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Cina notizie su Perche' dobbiamo eseguire l'epitaxia sui substrati delle wafer di silicio?

Perche' dobbiamo eseguire l'epitaxia sui substrati delle wafer di silicio?

[2024-08-26 13:14:26]
Nella catena industriale dei semiconduttori, in particolare nella catena industriale dei semiconduttori di terza generazione (semiconduttori a banda larga), la distinzione tra substrato e strato epitaxiale è cruciale. Qual è il significato dello strato epitaxiano? Qual è la differenza tra esso e il ... Leggi di più
Cina notizie su I tubi di protezione a termocoppia di zaffiro possono sostituire le involucre di alluminio e ceramica in ambienti ad alta temperatura e pressione?

I tubi di protezione a termocoppia di zaffiro possono sostituire le involucre di alluminio e ceramica in ambienti ad alta temperatura e pressione?

[2024-05-30 16:55:39]
I tubi di protezione da termocoppia di zaffiro e le guaine da termocoppia di zaffiro possono resistere a temperature elevate fino a 2000 gradi Celsius e pressioni fino a 3000 bar,rendendoli altamente adatti a ambienti difficili come la lavorazione chimica, raffinazione petrolchimica e industria del ... Leggi di più
Cina notizie su Perché esistono i wafer di carburo di silicio a piano C e piano di silicio?

Perché esistono i wafer di carburo di silicio a piano C e piano di silicio?

[2024-05-24 17:08:47]
SiC è un composto binario formato da Si e C in rapporto 1:1, cioè 50% silicio (Si) e 50% carbonio (C), e la sua unità strutturale di base è il tetraedro SI-C. Per esempio, gli atomi di Si sono di grande diametro, equivalenti a una mela, e gli atomi di C sono di piccolo diametro, equivalenti a un... Leggi di più
Cina notizie su Cos'e' il TTV, Bow, Warp delle wafer di silicio?

Cos'e' il TTV, Bow, Warp delle wafer di silicio?

[2024-05-24 16:15:29]
I parametri del profilo superficiale della wafer Bow, Warp, TTV sono fattori molto importanti che devono essere considerati nella produzione di chip.Insieme, questi tre parametri riflettono l'uniformità della piattezza e dello spessore del wafer di silicio e hanno un impatto diretto su molte fasi ... Leggi di più
Cina notizie su Fogli epitaxiali (EPI) e loro applicazione

Fogli epitaxiali (EPI) e loro applicazione

[2024-04-29 17:03:17]
Fogli epitaxiali (EPI) e loro applicazione Il foglio epiteliale (EPI) si riferisce al film semiconduttore coltivato sul substrato, che è principalmente composto da tipo P, pozzo quantistico e tipo N.Ora il materiale epitassiale principale è il nitruro di gallio (GaN) e il materiale di substrato è ... Leggi di più
Cina notizie su Applicazione e tendenza allo sviluppo dell'epitaxia del carburo di silicio.

Applicazione e tendenza allo sviluppo dell'epitaxia del carburo di silicio.

[2024-04-12 15:58:28]
In questo numero, approfondiremo l'applicazione, il processo di preparazione, la dimensione del mercato e la tendenza di sviluppo dell'epitaxia del carburo di silicio. L'epitaxia si riferisce alla crescita di uno strato di materiale monocristallino di qualità superiore sulla superficie del substrato ... Leggi di più
Cina notizie su Il SiC contribuisce ad ampliare l'autonomia dei veicoli elettrici

Il SiC contribuisce ad ampliare l'autonomia dei veicoli elettrici

[2023-10-19 11:45:05]
Il SiC contribuisce ad estendere la gamma dei veicoli elettrici Con la crescente domanda mondiale di trasporti sostenibili e rispettosi dell'ambiente,I veicoli elettrici sono sempre più popolari come soluzione per ridurre le emissioni e ridurre la dipendenza dal petrolioTuttavia, l'autonomia dei ... Leggi di più
Cina notizie su Produzione ed applicazione dei wafer sic epitassiali

Produzione ed applicazione dei wafer sic epitassiali

[2023-08-21 10:49:41]
Sic il carburo di silicio è un materiale a semiconduttore composto composto di elementi del silicio e del carbonio, che è uno dei materiali ideali per rendere dispositivi ad alta temperatura, ad alta frequenza, ad alta potenza ed ad alta tensione. Confrontato ai materiali tradizionali del silicio ... Leggi di più
Cina notizie su Il della quarta generazione dei semiconduttori è arrivato, può Ga2O3 sostituire sic?

Il della quarta generazione dei semiconduttori è arrivato, può Ga2O3 sostituire sic?

[2023-08-16 10:54:29]
Materie prime a semiconduttore di chiave sotto i controlli delle esportazioniIl 1° agosto 2023, il Ministero del commercio e l'amministrazione generale delle abitudini della Cina hanno implementato ufficialmente i controlli delle esportazioni sulle materie prime gallio e germanio a semiconduttore. ... Leggi di più
Cina notizie su Come produrre la polvere del carburo di silicio di elevata purezza sic per la coltura sic dei cristalli?

Come produrre la polvere del carburo di silicio di elevata purezza sic per la coltura sic dei cristalli?

[2023-08-16 10:49:21]
01Semiconduttore Co., srl di Hebei TongguangAttualmente, la tecnologia comunemente usata per la sintetizzazione della polvere di grande purezza del carburo di silicio pricipalmente adotta la sintesi semi conduttrice ad alta temperatura della polvere di grande purezza del silicio e della polvere di ... Leggi di più
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Sic substrato

L'elevata purezza non-ha verniciato il wafer del carburo di silicio sic, substrato del carburo di silicio di 6Inch 4H-Semi sic

6H a 2 pollici - basso consumo energetico del wafer del carburo di silicio dei semi per il rivelatore

sic carburi di silicio del lingotto 4inch spessore di 15mm - di 5 per i semiconduttori

4H-SEMI ha lucidato sic la durezza della lente 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 del wafer per il materiale del dispositivo

Wafer dello zaffiro

Orientamento su ordinazione dello speciale di Windows di vetro/zaffiro dello zaffiro del wafer a semiconduttore

Wafer di zaffiro Spessore 0,43 mm Componenti di zaffiro Dimensioni e orientamenti personalizzati

Di cristallo quadrato del wafer dello zaffiro/zaffiro 10x10mm 5x5mm per la lente ottica

2°Off C - zaffiro sintetico Epi di vetro di asse - diametro a 2 pollici 50.8mm dei substrati pronti

Wafer del nitruro di gallio

Spessore di GaN Wafer 350um del nitruro di gallio dell'esposizione della proiezione del laser

2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template indipendente per principale

Modello di 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN sul wafer dello AlN-Su-zaffiro del EPI-wafer dello zaffiro

wafer del modello di GaN AlN del nitruro di gallio di 2inch 4Inch su zaffiro, substrati di si

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