Wafer di zaffiro di 6' di diametro 150 mm ± 0,1 mm Spessore 1000um C-Plano 99,99% puro

Wafer di zaffiro di 6 pollici di diametro 150 mm ± 0,1 mm Spessore 1000um C-piano 99,99% puro

I nostri wafer di zaffiro di 6 pollici di diametro sono dei substrati Al2O3 a cristallo singolo progettati con precisione per applicazioni di semiconduttori esigenti, con un rigoroso controllo del diametro a 150,0±0.1 mm e spessore standard di 1000±15μm, questi wafer orientati al piano C (0001) offrono prestazioni eccezionali per:

• Produzione di LED e dispositivi di alimentazione a base di GaN
• Componenti RF ad alta frequenza
• Sistemi ottici avanzati

Specificità

Applicazioni

Optoelettronica

• Display a micro-LED
• Dispositivi di sterilizzazione UV
• Illuminazione ad alta luminosità

Elettronica di potenza

• GaN HEMT per 5G/6G
• Moduli di alimentazione elettrica
• Sistemi radar

Tecnologie emergenti

• Dispositivi dot quantici
• Resonatori MEMS
• Sensori fotonici

Caratteristiche chiaveWafer di zaffiro

1. prestazioni termiche superiori

• Alta conduttività termica: 35 W/m·K @ 25°C
• Basso CTE: 5,3×10−6/K (25-500°C)
• Resistenza agli urti termici: resiste a ΔT > 500°C

2Eccellenza ottica.

• Trasmissione a banda larga: 85%@250nm → 92%@450nm → 90%@4000nm
• Bifringenza minima: <3 nm/cm @633 nm
• Pulizia laser: PV <λ/4 @633nm

3. Robustezza meccanica

• Durezza estrema: 2000 HV (Mohs 9)
• Alta resistenza alla flessione: 700±50 MPa
• Modulo di Young: 400 GPa

4- Vantaggi di produzione

• Controllo del diametro: 150,0±0,1 mm (compatibile con utensili da 6"
• Opzioni di spessore: 430-1000 μm disponibili
• Profili di bordo: inciso o contrassegnato con laser secondo le norme SEMI

Domande frequenti

D: 1. Come si devono maneggiare e conservare le wafer?

1. Utilizzare sempre la stanza pulita (classe 1000 o superiore)
2. Manipolare con bacchette a vuoto o utensili a punta PEEK
3. Conservare in cassette con azoto
4. Evitare l'esposizione ai raggi UV

D: 2 Informazioni sull'ordine

Configurazioni standard

• Diametro: 150,0 mm
• Spessore: 1000 μm
• Orientazione: piano C (0001)
• Flat primario: 32,5 mm