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singolo Crystal Gallium Oxide Ga 2O3 substrato di 4inch con il metodo di EFG
  • singolo Crystal Gallium Oxide Ga 2O3 substrato di 4inch con il metodo di EFG
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singolo Crystal Gallium Oxide Ga 2O3 substrato di 4inch con il metodo di EFG

singolo Crystal Gallium Oxide Ga 2O3 substrato di 4inch con il metodo di EFG

Luogo di origine La CINA
Marca zmsh
Certificazione ROHS
Numero di modello Substrati di Gao
Dettagli del prodotto
industria:
wafer di semicondutor per il ld o principale
Applicazione:
il substrato a semiconduttore, ha condotto il chip, la finestra di vetro ottica, substrati del dispo
Dimensione:
Su misura
Superficie:
CMP/inciso
verniciato:
Si-verniciato
MOQ:
10pcs
Grado:
grado di ricerca/grado fittizio
Evidenziare: 

Substrato dell'ossido Ga2O3 del gallio

,

Singolo substrato di Crystal Ga 2O3

,

Wafer del nitruro di gallio Ga2O3

Descrizione di prodotto

verniciatura di mg del substrato di Gao dell'ossido del gallio 001 di 10x15mm
 
struttura del monoclinale del substrato dell'ossido del gallio di 10x10mm
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Dettaglio di specificazione
 
Orientamento 100 100 100
Verniciatura UID Mg Fe
parametro elettrico
1×1017~3×1018cm-3
 ≥1010Ω·cm ≥1010Ω·cm
minuto secondo
 ≤150 ≤150 ≤150
densità di dislocazione cm2 <1×105 cm2 <1×105 cm2 <1×105

 

singolo Crystal Gallium Oxide Ga 2O3 substrato di 4inch con il metodo di EFG 0

 


CIRCA IL NOSTRO ZMKJ

ZMKJ individua nella città di Shanghai, che è la migliore città della Cina e la nostra fabbrica è fondata
nella città di Wuxi nel 2014. Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, substrati
e custiomized parts.components di vetro ottico ampiamente usato nell'elettronica, l'ottica,
optoelettronica e molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici
e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura
e servizi per i loro progetti di R & S.
 
 
 
Prodotti relativi: Wafer di GaAs
singolo Crystal Gallium Oxide Ga 2O3 substrato di 4inch con il metodo di EFG 1singolo Crystal Gallium Oxide Ga 2O3 substrato di 4inch con il metodo di EFG 2
 
 
Imballaggio – Logistcs
Le preoccupazioni di Worldhawk ciascuno dettaglia del pacchetto, la pulizia, antistatica, trattamento d'urto.
Secondo la quantità e la forma del prodotto, prenderemo un processo d'imballaggio differente!
 
FAQ –
Q: Che cosa potete assicurare la logistica ed il costo?
(1) accettiamo DHL, Fedex, il TNT, UPS, lo SME, SF e dalla CATENA DELL'OROLOGIO
 e uno stato di paga del deposito di 50%, 50% prima della consegna.
 
Q: Che cosa è il termine di consegna?
Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo ordine.
Per i prodotti su misura: la consegna è 2 o 3 settimane lavorative dopo ordine.
 

Q: Che cosa è il MOQ?
(1) per l'inventario, il MOQ è 5pcs.
(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 10pcs-30pcs.
Q: Avete rapporto d'ispezione per materiale?
Possiamo fornire il rapporto di dettaglio per i nostri prodotti.

 

Etichette:

modello gan,

substrato gan,

modello del aln

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