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​​Apparecchiatura di lucidatura monofacciale ad alta precisione per wafer di Si/SiC/materiali di zaffiro​​

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​​Apparecchiatura di lucidatura monofacciale ad alta precisione per wafer di Si/SiC/materiali di zaffiro​​

​​High-Precision Single-Side Polishing Equipment for Si Wafers/SiC/Sapphire Materials​​

Grande immagine :  ​​Apparecchiatura di lucidatura monofacciale ad alta precisione per wafer di Si/SiC/materiali di zaffiro​​

Dettagli:
Place of Origin: CHINA
Marca: ZMSH
Certificazione: rohs
Model Number: ​​High-Precision Single-Side Polishing Equipment
Termini di pagamento e spedizione:
Minimum Order Quantity: 3
Prezzo: by case
Packaging Details: package in 100-grade cleaning room
Delivery Time: 3-6 months
Payment Terms: T/T
Descrizione di prodotto dettagliata
Ability: 50mm/100mm/150mm/200mm Power voltage: 3×16+2*10 (㎜²)
Compressed air source: 0.5-0.6MPa Optimum Machining Size: 50-100 (mm)/50-150 (mm)/150-200 (mm)/200 (mm)
Materials​​: Si Wafers/SiC/Sapphire
Evidenziare:

Apparecchiatura di lucidatura monofacciale per wafer di Si

,

Macchina per la lucidatura di wafer di SiC

,

Apparecchiatura per la lucidatura di materiali di zaffiro

Riepilogo delle apparecchiature di lucidatura monofacciale ad alta precisione​

 

 

​​Apparecchiature di lucidatura monofacciale ad alta precisione per wafer di Si/SiC/materiali di zaffiro​​

 

 

 

L'apparecchiatura di lucidatura monofacciale ad alta precisione è uno strumento di lavorazione di precisione specializzato progettato per materiali duri e fragili (ad esempio, wafer di silicio per semiconduttori, carburo di silicio, arseniuro di gallio, zaffiro, quarzo, ceramica). Attraverso la rettifica rotazionale unidirezionale e la sinergia chimica, raggiunge una finitura superficiale ultra-elevata con planarità ≤0,01 mm e rugosità superficiale Ra ≤0,4 nm. Questa apparecchiatura è ampiamente utilizzata nell'assottigliamento dei wafer di semiconduttori, nella lucidatura di lenti ottiche, nella lavorazione di componenti di tenuta in ceramica e supporta sia la lavorazione di singoli pezzi che quella in lotti, migliorando significativamente l'efficienza e l'uniformità.

 

 

 

​​Apparecchiatura di lucidatura monofacciale ad alta precisione per wafer di Si/SiC/materiali di zaffiro​​ 0​​Apparecchiatura di lucidatura monofacciale ad alta precisione per wafer di Si/SiC/materiali di zaffiro​​ 1

 

 


 

Parametri tecnici delle apparecchiature di lucidatura monofacciale ad alta precisione

 

 

Categorie Articolo
Disco di lucidatura Diametro 820 (mm) 914 (mm) 1282 (mm) 1504 (mm)
Piastre in ceramica Diametro 305 (mm) 360 (mm) 485 (mm) 576 (mm)
  Dimensione ottimale di lavorazione 50-100 (mm) 50-150 (mm) 150-200 (mm) 200 (mm)
Potenza Disco di lucidatura 11 11 18.5 30
  Utensile di lucidatura / 0.75×4 2.2×4 2.2
Velocità di rotazione Disco di lucidatura 80 65 65 50
  Utensile di lucidatura / 65 65 50
Capacità 50mm 72 / / /
  100mm 20 28 56 /
  150mm / 12 24 /
  200mm / 4 12 20
Tensione di alimentazione 3×16+2*10 (㎜²)
Fonte di aria compressa 0.5-0.6MPa
Dimensioni / 1920×1125×1680 (mm) 1360×1330×2798 (mm) 2234×1780×2759 (mm) 1900×1900×2700 (mm)
Peso / 2000kg 3500kg 7500kg 11826kg

 

 


 

Principi di funzionamento delle apparecchiature di lucidatura monofacciale ad alta precisione​


​​Apparecchiatura di lucidatura monofacciale ad alta precisione per wafer di Si/SiC/materiali di zaffiro​​ 2

​​1. Rettifica meccanica​​:

  • Il disco di lucidatura superiore ruota a 0–90 RPM (regolabile), combinato con abrasivi (diamante, carburo di silicio) per lucidare per attrito la superficie del pezzo, rimuovendo strati di ossidazione e micro-difetti.

 

2. ​​Controllo della pressione​​:

  • Le valvole proporzionali elettro-pneumatiche e i cilindri consentono una precisa regolazione della pressione (15–1500 kg), adattandosi alla diversa durezza dei materiali.

 

3. ​​Raffreddamento e lubrificazione​​:

  • Un sistema di raffreddamento ad acqua a ricircolo (0,1–0,2 MPa) mantiene una temperatura costante (10–25°C) per sopprimere la deformazione termica, fornendo al contempo la sospensione di lucidatura per una maggiore rimozione del materiale.

​​

4. Controllo del movimento​​:

  • Il motore a frequenza variabile aziona la rotazione del disco inferiore. PLC e HMI consentono il controllo a circuito chiuso dei parametri di velocità, pressione e tempo, con ricette di processo preimpostate e commutazione con un clic.

 

 


 

Caratteristiche delle apparecchiature di lucidatura monofacciale ad alta precisione​

 
 

​​Categoria delle caratteristiche​​

 

​​Dettagli tecnici​​

 

​​Telaio ad alta rigidità

​​

Struttura integrata di fusione-forgiatura, capacità anti-deformazione superiore del 50%; il sistema di supporto idraulico a quattro punti garantisce vibrazioni <0,01 mm ad alte velocità.

 

​​Componenti internazionali​​

 

Le parti principali (ad esempio, riduttori, cuscinetti) utilizzano Germany SEW, Japan THK, Switzerland SKF, raggiungendo <0,005 mm di precisione di trasmissione; PLC Siemens + inverter Schneider per una regolazione continua della velocità da 0 a 180 RPM.

 

​​Interfaccia intelligente​​

 

Il touchscreen industriale da 10 pollici supporta ricette preimpostate (lucidatura grezza, lucidatura fine, riparazione del disco), monitoraggio in tempo reale (pressione/temperatura/velocità) e allarmi di spegnimento automatico (tasso di difetti <0,05%).

 

​​Configurazione flessibile​​

 

Dimensioni dei dischi di lucidatura da φ300 mm a φ1900 mm, adatte a pezzi da 3 a 1850 mm; opzioni di alimentazione da un singolo motore (7,5 kW) a più motori (30 kW totali), supportando l'aspirazione sottovuoto e il bloccaggio meccanico.

 

 

 


 

Applicazioni delle apparecchiature di lucidatura monofacciale ad alta precisione​

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1. Industria dei semiconduttori​​:

  • ​​Assottigliamento dei wafer​​: Assottigliamento dei wafer di carburo di silicio con tolleranza di spessore di ±0,5 μm per wafer da 8 pollici.
  • ​​Lucidatura di arseniuro di gallio/zaffiro blu​​: Rugosità superficiale Ra <0,4 nm per LED e dispositivi laser.

 

2. ​​Ottica e dispositivi di precisione​​:

  • ​​Lenti in vetro ottico/quarzo​​: Finitura a specchio (λ/20 per λ=632,8 nm) per obiettivi di fotocamere e microscopi.
  • ​​Anelli di tenuta in ceramica​​: Planarità <0,035 mm per pompe idrauliche ad alta pressione e valvole nucleari.

​​

3. Elettronica e nuova energia​​:

  • ​​Substrati ceramici/moduli IGBT​​: Consistenza dello spessore <3 μm per migliorare la dissipazione termica.
  • ​​Elettrodi per batterie al litio​​: Rugosità Ra <10 nm per ridurre la resistenza interna e la generazione di calore.

​​

4. Aerospaziale e difesa​​:

  • ​​Cuscinetti in acciaio al tungsteno/guarnizioni in titanio​​: Parallelismo <2 μm per ambienti con temperature/pressioni estreme.
  • ​​Vetro per finestre a infrarossi​​: Proprietà a bassa dispersione per telescopi e sistemi di guida missilistica.

 

 

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Apparecchiature di lucidatura monofacciale ad alta precisioneFAQ

 

 

​​1. D: Quali sono i principali vantaggi delle vostre apparecchiature di lucidatura monofacciale ad alta precisione?​​

     ​​R: Ottiene una precisione sub-micron con alta efficienza, ideale per wafer di silicio, SiC e zaffiro nella produzione di semiconduttori.​​

 

 

2. D: Quali materiali semiconduttori può lavorare questa macchina per la lucidatura monofacciale?​​

     ​​R: Progettata specificamente per wafer di silicio, carburo di silicio (SiC) e substrati di zaffiro.​

 

 


Tag: #Apparecchiature di lucidatura monofacciale ad alta precisione, #Personalizzato, #Materiali per wafer di Si/SiC/zaffiro​​

  

 

 

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