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2 pollici 3 pollici 4 pollici SiC Substrato 330um Spessore 4H-N Tipo Grado di produzione
  • 2 pollici 3 pollici 4 pollici SiC Substrato 330um Spessore 4H-N Tipo Grado di produzione
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2 pollici 3 pollici 4 pollici SiC Substrato 330um Spessore 4H-N Tipo Grado di produzione

Luogo di origine Cina
Marca ZMSH
Certificazione rohs
Numero di modello Substrato SiC
Dettagli del prodotto
Dimensione:
Personalizzato
Tensione di rottura:
5,5 MV/cm
Tipo del substrato:
Substrato SiC
Materiale:
Carburo di silicio
Durezza superficiale:
HV0.3>2500
Roverezza della superficie:
Ra<0.5nm
Drogante:
N/A
Costante dielettrica:
9,7
Evidenziare: 

di spessore 330um substrato sic

,

3 pollici di substrato SiC

,

Substrato di 4 H-N Type sic

Descrizione di prodotto

2 pollici 3 pollici 4 pollici SiC Substrato 330um Spessore 4H-N Tipo Grado di produzione

Descrizione del prodotto:

Il substrato SiC è disponibile in varie dimensioni, tra cui 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici e 8 pollici.

I nostri substrati SiC di alta qualità offrono proprietà superiori e sono disponibili in diametri da 3 e 4 pollici con uno spessore di 330 μm.Questi substrati sono realizzati in carburo di silicio (SiC) di tipo 4H-N, riconosciuto per la sua eccellente conduttività termica e le sue proprietà di isolamento elettrico.i nostri substrati SiC sono ideali per lo sviluppo di dispositivi di alimentazione ad alte prestazioni e LEDCon la loro capacità di resistere a temperature elevate e ambienti difficili, garantiscono affidabilità ed efficienza nei processi di produzione dei semiconduttori.Che tu sia nel campo dell'elettronica, optoelettronica o elettronica di potenza, i nostri substrati SiC forniscono la base necessaria per guidare i progressi tecnologici e migliorare le prestazioni dei dispositivi.

Il substrato SiC è disponibile in piastre di dimensioni personalizzate, tra cui 1x1cm, 0,5x0,5mm, 5x5mm e 10x10mm.Ciò offre ai clienti la flessibilità di scegliere la dimensione specifica che soddisfa i loro requisiti di progettazione e produzione.

In sintesi, il substrato SiC è un materiale di alta qualità che offre proprietà fisiche e chimiche eccezionali, rendendolo una scelta ideale per vari dispositivi elettronici.Disponibilità in diverse dimensioni, comprese le piastre di dimensioni personalizzate come 1x1cm e 0,5x0,5mm, ne fanno un materiale versatile e flessibile per la progettazione e la produzione.

 

Caratteristiche:

Nome del prodotto: SiC Substrato

 

Specificità 2 pollici 3 pollici 4 pollici
Spessore 330 μm 330 μm 330 μm
Tipo di cristallo 4H-N 4H-N 4H-N
Grado Grado di produzione Grado di produzione Grado di produzione
Aree di applicazione elettronica di potenza, LED, dispositivi RF elettronica di potenza, LED, dispositivi RF elettronica di potenza, LED, dispositivi RF

 

 

Applicazioni:

Il prodotto a base di substrato di SiC è disponibile in dimensioni personalizzate, consentendogli di essere utilizzato in varie applicazioni.dispositivi ad alta frequenzaI chip sic di dimensioni personalizzate sono perfetti per la creazione di dispositivi elettronici altamente efficienti e affidabili.5 X 10-6/K, che lo rende un materiale ideale per applicazioni ad alta temperatura.

I due pollici, i tre pollici,e 4 pollici di SiC substrati con uno spessore di 330um e 4H-N tipo sono ampiamente utilizzati nell'industria dei semiconduttori per la produzione di blu e verde LED e transistor ad alta potenzaQuesti substrati sono preferiti per la loro elevata conduttività termica, che li rende ideali per applicazioni ad alta temperatura, come nelle industrie dell'elettronica e dell'ottica,compresa la fabbricazione di macchine per il taglio a laserL'elevata conduttività termica è particolarmente utile per lo sviluppo di dispositivi elettronici di potenza avanzati, quali inverter e convertitori, migliorando la loro efficienza e affidabilità nel funzionamento.Questi substrati di SiC sono adatti anche per la produzione di dispositivi optoelettroniciLa loro versatilità e capacità di funzionare in condizioni estreme li rendono un componente prezioso in varie applicazioni che coprono l'automotive,aerospaziale, energia, e altro ancora.

Personalizzazione:

Il substrato SiC ZMSH SIC010 è un substrato di alta qualità che può essere personalizzato in base alle vostre specifiche.La quantità minima di ordine è di 10pc e il prezzo è caso per caso. I dettagli di imballaggio includono la scatola di plastica personalizzata per la vostra comodità. Il tempo di consegna è entro 30 giorni e i termini di pagamento sono T / T. La nostra capacità di fornitura è di 1000pc / mese.

Questo substrato ha una conduttività termica di 4,9 W/mK e una resistività di 0,015 ~ 0,028 ohm.cm; o > 1E7 ohm.cm.; il dopante è N/A e il tipo di substrato è il substrato.Le dimensioni possono essere personalizzate in base alle vostre esigenze.

I nostri servizi di personalizzazione dei prodotti per il substrato SiC ZMSH SIC010 includono wafer sic HPSI semi 4h, taglio laser sic e taglio laser sic. Contattaci per saperne di più sulle nostre opzioni di personalizzazione.

 

Imballaggio e trasporto:

Per l'imballaggio e la spedizione dei substrati di SiC, ogni unità è accuratamente imballata individualmente per garantire la massima protezione durante il trasporto.il substrato è prima avvolto in uno strato protettivo che protegge da graffi e altri danni fisiciQuesto viene spesso seguito dal posizionamento del substrato avvolto in un inserto di schiuma su misura che fornisce un'ulteriore assorbimento degli urti.scatola di cartone resistente, appositamente progettata per resistere ai rigori della spedizioneOgni scatola è chiaramente etichettata con le specifiche del prodotto e le istruzioni per la manipolazione per garantire che i substrati arrivano a destinazione in condizioni ottimali.Questo metodo di imballaggio non solo assicura la sicurezza del prodotto, ma semplifica anche il processo di sballaggio per il destinatario, garantendo che i substrati di alta qualità siano pronti per l'uso immediato alla consegna.

Contattici in qualunque momento

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