| Marchio: | ZMSH |
| MOQ: | 10 |
| Tempo di consegna: | 2-4 settimane |
| Condizioni di pagamento: | T/T |
4 pollici C-Plane SSP Sapphire Substrate Al2O3 per applicazioni LED e ottiche
Visualizzazione
I nostri substrati di zaffiro SSP (Single Side Polished) da 4 pollici a piano C sono wafer monocristallini Al2O3 di alta purezza progettati per applicazioni avanzate di semiconduttori, optoelettronica e ottica.di larghezza superiore a 20 mm, stabilità termica e trasparenza ottica, queste onde sono ideali per la crescita epitassica di GaN, AlN e altri composti III-V o II-VI utilizzati in LED, diodi laser,e componenti ottici ad alta precisione.
![]()
![]()
Caratteristiche chiave
Zaffiro monocristallino di alta purezza (Al2O3)
Orientamento del piano C (0001) con tolleranza stretta ±0,3°
Superficie lucidata da un solo lato (SSP), Ra anteriore < 0,2 nm
eccellente piattezza e bassa curvatura (< 15 μm)
Alta stabilità termica e chimica per ambienti difficili
Asse, diametro e spessore personalizzabili disponibili
Specificità
| Parametro | Specificità |
|---|---|
| Diametro | 100 mm ± 0,3 mm (4 pollici) |
| Orientazione | Piano C (0001), ±0,3° |
| Spessore | 650 μm ± 15 μm |
| Inchinati. | < 15 μm |
| Superficie anteriore | Polito a lato unico (Ra < 0,2 nm) |
| Superficie posteriore | Fino (Ra 0,8 ∼1,2 μm) |
| TTV (variazione totale dello spessore) | ≤ 20 μm |
| LTV (Variazione dello spessore locale) | ≤ 20 μm |
| Warp. | ≤ 20 μm |
| Materiale | > 99,99% di Al2O3 di alta purezza |
Proprietà meccaniche e termiche
Durezza di Mohs: 9 (secondo solo al diamante)
Conduttività termica: 25 W/m·K
Punto di fusione: 2045°C
La bassa espansione termica garantisce la stabilità dimensionale
Proprietà ottiche ed elettroniche
Trasparenza ottica: 190 nm 5500 nm
Indice di rifrazione: ~ 1.76
Resistenza intrinseca: 1E16 Ω·cm
Eccellente isolante con basse perdite dielettriche
Applicazioni
Substrato per GaN, AlN e crescita epitaxiale III-V o II-VI
Produzione di LED blu, verdi e bianchi
Substrati a diodo laser (LD)
Componenti e finestre ottiche a infrarossi (IR)
Ottica di alta precisione e microelettronica
Dispositivi SOS (Silicone su zaffiro) e RFIC
Perché scegliere C-Plane Sapphire?
Lo zaffiro a piano C presenta un'elevata anisotropia, un'eccellente resistenza agli graffi e una bassa perdita dielettrica, il che lo rende ideale per applicazioni semiconduttrici, ottiche e microelettroniche.La sua struttura cristallina consente una crescita epitaxiale di alta qualità con una minima disadattamento del reticolo per i LED a base di GaN e altri dispositivi a film sottile.
Imballaggio e spedizione
Imballaggio standard per la stanza pulita (classe 100), singolo wafer o cassetta
Sigillato sotto vuoto per la consegna senza contaminazione
Imballaggio su richiesta
Domande frequenti
D:Qual è la differenza tra le wafer di zaffiro SSP e DSP?
A:SSP è lucidato da un lato, adatto per la crescita epitassale sul lato lucidato; DSP è lucidato da due lati, fornendo superfici ultrapiatte su entrambi i lati per applicazioni ottiche di fascia alta.
D:La wafer puo' essere personalizzata?
A:Sì, accettiamo diametri personalizzati, spessori e orientamento dell'asse secondo le specifiche del cliente.
D:Quali sono le applicazioni comuni per i wafer di zaffiro a piano C da 4 pollici?
A:Sono ampiamente utilizzati per substrati GaN LED, substrati di diodi laser, finestre IR, dispositivi SOS e altre applicazioni optoelettroniche o semiconduttori ad alta precisione.
Prodotti correlati