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Buon prezzo Substrato d'isolamento semi- del carburo di silicio, sic elevata purezza del wafer 4H in linea
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M.-asse Undoped HVPE GAN Wafers For di 10X10mm semiconduttore

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Wafer cristallizzato del nitruro di gallio di HVPE GaN per il dispositivo del laser

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Wafer porpora a 2 pollici del wafer SSP LED di GaN Sapphire LED Epi

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i substrati del orSapphire dello GaN-su-zaffiro 6Inch hanno basato il HEMT principale blu del Epi-wafer

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Wafer del nitruro di gallio del wafer di GaN di efficienza di alto potere per illuminazione di ottimo rendimento

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AlN sui film epitassiali di Diamond Template Wafers AlN su Diamond Substrate

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4" wafer del nitruro di gallio

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4'' 200nm AlScN Su Wafer di Silicio SSP DSP Substrati Epitaxiali Per Dispositivi LED

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4' 6' AIN sui substrati di silicio SSP DSP Wafers semiconduttori 100nm 200nm strato

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l'elevata purezza fittizia 4h-semi del carburo di silicio del grado della ricerca di produzione non-ha verniciato sic il wafer trasparente

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Substrato d'isolamento semi- del carburo di silicio, sic elevata purezza del wafer 4H

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