4H-N tipo SiC Substrato 10×10 mm Wafer piccolo

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4H-N tipo SiC Substrato 10×10 mm Wafer piccolo

sic crystal

July 30, 2025

Connessione Categoria: Sic substrato

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Il piccolo wafer SiC 10×10 è un prodotto semiconduttore ad alte prestazioni sviluppato sulla base di carburo di silicio (SiC) materiale semiconduttore di terza generazione.Prodotto utilizzando processi di trasporto fisico dei vapori (PVT) o di deposizione chimica a alta temperatura dei vapori (HTCVD), offre due opzioni di politipo: 4H-SiC o 6H-SiC. Con tolleranza dimensionale controllata entro ± 0,05 mm e rugosità superficiale Ra < 0,5 nm,il prodotto è disponibile sia nelle versioni dopate di tipo N che di tipo P, con una resistenza compresa tra 0,01-100Ω·cm. Ogni wafer è sottoposto a rigorosi controlli di qualità,compresa la diffrazione a raggi X (XRD) per la prova dell'integrità del reticolo e la microscopia ottica per la rilevazione dei difetti superficia

Etichette:

#sic wafer #sic substrato #substrato del carburo di silicio

Riassunto: Scopri il wafer di substrato SiC di tipo 4H-N da 10x10mm, un prodotto a semiconduttore ad alte prestazioni per l'elettronica di potenza. Con un'eccezionale gestione termica e proprietà elettriche superiori, questo wafer è ideale per veicoli a nuova energia, infrastrutture 5G e applicazioni aerospaziali. Forme e dimensioni personalizzabili disponibili.

Caratteristiche del prodotto correlate:

4H-N Substrato SiC di tipo con dimensioni di 10x10 mm e tolleranza di ±0,05 mm.
Conducibilità termica fino a 490 W/m*K, tre volte superiore al silicio.
La forza del campo di rottura è di 2-4 MV/cm, dieci volte quella del silicio.
Prestazioni stabili a temperature fino a 600°C con bassa dilatazione termica.
Durezza Vickers di 28-32 GPa e resistenza alla flessione superiore a 400 MPa.
Orientazione cristallina, spessore e concentrazione dopanti personalizzabili.
Ideale per elettronica di potenza, dispositivi RF e componenti optoelettronici.
Controlli di qualità rigorosi, inclusi XRD e microscopia ottica.

FAQ:

Quali sono le principali applicazioni dei wafer SiC da 10x10 mm?

Le onde SiC da 10×10 mm sono utilizzate principalmente per la prototipazione di elettronica di potenza (MOSFET / diodi), dispositivi RF e componenti optoelettronici a causa della loro elevata conduttività termica e tolleranza alla tensione.
Come si confronta il SiC con il silicio per applicazioni ad alta potenza?

Il SiC offre una tensione di rottura 10 volte superiore e una conduttività termica 3 volte migliore del silicio, consentendo dispositivi ad alta temperatura/alta frequenza più piccoli ed efficienti.
Quali opzioni di personalizzazione sono disponibili per il substrato SiC 10 × 10 mm?

Le opzioni di personalizzazione includono forme non standard (rotonde, rettangolari), profili di drogaggio speciali, metallizzazione del lato posteriore e orientamento cristallino, spessore e concentrazione di drogaggio su misura.

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