Carburo di silicio (SiC) Substrato 6 pollici 8 pollici Taglio laser Per la preparazione epitaxial

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May 29, 2024

Connessione Categoria: Sic substrato

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Substrato SiC di qualità dalla Cina.
https://www.galliumnitridewafer.com/china-silicon_carbide_sic_substrate_6_inch_8_inch_laser_cutting_for_epitaxial_preparation-44264456.html
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD produttore di qualità dalla Cina.
Possiamo fornire:
Wafer al nitruro di gallio: https://www.galliumnitridewafer.com/supplier-gallium_nitride_wafer-248923.html
Wafer di zaffiro: https://www.galliumnitridewafer.com/supplier-sapphire_wafer-247991.html
Substrato SiC: https://www.galliumnitridewafer.com/supplier-sic_substrate-248805.html
Benvenuti a visitare il nostro sito web ufficiale: http://www.galliumnitridewafer.com

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#sic wafer #sic substrato #substrato del carburo di silicio

Riassunto: Scopri l'avanzato substrato di carburo di silicio (SiC) in dimensioni da 6 pollici e 8 pollici, progettato per il taglio laser e la preparazione epitaxial.ridurre i costiLe opzioni personalizzabili includono epilatori spessi, doping su misura e strutture complesse per una funzionalità ottimale.

Caratteristiche del prodotto correlate:

Substrato in carburo di silicio (SiC) disponibile nei formati da 6 e 8 pollici per il taglio laser e la preparazione epitassiale.
Elevata conduttività termica (4,9 W/mK) ed eccellente isolamento elettrico per prestazioni superiori.
Tensione di rottura di 5,5 MV/cm e resistenza alla trazione > 400 MPa per una durata elevata.
Le opzioni personalizzabili includono strati epilatori spessi, strati tampone e livelli di doping personalizzati.
La rugosità superficiale Ra < 0,5 nm garantisce la precisione per applicazioni ad alte prestazioni.
Supporta strutture complesse come configurazioni multistrato, giunzioni p-n e strati incorporati.
Confezionato in materiali antistatici e contenitori rigidi per una massima protezione durante il trasporto.
Quantità minima d'ordine di 10pc con una capacità di approvvigionamento di 1000pc/mese.

FAQ:

Quali sono le principali applicazioni dei substrati in carburo di silicio (SiC)?

I substrati di SiC sono fondamentali nell'elettronica di potenza e nell'optoelettronica, migliorando le prestazioni dei dispositivi attraverso strati epitaxiali di alta qualità.Sono ideali per la produzione su larga scala grazie alle loro proprietà termiche ed elettriche superiori..
Come vengono imballati i substrati SiC per la spedizione?

Ogni substrato è avvolto singolarmente in materiale antistatico, collocato in un contenitore rigido su misura e protetto con gommapiuma o pluriball. Ulteriori misure, come i sacchetti di gel di silice, controllano l'umidità per garantire condizioni ottimali all'arrivo.
Quali opzioni di personalizzazione sono disponibili per i substrati di SiC?

La personalizzazione include epilayer spessi, strati tampone, livelli di drogaggio su misura e strutture complesse come configurazioni multistrato e giunzioni p-n. I substrati sono disponibili anche nei formati da 6 e 8 pollici per soddisfare esigenze specifiche.

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