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6 Inch SiC As-Cut Wafer – Raw-Cut Unpolished Silicon Carbide Wafer

6 Inch SiC As-Cut Wafer – Raw-Cut Unpolished Silicon Carbide Wafer

Marchio:	ZMSH
MOQ:	25
Tempo di consegna:	2-4 settimane
Condizioni di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Shangai, Cina

Materiale:

Carburo di silicio (SiC)

Tipo di prodotto:

Wafer tagliato / Wafer tagliato grezzo

Diametro:

6 pollici/150 mm

Politipo di cristallo:

4H-SiC / 6H-SiC / Personalizzato

tipo di conducibilità:

Tipo N / Semiisolante / Personalizzato

Orientamento:

(0001) o Personalizzato

Spessore:

Personalizzato

Descrizione di prodotto

Our 6 Inch SiC As-Cut Wafer is produced directly from high-quality silicon carbide crystal ingots through precision wire slicing. The wafer retains the original as-cut surface condition without subsequent grinding, lapping, polishing, or CMP processing. Compared with polished SiC substrates, as-cut wafers provide a more cost-effective solution for customers who require raw silicon carbide wafers for downstream machining, thinning, grinding, polishing, equipment calibration,

Etichette:

sic wafer

sic substrato

substrato del carburo di silicio

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