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Dettagli dei prodotti

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Wafer dello zaffiro
Created with Pixso. Substrato di zaffiro SSP C-Plane da 4 pollici Al₂O₃ per applicazioni LED e ottiche

Substrato di zaffiro SSP C-Plane da 4 pollici Al₂O₃ per applicazioni LED e ottiche

Marchio: ZMSH
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-4 settimane
Condizioni di pagamento: T/T
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Shanghai, Cina
Diametro:
100 mm ± 0,3 mm (4 pollici)
Orientamento:
Piano C (0001), ±0,3°
Spessore:
650 µm ± 15 µm
Arco:
<15 µm
Superficie anteriore:
Lato singolo lucido (Ra <0,2 nm)
Superficie posteriore:
Macinato fine (Ra 0,8–1,2 µm)
TTV (Variazione dello spessore totale):
≤ 20 µm
LTV (Variazione dello spessore locale):
≤ 20 µm
Ordito:
≤ 20 µm
Materiale:
>99,99% Al₂O₃ di elevata purezza
Descrizione di prodotto

4 pollici C-Plane SSP Sapphire Substrate Al2O3 per applicazioni LED e ottiche


Visualizzazione


I nostri substrati di zaffiro SSP (Single Side Polished) da 4 pollici a piano C sono wafer monocristallini Al2O3 di alta purezza progettati per applicazioni avanzate di semiconduttori, optoelettronica e ottica.di larghezza superiore a 20 mm, stabilità termica e trasparenza ottica, queste onde sono ideali per la crescita epitassica di GaN, AlN e altri composti III-V o II-VI utilizzati in LED, diodi laser,e componenti ottici ad alta precisione.


Substrato di zaffiro SSP C-Plane da 4 pollici Al₂O₃ per applicazioni LED e ottiche 0Substrato di zaffiro SSP C-Plane da 4 pollici Al₂O₃ per applicazioni LED e ottiche 1


Caratteristiche chiave


  • Zaffiro monocristallino di alta purezza (Al2O3)

  • Orientamento del piano C (0001) con tolleranza stretta ±0,3°

  • Superficie lucidata da un solo lato (SSP), Ra anteriore < 0,2 nm

  • eccellente piattezza e bassa curvatura (< 15 μm)

  • Alta stabilità termica e chimica per ambienti difficili

  • Asse, diametro e spessore personalizzabili disponibili


Specificità



Parametro Specificità
Diametro 100 mm ± 0,3 mm (4 pollici)
Orientazione Piano C (0001), ±0,3°
Spessore 650 μm ± 15 μm
Inchinati. < 15 μm
Superficie anteriore Polito a lato unico (Ra < 0,2 nm)
Superficie posteriore Fino (Ra 0,8 ∼1,2 μm)
TTV (variazione totale dello spessore) ≤ 20 μm
LTV (Variazione dello spessore locale) ≤ 20 μm
Warp. ≤ 20 μm
Materiale > 99,99% di Al2O3 di alta purezza


Proprietà meccaniche e termiche


  • Durezza di Mohs: 9 (secondo solo al diamante)

  • Conduttività termica: 25 W/m·K

  • Punto di fusione: 2045°C

  • La bassa espansione termica garantisce la stabilità dimensionale


Proprietà ottiche ed elettroniche


  • Trasparenza ottica: 190 nm 5500 nm

  • Indice di rifrazione: ~ 1.76

  • Resistenza intrinseca: 1E16 Ω·cm

  • Eccellente isolante con basse perdite dielettriche


Applicazioni


  • Substrato per GaN, AlN e crescita epitaxiale III-V o II-VI

  • Produzione di LED blu, verdi e bianchi

  • Substrati a diodo laser (LD)

  • Componenti e finestre ottiche a infrarossi (IR)

  • Ottica di alta precisione e microelettronica

  • Dispositivi SOS (Silicone su zaffiro) e RFIC


Perché scegliere C-Plane Sapphire?


Lo zaffiro a piano C presenta un'elevata anisotropia, un'eccellente resistenza agli graffi e una bassa perdita dielettrica, il che lo rende ideale per applicazioni semiconduttrici, ottiche e microelettroniche.La sua struttura cristallina consente una crescita epitaxiale di alta qualità con una minima disadattamento del reticolo per i LED a base di GaN e altri dispositivi a film sottile.


Imballaggio e spedizione


  • Imballaggio standard per la stanza pulita (classe 100), singolo wafer o cassetta

  • Sigillato sotto vuoto per la consegna senza contaminazione

  • Imballaggio su richiesta


Domande frequenti


D:Qual è la differenza tra le wafer di zaffiro SSP e DSP?


A:SSP è lucidato da un lato, adatto per la crescita epitassale sul lato lucidato; DSP è lucidato da due lati, fornendo superfici ultrapiatte su entrambi i lati per applicazioni ottiche di fascia alta.


D:La wafer puo' essere personalizzata?


A:Sì, accettiamo diametri personalizzati, spessori e orientamento dell'asse secondo le specifiche del cliente.


D:Quali sono le applicazioni comuni per i wafer di zaffiro a piano C da 4 pollici?


A:Sono ampiamente utilizzati per substrati GaN LED, substrati di diodi laser, finestre IR, dispositivi SOS e altre applicazioni optoelettroniche o semiconduttori ad alta precisione.


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