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4H-N tipo SiC Substrato 10×10 mm Wafer piccolo

sic crystal
July 30, 2025
Connessione Categoria: Sic substrato
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#sic wafer #sic substrato #substrato del carburo di silicio
Riassunto: Ti sei mai chiesto come il substrato SiC di tipo 4H-N 10×10mm Small Wafer possa rivoluzionare l'elettronica di potenza? Questo video mostra le sue caratteristiche ad alte prestazioni, le opzioni di personalizzazione e le rigorose ispezioni di qualità, rendendolo ideale per applicazioni B2B in veicoli a nuova energia, infrastrutture 5G e altro ancora.
Caratteristiche del prodotto correlate:
  • Prodotto a semiconduttore ad alte prestazioni basato su carburo di silicio (SiC) con opzioni di politipo 4H-SiC o 6H-SiC.
  • Tolleranza dimensionale controllata entro ±0,05 mm e rugosità superficiale Ra < 0,5 nm per applicazioni di precisione.
  • Disponibile in versioni drogate di tipo N e tipo P con un intervallo di resistività di 0,01-100Ω*cm.
  • Gestione termica eccezionale con conducibilità termica fino a 490 W/m*K, tre volte superiore al silicio.
  • Proprietà elettriche superiori, tra cui rigidità dielettrica di 2-4 MV/cm e velocità di deriva di saturazione degli elettroni di 2×10^7 cm/s.
  • Estrema adattabilità ambientale, mantenendo prestazioni stabili a temperature fino a 600°C.
  • Prestazioni meccaniche eccezionali con durezza Vickers di 28-32 GPa e resistenza alla flessione superiore a 400 MPa.
  • Servizi di personalizzazione per l'orientamento cristallino, lo spessore e la concentrazione di drogaggio in base alle esigenze del cliente.
FAQ:
  • Quali sono le principali applicazioni dei wafer SiC da 10x10 mm?
    Le onde SiC da 10×10 mm sono utilizzate principalmente per la prototipazione di elettronica di potenza (MOSFET / diodi), dispositivi RF e componenti optoelettronici a causa della loro elevata conduttività termica e tolleranza alla tensione.
  • Come si confronta il SiC con il silicio per applicazioni ad alta potenza?
    Il SiC offre una tensione di rottura 10 volte superiore e una conduttività termica 3 volte migliore del silicio, consentendo dispositivi ad alta temperatura/alta frequenza più piccoli ed efficienti.
  • Quali opzioni di personalizzazione sono disponibili per il substrato SiC 10 × 10 mm?
    Le opzioni di personalizzazione includono forme non standard (rotonde, rettangolari, ecc.), profili di drogaggio speciali, metallizzazione del lato posteriore e soluzioni su misura per l'orientamento del cristallo, lo spessore e la concentrazione di drogaggio.
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