Marchio: | ZMSH |
Numero di modello: | Substrato SiC |
Tempo di consegna: | 2-4 settimane |
Condizioni di pagamento: | T/T |
Wafer SiC, Wafer al carburo di silicio, Substrato SiC, Substrato al carburo di silicio, Grado P, Grado D, SiC da 2 pollici, SiC da 4 pollici, SiC da 6 pollici, SiC da 8 pollici, SiC da 12 pollici, 4H-N, 4H-SEMI, 6H-N, tipo HPSI, Vetri AR, Grado ottico
Informazioni su 4H-SEMI SiC
Descrizione di 4H-SEMI SiC
Il carburo di silicio (SiC) è un semiconduttore versatile rinomato per le sue prestazioni in applicazioni ad alta potenza e alta frequenza.
Il suo ampio bandgap consente un funzionamento efficiente ad alte tensioni e temperature, rendendolo adatto per l'elettronica di potenza, i dispositivi RF e ambienti difficili.
Il SiC è parte integrante di settori come l'automotive e l'energia grazie alla sua affidabilità ed efficienza.
Metodi di produzione avanzati, come la deposizione chimica da vapore (CVD) e il trasporto fisico da vapore (PVT), garantiscono componenti durevoli e di alta qualità.
Le proprietà uniche del SiC lo rendono ideale anche per l'optoelettronica a onde corte, ambienti ad alta temperatura, resistenza alle radiazioni e sistemi elettronici esigenti.
ZMSH offre una gamma di wafer SiC, inclusi i tipi 6H e 4H, indipendentemente dal tipo N, dal tipo SEMI o dal tipo HPSI, garantendo alta qualità, fornitura stabile ed economicità attraverso processi di produzione su larga scala.
Caratteristiche di 4H-SEMI SiC
Specifiche del substrato in carburo di silicio semi-isolante 4H da 4 pollici di diametro | ||
PROPRIETÀ DEL SUBSTRATO | Grado di produzione | Grado fittizio |
Diametro | 50,8,0 mm +0,0/-0,38 mm | |
Orientamento della superficie | on-axis: {0001} ± 0,2° | |
Orientamento piatto primario | <11-20> ± 5,0˚ | |
Orientamento piatto secondario | 90,0˚ CW dal primario ± 5,0˚, lato silicio rivolto verso l'alto | |
Lunghezza piatta primaria | 32,5 mm ± 2,0 mm | |
Lunghezza piatta secondaria | 18,0 mm ± 2,0 mm | |
Bordo del wafer | Smusso | |
Densità micropipe | ≤5 micropipe/cm2 | ≤50 micropipe/cm2 |
Aree politipo per luce ad alta intensità | Nessuno permesso | ≤10% area |
Resistività | 0,015~0,028Ω·cm | (area 75%) |
0,015~0,028Ω·cm | ||
Spessore | 350,0 μm ± 25,0 μm o 500,0 μm ± 25,0 μm | |
TTV | ≤10 μm | ≤15 μm |
BOW (valore assoluto) | ≤25 μm | ≤30 μm |
Deformazione | ≤45 μm | |
Finitura superficiale | Lucidatura su entrambi i lati, CMP lato Si (lucidatura chimica) | |
Rugosità superficiale | CMP Si Face Ra≤0,5 nm | N/A |
Fessure per luce ad alta intensità | Nessuno permesso | |
Schegge/rientranze dei bordi per illuminazione diffusa | Nessuno permesso | Quantità 2<1,0 mm di larghezza e profondità |
Area totale utilizzabile | ≥90% | N/A |
Nota: sono accettabili specifiche personalizzate diverse dai parametri sopra indicati. |
Altri campioni di 4H-SEMI SiC
*Non esitate a contattarci se avete richieste personalizzate.
Consigli sui prodotti simili
2.4H-N Substrato in carburo di silicio SiC 8 pollici Spessore 350um 500um Grado P Grado D Wafer SiC
FAQ
1. Q: In che modo 4H-SiC Semi garantisce la qualità dei suoi wafer?
A: 4H-SiC Semi impiega tecniche di produzione avanzate, tra cui la deposizione chimica da vapore (CVD) e il trasporto fisico da vapore (PVT), e segue rigorosi processi di controllo qualità per garantire wafer di alta qualità.
2. Q: Qual è la principale differenza tra 4H-N SiC e 4H-SEMI SiC
A: La principale differenza tra 4H-N SiC e 4H-SEMI SiC è che 4H-N SiC (drogato con azoto) è carburo di silicio semiconduttore di tipo n, mentre 4H-Semi SiC è carburo di silicio semi-isolante, che è stato elaborato per avere una resistività molto elevata.
Tag: #4H-SEMI, #Substrato SiC, #2 pollici, #Spessore 350um 500um, #Grado Prime/Dummy, #Vetri AR, #Grado ottico