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Macchina per l'incisione a fascio ionico di materiali Si/SiO2/Metalli

Marchio:	ZMSH
Numero di modello:	Macchina per incisione del raggio ionico
MOQ:	3
prezzo:	by case
Tempo di consegna:	3-6 mesi
Condizioni di pagamento:	T/t

Informazioni dettagliate

Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Cina

Certificazione:

rohs

Materiale di lavoro:

Au (oro), PT (platino), cu (rame)

Applicazioni:

Produzione di semiconduttori, dispositivi ottici

Vantaggio:

Ad alta precisione, incisione non selettiva

Precisione:

10 nanometri o meno

Materiale di attacco:

SI/SIO2/Metals

Imballaggi particolari:

Pacchetto in sala di pulizia di 100 gradi

Evidenziare:

Macchina per l'incisione a fascio ionico Si/SiO2

Apparecchiatura per l'incisione di materiali metallici

Incisa a fascio ionico per semiconduttori

Descrizione di prodotto

Introduzione all'attrezzatura per l'incisione a fascio ionico

Macchina per l'incisione a fascio ionico di materiali Si/SiO2/Metalli

L'incisione a fascio ionico, nota anche come ion milling, è una tecnologia di incisione a secco non selettiva e anisotropa. Il suo principio fondamentale prevede l'utilizzo di un fascio ionico ad alta energia ampio e collimato, generato da una sorgente ionica, per bombardare la superficie del pezzo in un ambiente sottovuoto, rimuovendo così il materiale attraverso lo sputtering fisico. A differenza dell'incisione al plasma, il campione non è esposto direttamente al plasma, evitando così danni elettrici e contaminazione causati dal plasma e consentendo un migliore controllo del processo.

Macchina per l'incisione a fascio ionico di materiali Si/SiO2/Metalli 0

Riepilogo e analisi dei sottosistemi chiave nei sistemi di incisione a fascio ionico

Un sistema di incisione a fascio ionico è tipicamente composto dai seguenti sottosistemi chiave:

Sottosistema	Funzione principale	Punti tecnici chiave e impatto
Sistema a vuoto	Fornisce un ambiente ad alto vuoto	Determina la pulizia del processo, la stabilità del fascio e la precisione finale.
Sorgente ionica	Genera ed estrae il fascio ionico	Determina la velocità di incisione, l'uniformità, i tipi di gas disponibili e l'affidabilità dell'apparecchiatura (sorgente RF vs. sorgente Kaufman).
Piano portacampioni	Fissa e manipola i campioni	La funzione di rotazione è fondamentale per ottenere l'incisione anisotropa; il controllo della temperatura influisce sulla finestra di processo.
Sistema di controllo	Controllo del processo completamente automatizzato	Garantisce la ripetibilità e la precisione del processo; il rilevamento del punto finale migliora la capacità del processo.
Neutralizzatore	Neutralizza la carica del fascio ionico	Previene i danni da carica sui materiali isolanti; essenziale per l'incisione di materiali dielettrici.

Principi fondamentali dell'incisione a fascio ionico

L'incisione a fascio ionico (IBE) è una tecnologia avanzata di micro/nano fabbricazione che utilizza un fascio ionico ad alta energia per rimuovere materiale dalla superficie, consentendo il trasferimento preciso del modello.

Il principio dell'incisione a fascio ionico prevede un fascio ionico ad alta energia (tipicamente ioni argon) generato da una sorgente ionica, che bombarda la superficie del materiale verticalmente o con un angolo obliquo. Gli ioni ad alta energia collidono con gli atomi sulla superficie del materiale, causando l'espulsione degli atomi e la rimozione del materiale strato per strato, ottenendo così l'incisione. Questo metodo di incisione può essere eseguito senza reazioni chimiche, appartenendo a un processo di incisione fisica.

Diagramma strutturale dell'attrezzatura per l'incisione a fascio ionico

Capacità di elaborazione:

Materiali: Au (oro), Pt (platino), Cu (rame), Ta (tantalo), AlN (nitruro di alluminio), Si (silicio), SiO₂ (biossido di silicio) e altri materiali a film sottile.

Macchina per l'incisione a fascio ionico di materiali Si/SiO2/Metalli 2

Flusso di processo:

Preparazione: Posizionare il campione da incidere in una camera a vuoto e pulire la superficie.
Preparazione della maschera: Coprire le aree da incidere con una maschera (ad esempio, fotoresist o film sottile metallico) per proteggere le regioni non incise.
Generazione del fascio ionico: Attivare la sorgente ionica per generare un fascio ionico ad alta energia, tipicamente utilizzando gas argon.
Processo di incisione: Controllare l'energia, l'angolo e il tempo di esposizione del fascio ionico per incidere il campione.
Rimozione della maschera: Al termine dell'incisione, rimuovere la maschera protettiva per ottenere la struttura finale modellata.

Diagramma schematico del processo di incisione a fascio ionico

Scenari applicativi delle apparecchiature per l'incisione a fascio ionico

1. Produzione di semiconduttori: Utilizzato per creare circuiti e modelli fini nella fabbricazione di circuiti integrati.

2. Dispositivi ottici: Applicato nella lavorazione di precisione di componenti ottici, come il trattamento superficiale di reticoli e lenti.

3. Nanotecnologia: Fabbricazione di nanostrutture e dispositivi, come nanopori e nanofili.

4. Scienza dei materiali: Utilizzato per studiare le proprietà fisiche e chimiche delle superfici dei materiali e per preparare materiali superficiali funzionali.

Macchina per l'incisione a fascio ionico di materiali Si/SiO2/Metalli 4

Vantaggi delle apparecchiature per l'incisione a fascio ionico

1. Vantaggi:

Alta precisione: Consente l'incisione di alta precisione su scala nanometrica.

Incisione non selettiva: In grado di incidere uniformemente vari materiali senza selettività chimica.

Superficie liscia: Risulta in una superficie post-incisione liscia con rugosità ridotta.

Incisione isotropa e anisotropa: Consente l'incisione in diverse direzioni controllando l'angolo del fascio ionico.

Macchina per l'incisione a fascio ionico di materiali Si/SiO2/Metalli 5

Caso di studio dell'incisione a fascio ionico (IBE)

2. Materiali che possono essere incisi:

Metalli: Oro, argento, rame, alluminio, ecc.
Materiali semiconduttori: Silicio (Si), arseniuro di gallio (GaAs), ecc.
Materiali isolanti: Ossido di silicio (SiO₂), nitruro di silicio (Si₃N₄), ecc.
Altri materiali: Polimeri, ceramiche, ecc.

3. Precisione di incisione:

La precisione dell'incisione a fascio ionico dipende principalmente dalla capacità di focalizzazione del fascio ionico, dalla risoluzione della maschera e dal controllo del tempo di incisione. In genere raggiunge una precisione di 10 nanometri o anche superiore, a seconda dei parametri specifici del processo e delle condizioni dell'apparecchiatura.

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Apparecchiature per l'incisione a fascio ionico FAQ

1. D: Cos'è l'incisione a fascio ionico?
R: L'incisione a fascio ionico (IBE) è un processo di incisione a secco che rimuove il materiale spruzzando fisicamente la superficie bersaglio con un fascio ampio e collimato di ioni ad alta energia in un alto vuoto.

2. D: Qual è la differenza tra l'incisione a fascio ionico e l'incisione reattiva con ioni?
R: La differenza fondamentale è che l'IBE è un processo puramente fisico in cui il campione è separato dalla sorgente ionica, mentre l'RIE combina sia il bombardamento fisico di ioni che le reazioni chimiche con il campione direttamente nel plasma.

Tag: #Macchina per l'incisione a fascio ionico, #Personalizzato, #Materiali Si/SiO2/Metalli

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