| Marchio: | ZMSH |
| MOQ: | 100 |
| Tempo di consegna: | 2-4 SETTIMANE |
| Condizioni di pagamento: | T/T |
Il composito termoconduttivo diamante-rame è un materiale avanzato fabbricato tramite processo batch PVD di polveri di diamante. Combina alta conduttività termica, coefficiente di espansione termica (CTE) regolabile, elevata resistenza meccanica e affidabile stabilità termica, rendendolo ideale per elettronica di potenza, semiconduttori, laser e substrati compositi ad alte prestazioni.
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Alta conduttività termica: la conduttività termica supera i 700 W/m·K, fornendo una dissipazione del calore superiore
CTE regolabile: può essere regolato a 5–12 ppm/K combinando con rame o compositi (CPC, CMC), riducendo il rischio di rottura dei giunti di saldatura
Elevata resistenza meccanica: resistenza alla flessione >300 MPa, garantendo alta affidabilità
Affidabile stabilità termica: resiste a shock termici da -65°C a 150°C per 1000 cicli con <5% di degrado delle prestazioni
Eccellente saldabilità: supporta la saldatura rame e argento, facile integrazione con componenti elettronici
Conveniente e scalabile: il processo avanzato consente la produzione uniforme su larga scala
| Parametro | Unità | Valore | Metodo di prova |
|---|---|---|---|
| Spessore | mm | >0.3 | Ispezione visiva |
| Densità | g/cm³ | 6.25 | ASTM B311-19 |
| Rugosità superficiale | µm | <0.5 | ASTM A370 |
| Parallelismo | mm | <0.02 | ASTM E831-19 |
| Resistenza alla flessione | MPa | >300 | ASTM D5470 |
| Conduttività termica | W/m·K | >700 | ASTM D5470 |
| Coefficiente di espansione termica (CTE) | ppm/K | 5–10 | ASTM E831-19 |
| Stabilità termica | °C | -65–150, 1000 shock termici <5% di degrado delle prestazioni | — |
| Saldabilità | — | Saldabile con rame / argento | — |
Raffreddamento di componenti elettronici ad alta potenza: sostituisce i tradizionali substrati in rame, riducendo significativamente le temperature dei punti caldi
Substrati compositi: può essere pressato con CPC o CMC per preparare compositi diamante-rame-CMC, controllando il CTE complessivo a 9–12 ppm/K
Compositi completamente incapsulati in rame: sostituisce il rame puro nei moduli ad alta potenza per migliorare le prestazioni termiche e l'affidabilità
Spessore, conduttività termica e CTE personalizzabili in base alle esigenze del progetto
Supporta vari trattamenti superficiali e design strutturali per complesse esigenze ingegneristiche
Capacità di lavorazione e fabbricazione
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FAQ
I compositi diamante-rame offrono una conduttività termica significativamente più elevata (≥700 W/m·K) rispetto al rame puro, consentendo al contempo di personalizzare il coefficiente di espansione termica (CTE) tra 5–10 ppm/K. Questo riduce il disadattamento termico con chip e substrati semiconduttori, riducendo il rischio di guasto dei giunti di saldatura. Inoltre, i materiali diamante-rame offrono maggiore rigidità e migliore stabilità termica durante i cicli termici ripetuti.
Sì. Regolando il contenuto di diamante, la struttura della matrice di rame e l'architettura composita, la conduttività termica, lo spessore e il CTE possono essere controllati con precisione. Il materiale può anche essere laminato o co-pressato con substrati CPC o CMC, consentendo di regolare il CTE complessivo a 9–12 ppm/K per una maggiore affidabilità nei moduli elettronici ad alta potenza.
Il composito è progettato per supportare la lavorazione di precisione e può essere fornito con rugosità superficiale e parallelismo controllati. È compatibile con la saldatura rame e argento, consentendo una facile integrazione nei processi di confezionamento e assemblaggio esistenti. Il materiale mantiene prestazioni stabili dopo 1000 cicli di shock termico da –65°C a 150°C, garantendo un'affidabilità a lungo termine.