Wafer di zaffiro 12' di diametro 250 mm ± 0,5 mm Spessore 1000 Um C-Plano 99,99% puro

Wafer di zaffiro da 12" di diametro 250 mm (± 0,5 mm) spessore 1000 μm piano C

Questo...Wafer di zaffiro da 12 pollici (250 mm)Il dispositivo offre una precisione leader nel settore (± 0,5 mm di diametro, spessore di 1.000 μm) e una purezza ultra elevata (99,99%), ottimizzata per applicazioni avanzate di semiconduttori e optoelettronici.Orientazione del piano C (0001)Garantisce una qualità di crescita epitaxiale eccezionale per i dispositivi a base di GaN, mentre il suo grande diametro massimizza l'efficienza di produzione per la produzione a grandi volumi.Punto di fusione di 1000°C), trasparenza ottica (85%+ da UV a mid-IR) e robustezza meccanica (9 durezza di Mohs), questo wafer è ideale per elettronica di potenza, LED, sistemi laser e tecnologie quantistiche all'avanguardia.

Caratteristiche chiave della valigetta di zaffiro

Precisione in formato grande:

Diametro: 250 mm ± 0,5 mm, compatibile con linee di produzione di semiconduttori da 12 pollici.

Spessore: 1000 μm ± 15 μm, progettato per la resistenza meccanica e l'uniformità del processo.

Ultra-alta purezza (4N):

990,99% di Al2O puro₃, eliminando le impurità che degradano le prestazioni ottiche/elettriche.

Proprietà eccezionali del materiale:

Stabilità termica: Punto di fusione ~ 2,050°C, adatto ad ambienti estremi.

Chiarezza ottica: > 85% di trasmissione da 350 nm a 4.500 nm (UV a medio infrarosso).

Durezza: 9 Mohs, resistente ai graffi e alla corrosione chimica.

Opzioni per la qualità della superficie:

Poliestere pronto per l'epi: Ra < 0,3 nm (misurato con AFM), ideale per la deposizione su film sottile.

Polizione a doppio latodisponibile per applicazioni ottiche di precisione.

Applicazionidi lamiera di saffiro

Optoelettronica avanzata:

LED/diodi laser a base di GaN: LED blu/UV, VCSEL per LiDAR e rilevamento 3D.

Display a micro-LED: Substrati uniformi per gli schermi AR/VR di nuova generazione.

Dispositivi di alimentazione e RF:

Amplificatori di potenza 5G/6G: bassa perdita dielettrica ad alte frequenze.

HEMT e MOSFET: Transistor ad alta tensione per veicoli elettrici.

Industria e difesa:

Finestre IR/Copole missilistiche: trasparenza in ambienti difficili (ad esempio, nel settore aerospaziale).

Sensori di zaffiro: Coperture resistenti alla corrosione per il monitoraggio industriale.

Tecnologie emergenti:

Tecnologia indossabile: vetro di copertura ultra resistente per gli smartwatch.

Specificità

Domande e risposte

D1: Perché un wafer di zaffiro da 12 pollici è vantaggioso rispetto a quelli di diametro più piccolo?
A1:IlLa dimensione di 250 mm riduce i costi di produzione per chipIl progetto è stato realizzato con l'ausilio di una serie di sistemi di produzione di LED, che consentono di realizzare più matrici per wafer, fondamentali per la produzione ad alto volume (ad esempio, linee di fabbricazione a LED).Compatibilità degli utensili per wafer di 300 mmper i processi di semiconduttori ibridi.

D2: In che modo lo spessore di 1.000 μm favorisce le prestazioni del dispositivo?
A2:IlSpessore di 1 mm migliora la stabilità meccanicadurante i processi di movimentazione e ad alta temperatura (ad esempio MOCVD), mantenendo una conducibilità termica ottimale per la dissipazione del calore nei dispositivi di potenza.

D3: Questo wafer può essere utilizzato per applicazioni UV estreme (EUV)?
A3:Sì, è...elevata trasparenza UV(fino a 350 nm) e resistenza alle radiazioni lo rendono adatto per componenti di litografia EUV e ottiche spaziali.

D4: L'orientamento del piano C è personalizzabile?
A5:- Sì, è vero.Piano A (1120) e piano R (1102)I wafer possono essere prodotti per applicazioni specializzate come i filtri SAW o l'eteroepitaxia.