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Wafer di arseniuro di gallio (GaAs) drogato con zinco da 2 pollici per applicazioni con diodi laser e LED

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December 29, 2025
Connessione Categoria: Wafer di GaAs
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#wafer dell'arseniuro dell'indio #wafer di gaas #substrato laalo3
Riassunto: Ti chiedi come si confronta questo materiale semiconduttore ad alte prestazioni con altre opzioni? In questo video, forniamo una panoramica dettagliata del wafer da 2 pollici di arseniuro di gallio (GaAs) drogato con zinco, mostrandone le caratteristiche principali e il processo di produzione. Vedrai come il suo metodo di crescita dei cristalli VGF e il drogaggio dello zinco forniscono proprietà stabili di tipo p, rendendolo ideale per la fabbricazione di LED, diodi laser e dispositivi optoelettronici. Dimostreremo inoltre le superfici lucide del wafer, le opzioni di orientamento e i controlli di qualità che garantiscono prestazioni affidabili sia negli ambienti di ricerca che di produzione.
Caratteristiche del prodotto correlate:
  • Prodotto utilizzando il metodo di crescita dei cristalli Vertical Gradient Freeze (VGF) per una struttura cristallina di alta qualità.
  • Il drogaggio dello zinco fornisce caratteristiche elettriche di tipo p stabili e uniformi per prestazioni affidabili del dispositivo.
  • Presenta l'orientamento del cristallo (100) con opzioni per l'orientamento errato di 2°, 6° o 15° (110).
  • Offre una concentrazione di portatori controllata compresa tra (0,3 - 1,0) × 10¹⁸ cm⁻³ per proprietà elettriche costanti.
  • Fornisce una bassa densità di attacco di ≤ 5.000 cm⁻² e un'elevata mobilità Hall di 1.500 - 3.000 cm²/V*s.
  • Include finiture superficiali lucide (P/P o P/E) con controllo rigoroso di planarità, curvatura e deformazione per una lavorazione avanzata.
  • Supporta piani di orientamento opzionali, configurazioni con tacche e marcatura laser sul retro per un'identificazione flessibile.
  • Adatto per l'uso diretto nei processi di crescita epitassiale MBE o MOCVD con bassa contaminazione di particelle.
FAQ:
  • Questo wafer GaAs è adatto per la produzione di LED e diodi laser?
    SÌ. Le caratteristiche elettriche di tipo p drogato con Zn, combinate con l'orientamento (100) e la concentrazione controllata dei portatori, supportano un'emissione di luce stabile e prestazioni costanti del dispositivo nella produzione di LED e diodi laser.
  • Questo wafer può essere utilizzato direttamente per la crescita epitassiale?
    SÌ. Il wafer viene fornito con superfici lucide, bassa contaminazione di particelle e rigoroso controllo della planarità, consentendo l'uso diretto nei processi di crescita epitassiale MBE o MOCVD.
  • Le specifiche del wafer possono essere personalizzate per diversi requisiti di processo?
    SÌ. Opzioni quali piani di orientamento, configurazione con tacca, marcatura laser sul retro, finitura superficiale e parametri elettrici selezionati possono essere regolati su richiesta per soddisfare esigenze specifiche di apparecchiature e processi.
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