Dettagli del prodotto
Luogo di origine: Cina
Marca: ZMSH
Numero di modello: Substrato SiC
Termini di pagamento e spedizione
Tempi di consegna: 2-4 settimane
Termini di pagamento: T/T
Materiale: |
Monocristallo SiC |
Grado: |
Prime/Dummy |
orientamento: |
< 1000> |
Tipo: |
4H-semi |
Dia: |
10 mm |
Spessore: |
5 mm |
Materiale: |
Monocristallo SiC |
Grado: |
Prime/Dummy |
orientamento: |
< 1000> |
Tipo: |
4H-semi |
Dia: |
10 mm |
Spessore: |
5 mm |
- supportare quelli personalizzati con disegni artistici
- un cristallo esagonale (4H SiC), ottenuto da monocristallo SiC
- Alta durezza, fino a 9,2 Mohs, seconda solo al diamante.
- eccellente conduttività termica, adatta ad ambienti ad alta temperatura.
- caratteristiche di banda larga, idonee per dispositivi elettronici ad alta frequenza e alta potenza.
Descrizione del 4H-SEMI SiC
4H-Semi-SiC wafer si riferiscono a 4H-semi-isolatori di carburo di silicio (SiC) wafer.
Tali wafer sono generalmente realizzati tagliando e lavorando cristalli 4H-SiC di alta purezza.
Il 4H-SiC è un cristallo di SiC con una struttura cristallina specifica, in cui gli atomi di silicio (Si) e di carbonio (C) sono disposti in modo specifico per formare una struttura reticolare.
I wafer 4H-SiC hanno attirato molta attenzione a causa della loro importanza nell'industria dei semiconduttori.
Il 4H-SiC ha una vasta gamma di applicazioni in elettronica di potenza, dispositivi RF e a microonde, dispositivi optoelettronici e applicazioni ad alta temperatura e alta pressione.
I wafer 4H-SiC semi-isolatori presentano generalmente basse concentrazioni di vettore e elevate proprietà isolanti, e sono adatti a molte applicazioni ad alta potenza, alta frequenza e alta temperatura.
Questi wafer 4H-Semi SiC sono spesso utilizzati per la produzione di vari tipi di dispositivi, come MOSFET di potenza, diodi di potenza, amplificatori di potenza RF, sensori fotoelettrici, ecc.
Le loro eccellenti prestazioni, resistenza ad alta tensione, elevata conduttività termica,La loro stabilità a temperature elevate e a pressioni elevate fanno di questi wafer un elemento chiave nelle varie applicazioni industriali e di ricerca scientifica..
Dettagli del 4H-SiC
Ogni tipo di wafer SiC ha i propri dettagli fisici.
Proprietà del substrato | Grado di produzione | Grado per finti |
Diametro | 10 mm | |
Orientazione della superficie | su asse: {0001} ± 0,2° per il tipo SEMI; | |
fuori asse: 4° verso <11-20> ± 0,5° per il tipo N | ||
Orientazione primaria piatta | < 11-20> ± 5,0 ̊ | |
Orientazione piatta secondaria | 90.0 ̊ CW da Primary ± 5.0 ̊, silicio verso l'alto | |
Lunghezza piatta primaria | 160,0 mm ± 1,65 mm | |
Lunghezza piatta secondaria | 80,0 mm ± 1,65 mm | |
Connessione a un'altra parte | Campione | |
Densità di micropipe | ≤ 5 micropipes/cm2 | ≤ 50 micropipes/cm2 |
Aree politipiche per luce ad alta intensità | Nessuna autorizzata | Area ≤ 10% |
Resistenza | 0.0150.028Ω·cm | (superficie 75%) |
0.0150.028Ω·cm | ||
Spessore | 5 mm | |
TTV | ≤ 10 μm | ≤ 15 μm |
BIO | ≤ 10 μm | ≤ 15 μm |
Warp. | ≤ 25 μm | |
Finitura superficiale | Polish a doppio lato, Si Face CMP (polizione chimica) | |
Roughness superficiale | CMP Si Face Ra≤0,5 nm | N/A |
Fessure di luce ad alta intensità | Nessuna autorizzata | |
Fabbricazione di frammenti/indenti per illuminazione diffusa | Nessuna autorizzata | Qty.2 < 1,0 mm larghezza e profondità |
Superficie totale utilizzabile | ≥ 90% | N/A |
Nota: sono accettabili specifiche personalizzate diverse dai parametri di cui sopra. |
* Si prega di contattarci se avete ulteriori esigenze personalizzate
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Domande frequenti
1D: Qual è il processo di fabbricazione delle lame di taglio 4H-Semi SiC?
R: La fabbricazione di lame da taglio a carburo di silicio (SiC) 4H semi-isolatore richiede una serie di fasi di processo complesse, tra cui la crescita dei cristalli, il taglio, la macinazione e la lucidatura.
2D: Quali sono le prospettive future del 4H-SEMI SiC?
R: Sembrano promettenti a causa delle sue proprietà uniche e della crescente domanda di materiali semiconduttori ad alte prestazioni in vari settori.