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Sic substrato
Created with Pixso. 4H-SEMI SiC Substrato di 2 pollici Spessore 350um 500um Prime/Dummy Grade Occhiali AR di grado ottico

4H-SEMI SiC Substrato di 2 pollici Spessore 350um 500um Prime/Dummy Grade Occhiali AR di grado ottico

Marchio: ZMSH
Numero di modello: Substrato SiC
Tempo di consegna: 2-4 settimane
Condizioni di pagamento: T/T
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Cina
Materiale:
Monocristallo SiC
Dia:
500,8 mm ± 0,38 mm
Grado:
Grado P o Grado D
Spessore:
350 mm o 500 mm
Orientamento:
Su asse: <0001> +/- 0,5 gradi
Resistività:
≥1E5 Ω·cm
Evidenziare:

Substrato di SiC 500um

,

Substrato SiC di grado P

,

Substrato SiC da 2 pollici

Descrizione di prodotto

Wafer SiC, Wafer al carburo di silicio, Substrato SiC, Substrato al carburo di silicio, Grado P, Grado D, SiC da 2 pollici, SiC da 4 pollici, SiC da 6 pollici, SiC da 8 pollici, SiC da 12 pollici, 4H-N, 4H-SEMI, 6H-N, tipo HPSI,  Vetri AR, Grado ottico


Informazioni su 4H-SEMI SiC4H-SEMI SiC Substrato di 2 pollici Spessore 350um 500um Prime/Dummy Grade Occhiali AR di grado ottico 0

 

  • utilizzare monocristalli SIC per produrre

 

  • supporta quelli personalizzati con opere d'arte di design

 

  • alta qualità, adatto per applicazioni ad alte prestazioni

 

  • elevata durezza, circa 9,2 Mohs

 

  • ampiamente utilizzato in aree high-tech, come elettronica di potenza, elettronica automobilistica e dispositivi RF


Descrizione di 4H-SEMI SiC

 

Il carburo di silicio (SiC) è un semiconduttore versatile rinomato per le sue prestazioni in applicazioni ad alta potenza e alta frequenza.

Il suo ampio bandgap consente un funzionamento efficiente ad alte tensioni e temperature, rendendolo adatto per l'elettronica di potenza, i dispositivi RF e ambienti difficili.

 

Il SiC è parte integrante di settori come l'automotive e l'energia grazie alla sua affidabilità ed efficienza.

Metodi di produzione avanzati, come la deposizione chimica da vapore (CVD) e il trasporto fisico da vapore (PVT), garantiscono componenti durevoli e di alta qualità.

 

4H-SEMI SiC Substrato di 2 pollici Spessore 350um 500um Prime/Dummy Grade Occhiali AR di grado ottico 1

 

Le proprietà uniche del SiC lo rendono ideale anche per l'optoelettronica a onde corte, ambienti ad alta temperatura, resistenza alle radiazioni e sistemi elettronici esigenti.

ZMSH offre una gamma di wafer SiC, inclusi i tipi 6H e 4H, indipendentemente dal tipo N, dal tipo SEMI o dal tipo HPSI, garantendo alta qualità, fornitura stabile ed economicità attraverso processi di produzione su larga scala.


 

Caratteristiche di 4H-SEMI SiC

 

Specifiche del substrato in carburo di silicio semi-isolante 4H da 4 pollici di diametro
PROPRIETÀ DEL SUBSTRATO Grado di produzione Grado fittizio
Diametro 50,8,0 mm +0,0/-0,38 mm
Orientamento della superficie on-axis: {0001} ± 0,2°
Orientamento piatto primario <11-20> ± 5,0˚
Orientamento piatto secondario 90,0˚ CW dal primario ± 5,0˚, lato silicio rivolto verso l'alto
Lunghezza piatta primaria 32,5 mm ± 2,0 mm
Lunghezza piatta secondaria 18,0 mm ± 2,0 mm
Bordo del wafer Smusso
Densità micropipe ≤5 micropipe/cm2 ≤50 micropipe/cm2
Aree politipo per luce ad alta intensità Nessuno permesso ≤10% area
Resistività 0,015~0,028Ω·cm (area 75%)
0,015~0,028Ω·cm
Spessore 350,0 μm ± 25,0 μm o 500,0 μm ± 25,0 μm
TTV ≤10 μm ≤15 μm
BOW (valore assoluto) ≤25 μm ≤30 μm
Deformazione ≤45 μm
Finitura superficiale Lucidatura su entrambi i lati, CMP lato Si (lucidatura chimica)
Rugosità superficiale CMP Si Face Ra≤0,5 nm N/A
Fessure per luce ad alta intensità Nessuno permesso
Schegge/rientranze dei bordi per illuminazione diffusa Nessuno permesso Quantità 2<1,0 mm di larghezza e profondità
Area totale utilizzabile ≥90% N/A
Nota: sono accettabili specifiche personalizzate diverse dai parametri sopra indicati.

 

 

Altri campioni di 4H-SEMI SiC

4H-SEMI SiC Substrato di 2 pollici Spessore 350um 500um Prime/Dummy Grade Occhiali AR di grado ottico 2

*Non esitate a contattarci se avete richieste personalizzate.

 

 

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4H-SEMI SiC Substrato di 2 pollici Spessore 350um 500um Prime/Dummy Grade Occhiali AR di grado ottico 4

 

FAQ

1. QIn che modo 4H-SiC Semi garantisce la qualità dei suoi wafer?

    A: 4H-SiC Semi impiega tecniche di produzione avanzate, tra cui la deposizione chimica da vapore (CVD) e il trasporto fisico da vapore (PVT), e segue rigorosi processi di controllo qualità per garantire wafer di alta qualità.

 

2. Q: Qual è la principale differenza tra 4H-N SiC e 4H-SEMI SiC

    A: La principale differenza tra 4H-N SiC e 4H-SEMI SiC è che 4H-N SiC (drogato con azoto) è carburo di silicio semiconduttore di tipo n, mentre 4H-Semi SiC è carburo di silicio semi-isolante, che è stato elaborato per avere una resistività molto elevata.



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4H-SEMI, #Substrato SiC, #2 pollici, #Spessore 350um 500um, #Grado Prime/Dummy, #Vetri AR, #Grado ottico