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Optoelettronica del substrato del carburo di silicio del politipo N di tipo 6H da 2 pollici Crescita del nitruro di gallio

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Wafer in carburo di silicio da 4 pollici di tipo N con opzioni di spessore multiple per propulsori EV e azionamenti motore ad alta densità

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12 pollici Sic Single Crystal Silicon Carbide Substrato Grande Dimensione Alta Purezza Diametro 300mm Grado del prodotto Per la comunicazione 5G

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