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Wafer in carburo di silicio 2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici per uso industriale con rugosità superficiale ≤ 0,2 nm
  • Wafer in carburo di silicio 2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici per uso industriale con rugosità superficiale ≤ 0,2 nm
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Wafer in carburo di silicio 2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici per uso industriale con rugosità superficiale ≤ 0,2 nm

Luogo di origine Shanghai Cina
Marca ZMSH
Certificazione ROHS
Numero di modello Wafer del carburo di silicio
Dettagli del prodotto
Grado:
Manichino di ricerca di produzione
verniciato:
Il silicio doped/Un-doped/Zn ha verniciato
Diametro:
1500,0 mm +/- 0,2 mm
Tipo:
4h-n
Particella:
Particella libera/bassa
Resistenza elettrica ((Ohm-cm):
0.015 ~ 0.025
Evidenziare: 

wafer del carburo di silicio 6inch

,

wafer del carburo di silicio 8Inch

,

wafer del carburo di silicio 4inch

Descrizione di prodotto

Wafer in carburo di silicio 2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici per uso industriale con rugosità superficiale ≤ 0,2 nm

Descrizione del prodotto

ZMSH è emersa come produttore e fornitore predominante di wafer di substrato in SiC (carburo di silicio).Siamo orgogliosi di offrire i prezzi più competitivi sul mercato per 2 pollici e 3 pollici wafer di substrato SiC di ricerca, offrendo ai clienti un valore eccezionale.

I wafer di substrato SiC trovano applicazioni in una vasta gamma di progetti di dispositivi elettronici, in particolare in prodotti che richiedono capacità di alta potenza e alta frequenza.Questi wafer svolgono un ruolo cruciale per lo sviluppo di sistemi elettronici avanzati ed efficienti.

Inoltre, i wafer a substrato di SiC sono ampiamente utilizzati nel campo della tecnologia LED (Light Emitting Diode).I LED sono dispositivi semiconduttori che generano luce a basso consumo energetico e a basso calore combinando elettroni e foriI wafer a substrato di SiC contribuiscono in modo significativo alle prestazioni e all'affidabilità dei LED, rendendoli un componente essenziale nell'industria dei LED.

In ZMSH, ci impegniamo a fornire wafer di substrato SiC di alta qualità ai migliori prezzi, soddisfacendo le diverse esigenze dei nostri clienti in vari settori.

Parametro del prodotto

Parametro Valore
Nome del prodotto Substrato di carburo di silicio
Metodo di crescita MOCVD
Struttura cristallina 6H, 4H
Sequenza di impilazione 6H: ABCACB, 4H: ABCB
Grado Grado di produzione, grado di ricerca, grado di simulazione
Tipo di conduttività di tipo N o semisolatrici
Fessura di banda 3.23 eV
Durezza 9.2 (Mohs)
Conduttività termica @300K 3.2~4.9 W/cm.K
Costanti dielettrici e(11)=e(22)=9.66, e(33)=10.33
Resistenza 4H-SiC-N: 0.0150.028 Ω·cm, 6H-SiC-N: 0.020.1 Ω·cm, 4H/6H-SiC-SI: >1E7 Ω·cm
Imballaggio Classe 100 sacchetto pulito, in classe 1000 stanza pulita

Applicazione del prodotto

I wafer al carburo di silicio (wafer al SiC) sono molto richiesti per la loro idoneità in elettronica automobilistica, dispositivi optoelettronici e applicazioni industriali.Questi wafer comprendono sia i substrati SiC di tipo 4H-N che i substrati SiC semi-isolatori, che servono come componenti cruciali in una vasta gamma di dispositivi.

I substrati SiC di tipo 4H-N possiedono proprietà eccezionali, tra cui un ampio intervallo di banda che consente un'efficiente commutazione di potenza nell'elettronica.Essi presentano una notevole resistenza all'usura meccanica e all'ossidazione chimica, che li rende ideali per applicazioni che richiedono un funzionamento ad alta temperatura e una bassa perdita di potenza.

I substrati di SiC semi-isolatori offrono un'eccellente stabilità e resistenza termica, che li rende adatti a varie applicazioni optoelettroniche.La loro capacità di mantenere la stabilità in dispositivi ad alta potenza è particolarmente preziosaInoltre, i substrati di SiC semi-isolatori possono essere utilizzati come wafer adesivi, svolgendo un ruolo vitale nello sviluppo di dispositivi microelettronici ad alte prestazioni.

Le caratteristiche uniche delle onde SiC le rendono altamente versatili per una vasta gamma di applicazioni, con particolare rilievo nei settori automobilistico, optoelettronica e industriale.Le onde SiC sono componenti indispensabili nel panorama tecnologico di oggi e continuano a guadagnare popolarità in diversi settori.

Wafer in carburo di silicio 2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici per uso industriale con rugosità superficiale ≤ 0,2 nm 0Wafer in carburo di silicio 2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici per uso industriale con rugosità superficiale ≤ 0,2 nm 1

Domande frequenti

Cos'è un substrato di SiC?

Che cosa sono i wafer e i substrati di carburo di silicio (SiC)?

I wafer e i substrati del carburo di silicio (SiC) sono materiali specializzati utilizzati nella tecnologia dei semiconduttori, realizzati a partire dal carburo di silicio, un composto noto per la sua elevata conduttività termica,eccellente resistenza meccanica, e un'ampia banda.

Un substrato di SiC, o substrato di carburo di silicio, è un materiale cristallino utilizzato come base su cui sono fabbricati dispositivi semiconduttori.È composto da atomi di silicio e carbonio disposti in una struttura a griglia cristallinaI substrati di SiC sono progettati per avere caratteristiche elettriche, termiche,e proprietà meccaniche che li rendono altamente adatti a una vasta gamma di applicazioni elettroniche e optoelettroniche.

I substrati SiC offrono diversi vantaggi rispetto ai materiali semiconduttori tradizionali come il silicio (Si), tra cui:

Wide Bandgap: SiC ha un ampio intervallo di banda, in genere intorno a 2,9 a 3,3 elettroni volt (eV), che consente la fabbricazione di dispositivi ad alta potenza, alta temperatura e alta frequenza.Questo ampio intervallo di banda consente ai dispositivi di funzionare in modo efficiente a temperature e tensioni più elevate riducendo al minimo la corrente di perdita.
Alta conduttività termica: i substrati in SiC hanno un'eccellente conduttività termica, che consente una dissipazione efficiente del calore generato durante il funzionamento del dispositivo.Questa proprietà è fondamentale per mantenere l'affidabilità e le prestazioni del dispositivo, specialmente in applicazioni ad alta potenza e ad alta temperatura.
Stabilità chimica: Il SiC è chimicamente stabile e resistente alla corrosione, rendendolo adatto per l'uso in ambienti difficili e processi chimici reattivi.Questa stabilità garantisce l'affidabilità e la stabilità a lungo termine del dispositivo in varie condizioni di funzionamento.
Durezza meccanica: i substrati SiC presentano elevata durezza meccanica e rigidità, oltre a resistenza all'usura meccanica e alla deformazione.Queste proprietà contribuiscono alla durata e alla longevità dei dispositivi fabbricati su substrati di SiC.
Alta tensione di rottura: i dispositivi SiC possono resistere a tensioni di rottura più elevate rispetto ai dispositivi a base di silicio,che consentono la progettazione di dispositivi elettronici di potenza e di alta tensione più robusti e affidabili.
Alta mobilità elettronica: i substrati SiC hanno un'elevata mobilità elettronica, il che si traduce in un trasporto elettronico più veloce e velocità di commutazione più elevate nei dispositivi elettronici.Questa proprietà è vantaggiosa per applicazioni che richiedono un funzionamento ad alta frequenza e velocità di commutazione rapide.

Nel complesso, i substrati SiC svolgono un ruolo cruciale nello sviluppo di dispositivi semiconduttori avanzati per applicazioni in elettronica di potenza, comunicazioni a radiofrequenza (RF), optoelettronica,elettronica ad alta temperaturaLa loro combinazione unica di energia elettrica, termica,Le proprietà meccaniche le rendono indispensabili per consentire la creazione di sistemi elettronici e fotonici di nuova generazione in vari settori..

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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