale per la fabbricazione di LED, diodi laser e dispositivi RF.La sua finitura superficiale uniforme e l'inerzia chimica ne garantiscono l'affidabilità in ambienti difficili, mentre il suo ampio diametro consente una produzione di massa conveniente.

Caratteristiche fondamentali delle wafer di zaffiro

Geometria di precisione:

• Diametro: 200 mm ± 0,2 mm, garantendo la compatibilità con gli strumenti standard a semiconduttore.
• Spessore: 725 μm ± 25 μm, ottimizzato per la resistenza meccanica e la stabilità del processo.

Eccellenza cristallografica:

• orientamento C-piano (0001), preferito per la crescita epitaxiale del GaN nei dispositivi LED/HEMT.
• Densità di dislocazione bassa (< 1.000 cm−2) per l'integrazione di dispositivi ad alte prestazioni.

Purezza ultra elevata:

• Purezza > 99,99% (4N), riducendo al minimo le impurità che influenzano le prestazioni ottiche/elettriche.

Proprietà materiali robuste:

• Durezza: 9 Mohs, resistente ai graffi per la durabilità.
• Stabilità termica: punto di fusione ~ 2,050°C, adatto a processi ad alta temperatura.
• Trasparenza ottica: 85%+ negli spettri visibili fino a vicino infrarossi (350 nm ¥ 4.500 nm).

Qualità della superficie:

• Epitax ready polish: Ra < 0,3 nm per deposizione di film sottile senza difetti.
• Opzionale lucidatura a doppio lato su richiesta.

Applicazioni delle wafer di zaffiro

Optoelettronica:

Substrato per LED blu/verde/bianchi (epitaxia InGaN/GaN).

Diodi laser (emettitori di bordi/VCSEL) nei display e nelle comunicazioni.

Potenza elettronica:

Dispositivi RF (antene 5G/6G, amplificatori di potenza) a causa della bassa perdita dielettrica.

Transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) per veicoli elettrici.

Industria e difesa:

Finestre infrarosse, cupole missilistiche (trasparenza di zaffiro fino a metà infrarossi).

Coperture protettive per sensori in ambienti corrosivi/abrasivi.

Tecnologie emergenti:

Calcolo quantistico (sottostati di cristalli SPD).

schermi dei dispositivi indossabili (coperchi resistenti ai graffi).

Specificità

Domande e risposte

D1: Perché scegliere lo zaffiro a piano C per l'epitaxia del GaN?
A1:La simmetria esagonale del piano C corrisponde alla struttura cristallina di GaN, riducendo la disadattamento del reticolo e consentendo una crescita epitaxiale di alta qualità per LED e dispositivi di alimentazione.

D2: In che modo lo spessore (725 μm) influisce sulle prestazioni dei wafer?
A2:725μm bilancia la stabilità meccanica (riducendo la rottura durante la manipolazione) con la conduttività termica, fondamentale per la dissipazione termica uniforme nei processi MOCVD.

D3: Questo wafer può essere utilizzato per applicazioni laser ad alta potenza?
A3:La sua elevata conduttività termica e la sua trasparenza a lunghezze d'onda UV-NIR lo rendono adatto per i substrati di diodi laser e le finestre ottiche.

Q4:Sono disponibili orientamenti personalizzati (ad es. piano R)?

A5:I wafer a piano A, piano R e piano M possono essere personalizzati per applicazioni specializzate come i dispositivi SAW.