Wafer al carburo di silicio 6H P-Type e 4H P-Type Zero

Wafer al carburo di silicio 6H P-Type e 4H P-Type Zero

Wafer al carburo di silicio 6H P-Type & 4H P-Type's abstract

Questo studio esplora le proprietà e le applicazioni delle onde di carburo di silicio (SiC) sia nei politipi 6H che in quelli 4H di tipo P.concentrandosi su wafer a densità zero di micropipe (Zero MPD) di livello di produzione e di livello di dummy con diametro di 4 pollici e 6 polliciI wafer SiC 6H e 4H P-Type possiedono strutture cristalline uniche, offrendo elevata conduttività termica, ampie fasce di banda e eccellente resistenza alle alte temperature, tensioni e radiazioni.Queste caratteristiche li rendono ideali per applicazioni ad alte prestazioni come l'elettronica di potenzaLa proprietà Zero MPD dei wafer migliora ulteriormente la loro qualità eliminando i micropipes.che migliora significativamente l'affidabilità e le prestazioni del dispositivoQuesto documento descrive in dettaglio il processo di fabbricazione, le caratteristiche dei materiali e i possibili casi d'uso di queste onde SiC in sistemi elettronici avanzati, in particolare per dispositivi di potenza ad alta efficienza.Componenti RF, e altre applicazioni industriali che richiedono substrati semiconduttori robusti.

Grafico dei dati del wafer al carburo di silicio 6H P-Type e 4H P-Type

4 pollici di diametro Carburo di silicio (SiC) Specifica del substrato

等级Grade			精选级 ((Z 级) Zero produzione di MPD Grado (grado Z)	工业级 ((P 级) Produzione standard Grado (grado P)	测试级 ((D 级) Grado D (D Grade)
Diametro			99.5 mm~100,0 mm
厚度 Spessore			350 μm ± 25 μm
晶片方向 Orientazione del wafer			Al di fuori dell'asse: 2,0°-4,0° verso l'esterno [1120] ± 0,5° per 4H/6H-P, sull'asse:
微管密度 ※ Micropipe Density			0 cm-2
电 阻 率 ※ Resistenza	tipo p 4H/6H-P		≤ 0,1 Ω ̊cm		≤ 0,3 Ω ̊cm
	n-tipo 3C-N		≤ 0,8 mΩ ̊cm		≤ 1 m Ω ̊cm
Principale posizione:orientamento piatto primario		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
主定位边长度 Lunghezza primaria piatta			32.5 mm ± 2,0 mm
Secondary Flat Length Lungozza secondaria piatta			18.0 mm ± 2,0 mm
2° orientamento			Silicone verso l'alto: 90° CW. da Prime flat ± 5,0°
边缘去除 L'esclusione di bordo			3 mm		6 mm
局部厚度变化/总厚度变化/??曲度/??曲度 LTV/TTV/Bow /Warp			≤ 2,5 μm/≤ 5 μm/≤ 15 μm/≤ 30 μm		≤ 10 μm/≤ 15 μm/≤ 25 μm/≤ 40 μm
表面粗度 ※ Ruvidità			Ra≤1 nm polacco
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
边缘裂纹 (强光灯观测) Fessure di bordo da luce ad alta intensità			Nessuna		Lunghezza cumulativa ≤ 10 mm, lunghezza singola ≤ 2 mm
六方空洞 ((强光灯测)) ※ Piastre esattive con luce ad alta intensità			Superficie cumulata ≤ 0,05%		Superficie cumulata ≤ 0,1%
多型 ((强光灯观测) ※ Polytypes Areas By High Intensity Light (Aree di politipi con luce ad alta intensità)			Nessuna		Superficie cumulativa ≤ 3%
Inclusioni di carbonio visivo			Superficie cumulata ≤ 0,05%		Superficie cumulata ≤ 3%
# La superficie del silicio graffiata dalla luce ad alta intensità			Nessuna		Lunghezza cumulativa ≤ 1 × diametro della wafer
崩边 ((强光灯观测) Chips di bordo High By Intensity Light			Nessuna ammissibile larghezza e profondità ≥ 0,2 mm		5 consentiti, ≤ 1 mm ciascuno
Inquinamento della superficie del silicio ad alta intensità			Nessuna
包装 Imballaggio			Cassette a più wafer o contenitori a singola wafer

Proprietà del wafer al carburo di silicio 6H P-Type e 4H P-Type

Le proprietà dei wafer di carburo di silicio (SiC) sia nei politipi di tipo 6H che in quelli di tipo 4H P, in particolare con produzione a densità di micropipe zero (Zero MPD) e gradi fittizi, sono le seguenti:

Struttura cristallina:

6H-SiC: Struttura esagonale con sei doppi strati, che fornisce una minore mobilità elettronica ma una maggiore conduttività termica.

4H-SiC: Struttura esagonale con quattro doppi strati, che offre una maggiore mobilità elettronica e prestazioni migliori nei dispositivi ad alta potenza e ad alta frequenza.

Conduttività di tipo P:

Entrambi i wafer sono dopati per creare conduttività di tipo P (impurezze accettatrici come boro o alluminio), rendendoli ideali per dispositivi di potenza che richiedono il flusso di portatori di carica positiva (fori).

Densità zero di micropipe (zero MPD):

Questi wafer sono prodotti senza micropipes, che sono difetti che possono indebolire l'affidabilità del dispositivo.

Largo intervallo:

Entrambi i politipi hanno ampi intervalli di banda, con 4H-SiC a 3,26 eV e 6H-SiC a 3,0 eV, consentendo il funzionamento ad alte tensioni e temperature.

Conduttività termica:

I Wafer SiC possiedono un'elevata conduttività termica, cruciale per un'efficiente dissipazione del calore nell'elettronica ad alta potenza.

Alta tensione di rottura:

Sia i Wafer SiC 6H che i Wafer SiC 4H hanno campi elettrici ad alta ripartizione, che li rendono adatti per applicazioni ad alta tensione.

Diametro:

I wafer sono disponibili in diametri da 4 e 6 pollici, supportando varie dimensioni di fabbricazione dei dispositivi e standard industriali.

Queste proprietà rendono essenziali i wafer SiC 6H e 4H di tipo P con MPD Zero per l'elettronica ad alte prestazioni, i dispositivi RF e le applicazioni in ambienti estremi.

Mostra di Wafer di Carburo di Silicio 6H P-Type e 4H P-Type

Applicazione di wafer al carburo di silicio 6H tipo P e 4H tipo P

I wafer in silicio carburo (SiC) di tipo P 6H e 4H con densità di micropipeta zero (Zero MPD) hanno diverse applicazioni a causa delle loro proprietà elettriche, termiche e meccaniche superiori.Le principali applicazioni comprendono::

Elettronica di potenza:

Sia i Wafer SiC 6H che i Wafer SiC 4H sono utilizzati in dispositivi elettronici ad alta potenza come MOSFET, diodi Schottky e tiristori.sistemi di energia rinnovabile (inverter solari), turbine eoliche), e sistemi di alimentazione industriale a causa della loro capacità di gestire alte tensioni, temperature ed efficienze.

Dispositivi ad alta frequenza:

Il 4H-SiC, con la sua maggiore mobilità elettronica, è particolarmente adatto ai dispositivi RF e a microonde utilizzati nei sistemi radar, nelle comunicazioni satellitari e nelle infrastrutture wireless.Questi dispositivi traggono vantaggio dalla capacità del SiC di funzionare ad alte frequenze con basse perdite di energia.

Aerospaziale e difesa:

L'elevata conduttività termica, la resistenza alle radiazioni e la MPD zero rendono i Wafer SiC ideali per applicazioni aerospaziali e di difesa, come amplificatori di potenza, sensori,e sistemi di comunicazione che operano in ambienti estremi.

Veicoli elettrici:

I Wafer SiC sono componenti chiave dei propulsori dei veicoli elettrici, compresi caricabatterie e inverter di bordo, migliorando l'efficienza energetica, aumentando l'autonomia e riducendo la generazione di calore nelle auto elettriche.

Elettronica ad alta temperatura:

La capacità di resistere a temperature elevate senza degradazione le rende ideali per le attrezzature industriali, l'esplorazione di petrolio e gas,e sistemi di esplorazione spaziale che devono funzionare in modo affidabile in ambienti termici difficili.

Energia rinnovabile:

I dispositivi di alimentazione basati sul SiC contribuiscono ad aumentare l'efficienza della conversione dell'energia nei sistemi di energia solare ed eolica riducendo al minimo le perdite di energia e consentendo il funzionamento ad alte tensioni e temperature.

Dispositivi medici:

I Wafer SiC sono utilizzati anche in tecnologie mediche avanzate, tra cui apparecchiature e dispositivi di imaging medica ad alta potenza che richiedono materiali durevoli e ad alte prestazioni.

Queste applicazioni sfruttano l'elevata efficienza, l'affidabilità e la capacità di funzionare in condizioni estreme dei wafer, rendendo i wafer SiC 6H e 4H P-Type indispensabili nella tecnologia all'avanguardia.

Domande e risposte

D:Quali sono i diversi tipi di carburo di silicio?

A: Il carburo di silicio (SiC) esiste in diversi politipi, che sono diverse strutture cristalline che risultano in diverse proprietà fisiche ed elettroniche.

4H-SiC (esagonale):

Struttura: Struttura cristallina esagonale con una sequenza ripetitiva a quattro strati.

Proprietà: ampio intervallo di banda (3,26 eV), elevata mobilità elettronica e alto campo elettrico di rottura.

Applicazioni: Preferito per applicazioni ad alta potenza, ad alta frequenza e ad alta temperatura come elettronica di potenza, veicoli elettrici e dispositivi RF grazie alle sue eccellenti prestazioni elettriche.

6H-SiC (esagonale):

Struttura: Struttura cristallina esagonale con una sequenza ripetuta a sei strati.

Proprietà: un intervallo di banda leggermente inferiore (3,0 eV) e una mobilità elettronica inferiore rispetto al 4H-SiC, ma offre comunque una elevata conducibilità termica e resistenza ad alta tensione.

Applicazioni: utilizzato in elettronica di potenza, commutazione ad alta tensione e dispositivi che richiedono una elevata stabilità termica.

3C-SiC (cubico):

StrutturaStruttura cristallina cubica, nota anche come beta-SiC.

Proprietà: ha un intervallo di banda più piccolo (2.3 eV) e presenta una elevata mobilità elettronica, ma è meno stabile termicamente delle forme esagonali.

Applicazioni: comunemente utilizzato in dispositivi optoelettronici, sensori e sistemi microelettromeccanici (MEMS).

15R-SiC (romboedrico):

Struttura: Struttura cristallina romboedrica con sequenza ripetitiva a 15 strati.

Proprietà: ha un intervallo di banda intermedio (2.86 eV) e mobilità elettronica tra 4H e 6H-SiC ma è meno comunemente usato.

Applicazioni: Raramente utilizzato in applicazioni commerciali a causa della disponibilità limitata e delle proprietà meno favorevoli rispetto ai politipi 4H e 6H.

Altri politipi (ad esempio, 2H-SiC, 8H-SiC, 27R-SiC):

Esistono oltre 200 politipi noti di SiC, ma questi sono meno comuni e non ampiamente utilizzati in applicazioni commerciali.Hanno sequenze di impilazione uniche e variazioni nelle loro proprietà elettroniche e termiche.

Principali differenze:

• Le principali differenze tra questi tipi risiedono nella loro sequenza di impilazione, nell'energia di bandgap, nella mobilità degli elettroni e nell'idoneità per applicazioni diverse.I tipi più significativi dal punto di vista commerciale sono 4H-SiC e 6H-SiC a causa delle loro proprietà elettriche superiori., elevata conduttività termica e capacità di funzionare in ambienti ad alta potenza, alta frequenza e alta temperatura.

Questi diversi politipi rendono il carburo di silicio un materiale versatile per varie applicazioni elettroniche e industriali ad alte prestazioni.