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Qualità Wafer del nitruro di gallio & Wafer dello zaffiro fabbricante

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Studio di caso ZMSH: fornitore principale di zaffiri colorati sintetici di alta qualità
Studio di caso ZMSH: fornitore principale di zaffiri colorati sintetici di alta qualità     IntroduzioneZMSH è uno dei marchi leader nel settore delle gemme sintetiche, fornendo una vasta gamma di zaffiri di alta qualità e colori vivaci.Le nostre offerte includono una vasta gamma di colori come il blu reale, rosso vivo, giallo, rosa, rosa-arancione, viola e molteplici toni verdi, tra cui verde smeraldo e verde oliva.La ZMSH è diventata un partner preferito per le imprese che richiedono, visivamente sorprendenti e durevoli gemme sintetiche. Sottolineando le nostre gemme sinteticheAl centro della gamma di prodotti ZMSH sono i zaffiri sintetici che emulano la brillantezza e la qualità delle pietre preziose naturali offrendo numerosi vantaggi.Questi zaffiri sono accuratamente fabbricati per ottenere un'eccezionale consistenza di colore e durata, rendendoli un'alternativa superiore alle pietre naturali. Vantaggi di scegliere zaffiri sintetici Una coerenza senza eguali: I nostri zaffiri creati in laboratorio sono prodotti in condizioni controllate, garantendo che soddisfino severi standard qualitativi.senza variazioni di colore e chiarezza spesso osservate nelle pietre preziose estratte. Ampia scelta di colori: ZMSH offre una vasta gamma di colori, tra cui blu reale, rosso rubino, e toni più morbidi come rosa e rosa-arancione.adattati alle esigenze specifiche dei clientiQuesta flessibilità nella personalizzazione dei colori e dei toni rende i nostri zaffiri perfetti per una vasta gamma di progetti e scopi industriali. Prezzi accessibili: Gli zaffiri coltivati in laboratorio rappresentano un'alternativa più economica senza sacrificare l'attrattiva visiva o l'integrità strutturale.Forniscono un ottimo valore per i clienti che hanno bisogno di pietre preziose di alta qualità a una frazione del costo delle pietre naturali, rendendoli ideali sia per prodotti di lusso che per applicazioni pratiche. Sicuri dal punto di vista ambientale ed etico: optando per pietre preziose sintetiche, i clienti possono evitare i danni ambientali e le preoccupazioni etiche spesso associate alla tradizionale estrazione di pietre preziose.Gli zaffiri sintetici ZMSH sono creati in modo eco-consapevole, offrendo una scelta sostenibile e responsabile. Fortezza e versatilità: Gli zaffiri sintetici hanno la stessa durezza delle loro controparti naturali, il che li rende ideali per una varietà di usi, dai gioielli di lusso alle applicazioni industriali.Con una durezza di 9 sulla scala di Mohs, queste gemme assicurano una durabilità duratura in ogni ambiente   ConclusioniZMSH è dedicata alla fornitura di zaffiri colorati sintetici di alto livello, offrendo ai clienti una gamma di soluzioni di gemme personalizzabili, convenienti e sostenibili.Che tu stia cercando blu reale per accessori eleganti, verde smeraldo per componenti industriali, o qualsiasi altro colore sorprendente, ZMSH fornisce pietre preziose che combinano bellezza, consistenza e resistenza.La nostra esperienza nella produzione di zaffiri sintetici ci permette di soddisfare le esigenze di varie industrie, garantendo una qualità affidabile e pratiche etiche in ogni ordine.
Studio di caso: la svolta di ZMSH con il nuovo 4H/6H-P 3C-N SiC Substrato
Introduzione ZMSH è costantemente all'avanguardia nell'innovazione dei wafer e dei substrati a carburo di silicio (SiC), noto per fornire prestazioni elevate6H-SiC- e4H-SiCIn risposta alla crescente domanda di materiali più efficienti nelle applicazioni ad alta potenza e ad alta frequenza,La ZMSH ha ampliato la sua offerta di prodotti con l'introduzione del4H/6H-P 3C-N SiCQuesto nuovo prodotto rappresenta un importante balzo tecnologico combinando i tradizionali4H/6H politipo SiCSottostati con caratteristiche innovative3C-N SiCLe nuove tecnologie, che offrono un nuovo livello di prestazioni ed efficienza per i dispositivi di nuova generazione. Visualizzazione dei prodotti esistenti: Sottostrati 6H-SiC e 4H-SiC Caratteristiche chiave Struttura cristallina: Sia il 6H-SiC che il 4H-SiC possiedono strutture cristalline esagonali.considerando che il 4H-SiC vanta una maggiore mobilità elettronica e una banda larga di 3.2 eV, che lo rende adatto per applicazioni ad alta frequenza e alta potenza. Conduttività elettrica: Disponibile in opzioni di tipo N e di semi-isolamento, che consentono la flessibilità per varie esigenze del dispositivo. Conduttività termica: Questi substrati presentano conduttività termica compresa tra 3,2 e 4,9 W/cm·K, indispensabile per dissipare il calore in ambienti ad alta temperatura. Forza meccanica: I substrati presentano una durezza di Mohs di 9.2, fornendo robustezza e durata per l'uso in applicazioni esigenti. Utili tipici: comunemente utilizzato in elettronica di potenza, dispositivi ad alta frequenza e ambienti che richiedono resistenza alle alte temperature e alle radiazioni. SfideMentre6H-SiC- e4H-SiCSono molto apprezzati, incontrano alcuni limiti in scenari specifici ad alta potenza, alta temperatura e alta frequenza.e una banda più stretta limitano la loro efficacia per le applicazioni di nuova generazioneIl mercato richiede sempre più materiali con prestazioni migliori e meno difetti per garantire una maggiore efficienza operativa. Nuova innovazione di prodotto: 4H/6H-P 3C-N SiC Substrati Per superare i limiti dei suoi precedenti substrati di SiC, ZMSH ha sviluppato il4H/6H-P 3C-N SiCQuesto nuovo prodotto sfruttacrescita epitaxianadi pellicole 3C-N SiC suSubstrati di politipo 4H/6H, fornendo proprietà elettroniche e meccaniche migliorate. Principali miglioramenti tecnologici Politipo e integrazione del filmIl3C-SiCle pellicole sono coltivate epitaxialmente utilizzandoDeposito di vapore chimico (CVD)suSubstrati 4H/6H, riducendo significativamente la disadattamento del reticolo e la densità dei difetti, portando a una migliore integrità del materiale. Mobilità elettronica migliorataIl3C-SiCLa pellicola offre una mobilità elettronica superiore rispetto alla pellicola tradizionaleSubstrati 4H/6H, che lo rende ideale per applicazioni ad alta frequenza. Miglioramento della tensione di rottura: I test indicano che il nuovo substrato offre una tensione di rottura significativamente superiore, rendendolo più adatto alle applicazioni ad alta intensità energetica. Riduzione dei difetti: Le tecniche di crescita ottimizzate riducono al minimo i difetti e le lussazioni dei cristalli, garantendo la stabilità a lungo termine in ambienti difficili. Capacità optoelettronicheLa pellicola 3C-SiC presenta anche caratteristiche optoelettroniche uniche, particolarmente utili per i rilevatori ultravioletti e varie altre applicazioni optoelettroniche. Vantaggi del nuovo substrato SiC 4H/6H-P 3C-N Maggiore mobilità elettronica e resistenza alla rotturaIl3C-N SiCLa pellicola garantisce una stabilità ed efficienza superiori nei dispositivi ad alta potenza e ad alta frequenza, con conseguente durata operativa più lunga e prestazioni più elevate. Miglioramento della conduttività termica e della stabilità: Grazie alle migliori capacità di dissipazione del calore e alla stabilità a temperature elevate (oltre 1000°C), il substrato è adatto ad applicazioni ad alte temperature. Applicazioni optoelettroniche estese: Le proprietà optoelettroniche del substrato ampliano il suo campo di applicazione, rendendolo ideale per sensori ultravioletti e altri dispositivi optoelettronici avanzati. Maggiore resistenza chimica: Il nuovo substrato presenta una maggiore resistenza alla corrosione chimica e all'ossidazione, che è vitale per l'uso in ambienti industriali difficili. Aree di applicazione Il4H/6H-P 3C-N SiCil substrato è ideale per una vasta gamma di applicazioni all'avanguardia grazie alle sue proprietà elettriche, termiche e optoelettroniche avanzate: Elettronica di potenza: La sua tensione di rottura superiore e la gestione termica la rendono il substrato di scelta per dispositivi ad alta potenza comeMOSFET,IGBT, ediodi di Schottky. Dispositivi a RF e a microonde: L'alta mobilità elettronica garantisce prestazioni eccezionali in alta frequenzaRF- edispositivi a microonde. Detettori ultravioletti e optoelettronica: Le proprietà optoelettroniche di3C-SiCrendere particolarmente adatto perRilevazione UVe vari sensori optoelettronici. Conclusione e raccomandazione del prodotto Il lancio della ZMSH4H/6H-P 3C-N SiCQuesto prodotto innovativo, con la sua maggiore mobilità elettronica, ridotta densità di difetto,e tensione di rottura migliorata, è ben posizionata per soddisfare le crescenti richieste dei mercati della potenza, della frequenza e dell'optoelettronica.La sua stabilità a lungo termine in condizioni estreme lo rende anche una scelta altamente affidabile per una vasta gamma di applicazioni. La ZMSH incoraggia i propri clienti ad adottare4H/6H-P 3C-N SiCper sfruttare le sue capacità di prestazione all'avanguardia.Questo prodotto non solo soddisfa i severi requisiti dei dispositivi di nuova generazione, ma aiuta anche i clienti a ottenere un vantaggio competitivo in un mercato in rapida evoluzione.   Raccomandazione del prodotto   4 pollici 3C N-tipo SiC Substrato Carburo di silicio Substrato Spessore 350um Prime Grade Dummy Grade       - supportare quelli personalizzati con disegni artistici   - un cristallo cubo (3C SiC), ottenuto da monocristallo SiC   - Alta durezza, durezza di Mohs raggiunge 9.2, secondo solo al diamante.   - eccellente conduttività termica, adatta ad ambienti ad alta temperatura.   - caratteristiche di banda larga, idonee per dispositivi elettronici ad alta frequenza e alta potenza.
Tubi di Zaffiro per Termocoppie ad Alta Temperatura
Abstract       Attributi Chiave Il kit è composto da un tubo in zaffiro sigillato esternamente e uno o più tubi capillari interni per isolare i rami della termocoppia.     Protezione dei Fili della TermocoppiaLe termocoppie protette da zaffiro durano molto più a lungo dei tubi in ceramica standard. Anche i tubi in zaffiro di piccolo diametro offrono prestazioni robuste ad alta temperatura, rendendoli una soluzione conveniente per:     · Raffinerie di petrolio · Unità di cracking · Reattori di combustione · Inceneritori · Trattamento chimico · Produzione di vetro · Industria dei semiconduttori (gestione del processo pulito)         La sonda è stata posizionata in una corona di forno di vetro a 1500°C per 11 mesi. Non c'erano segni di usura.           Progettazioni di Termocoppie in Zaffiro  Diametro esterno / Diametro interno Lunghezza massima   La misurazione della temperatura in diverse aree di profondità è disponibile isolando i fili della termocoppia all'interno del tubo di protezione in zaffiro con capillari in zaffiro   2.1 / 1.3 mm ± 0.2 mm 1750 mm 4.8 / 3.4 mm ± 0.15 mm 1800 mm 6 / 4 mm ± 0.15 mm 1800 mm 8 / 5 mm ± 0.15 mm 1800 mm 10 / 7 mm ± 0.2 mm 1400 mm 13 / 10 mm ± 0.2 mm 1400 mm   I tubi in zaffiro sono sigillati continuando il processo di crescita del cristallo. Ciò garantisce un'integrità del materiale impeccabile e una struttura perfetta in tutto il tubo della termocoppia.   I tubi in zaffiro per termocoppie ad alta temperatura offrono stabilità termica, resistenza alla corrosione ed ermeticità senza pari, che costituiscono la base della misurazione della temperatura in ambienti estremi. Tuttavia, la vera affidabilità deriva da supporto post-vendita completo—ZMSH non solo fornisce tubi in zaffiro ottimizzati per lo scenario, ma offre anche un framework di servizio completo "Requisito-Validazione-Consegna-Manutenzione": dalla diagnostica operativa e dalla guida al dimensionamento personalizzato all'installazione in loco e al monitoraggio delle prestazioni a lungo termine. Supportati da un team tecnico, garantiamo che ogni tubo in zaffiro funzioni con la massima efficienza all'interno dei tuoi sistemi. Scegliere i tubi in zaffiro di ZMSH significa selezionare doppia garanzia—eccellenza del materiale + impegno di servizio—che guida l'efficienza dei costi e la precisione nelle applicazioni ad alta temperatura.   Soluzioni personalizzate di ZMSH Per tubi in zaffiro su misura o progetti di termocoppie ad alta temperatura, contattaci—ZMSH offre soluzioni progettate con precisione su misura per le tue esigenze.  

2025

06/26

Comprendere la tecnologia di preparazione della pellicola (MOCVD, sputtering magnetronico, PECVD)
Comprendere la tecnologia di preparazione della pellicola (MOCVD, sputtering magnetronico, PECVD)       In questo articolo verranno introdotti diversi metodi per la fabbricazione di pellicole sottili.seguito dal processo di epitaxia (film).   Perché la tecnologia a film sottile è necessaria nella produzione di chip?   Per esempio, nella vita quotidiana molte persone amano mangiare pancake, ma se non sono conditi e cotti, non hanno sapore e non hanno una buona consistenza.Alcune persone preferiscono il sapore salato.Altri preferiscono un sapore dolce, quindi lo fanno con uno strato di zucchero di malto.   Dopo aver spazzato la salsa, lo strato di salsa o salsa dolce sulla superficie del pancake è come un film.e il pancake stesso si chiama base.   Naturalmente, durante l'elaborazione dei chip, ci sono molti tipi di funzioni per i film e variano anche i metodi di preparazione del film corrispondenti.Vi presenteremo brevemente alcuni metodi comuni di preparazione del film., inclusi MOCVD, sputtering magnetronico, PECVD, ecc....     Io.Deposito di vapore chimico metallico organico (MOCVD)     Il sistema di crescita epitassale MOCVD è un dispositivo altamente complesso e sofisticato, che svolge un ruolo cruciale nella preparazione di film e nanostrutture semiconduttori di alta qualità.   Il sistema MOCVD è costituito da cinque componenti principali, ognuna delle quali svolge funzioni distinte ma interconnesse, garantendo collettivamente l'efficienza e la sicurezza del processo di crescita del materiale.   1.1 Sistema di trasporto del gas:La responsabilità principale di questo sottosistema è di controllare con precisione la consegna di vari reagenti nella camera di reazione, compresa la misurazione dei reagenti,la tempistica e la sequenza della loro consegna, nonché la regolazione del flusso totale di gas.   È composto da diversi sottosistemi, tra cui il sottosistema di approvvigionamento di gas per il trasporto dei reagenti, il sottosistema di approvvigionamento per la fornitura di fonti organiche metalliche (MO),il sottosistema di alimentazione per la fornitura di idruri, e la valvola multiplex di crescita/ventilazione per il controllo della direzione del flusso di gas.       AIXTRON CCS 3 x 2" Sistema MOCVD per nitruri di livello di ricerca       Diagramma schematico del percorso del gas del sistema MOCVD   1.2 Sistema di camera di reazione:Questo è il componente centrale del sistema MOCVD, responsabile del processo di crescita del materiale.   Questa sezione comprende una base di grafite per sostenere il substrato, un riscaldatore per riscaldare il substrato, un sensore di temperatura per monitorare la temperatura dell'ambiente di crescita,una finestra di rilevamento ottico, e un robot automatico di carico e scarico per la movimentazione del substrato, utilizzato per automatizzare il processo di carico e scarico, migliorando così l'efficienza della produzione.La figura seguente mostra il diagramma dello stato di riscaldamento della camera del reattore MOCVD.       Diagramma schematico del principio di crescita in camera di MOCVD   1.3 Sistema di controllo della crescita:Esso è composto da un controller programmabile e da un computer di controllo, responsabile del controllo e del monitoraggio precisi dell'intero processo di crescita del MOCVD.   Il controllore è responsabile della raccolta, elaborazione e produzione di vari segnali, mentre il computer di controllo è responsabile della registrazione e del monitoraggio di ogni fase di crescita del materiale,garantire la stabilità e la ripetibilità del processo.       1.4 Sistema di monitoraggio in situ:Esso è costituito da termometri a radiazione infrarossa corretti per la riflettività, apparecchiature di monitoraggio della riflettività e dispositivi di monitoraggio della curvatura.   Questo sistema è in grado di monitorare in tempo reale i parametri chiave durante il processo di crescita del materiale, come lo spessore e l'uniformità del film, nonché la temperatura del substrato.consente immediati aggiustamenti e ottimizzazioni del processo di crescita.     1.5 Sistema di trattamento dei gas di scarico:Responsabile della gestione delle particelle tossiche e dei gas generati durante il processo di reazione.   Mediante metodi quali il cracking o la catalisi chimica, queste sostanze nocive possono essere effettivamente decomposte e assorbite,garantire la sicurezza dell'ambiente di funzionamento e il rispetto delle norme di protezione dell'ambiente.   Inoltre, l'apparecchiatura MOCVD è di solito installata in ambienti ultrapuliti dotati di sistemi avanzati di allarme di sicurezza, dispositivi di ventilazione efficaci e sistemi di controllo rigorosi della temperatura e dell'umidità.Queste attrezzature ausiliarie e misure di sicurezza non solo garantiscono la sicurezza degli operatori, ma anche migliorare la stabilità del processo di crescita e la qualità dei prodotti finali.   La progettazione e il funzionamento del sistema MOCVD riflettono gli elevati standard di precisione, ripetibilità e sicurezza richiesti nel campo della fabbricazione di materiali semiconduttori.È una delle tecnologie chiave per la produzione di dispositivi elettronici e optoelettronici ad alte prestazioni.   Per la coltivazione di pellicole epitaxiali si utilizza il sistema MOCVD a testa di spruzzatura (Closed-Coupled-Showerhead, CCS) di tipo verticale nella camera di attrezzatura.   Questo sistema è progettato con una struttura unica della testa di spruzzo, la cui caratteristica principale è la capacità di ridurre efficacemente le pre-reazioni e di ottenere una miscelazione efficiente dei gas.Questi gas vengono iniettati nella camera di reazione attraverso i fori di spruzzo interlacciati sulla testa di spruzzo, dove si mescolano completamente e migliorano così l'uniformità e l'efficienza della reazione.   La struttura della testa di spruzzo consente di distribuire uniformemente il gas di reazione sul substrato situato sotto di esso,garantire la coerenza della concentrazione dei gas di reazione in tutte le posizioni del substratoQuesto è fondamentale per la formazione di un film epitaxiale di spessore uniforme.   Inoltre, la rotazione del disco di grafite favorisce ulteriormente l'uniformità dello strato di confine della reazione chimica, consentendo una crescita più uniforme della pellicola epitaxiale.,riducendo lo strato di confine della reazione chimica sottile, aiuta a ridurre al minimo le differenze di concentrazione locali, migliorando così l'uniformità complessiva della crescita del film.       (a) La testa di spruzzo effettiva e la sua foto parzialmente ingrandita, (b) La struttura interna della testa di spruzzo         II.Sputtering magnetronico     Lo sputtering magnetron è una tecnica fisica di deposizione di vapore comunemente utilizzata per la deposizione di film sottili e il rivestimento superficiale.   Esso utilizza un campo magnetico per rilasciare gli atomi o le molecole di un materiale bersaglio dalla superficie del bersaglio, e quindi forma un film sulla superficie del materiale del substrato.   Questa tecnologia è ampiamente applicata nella produzione di dispositivi semiconduttori, rivestimenti ottici, rivestimenti ceramici e altri campi.       Diagramma schematico del principio di sputtering magnetron       Il principio di sputtering magnetron è il seguente:   1Selezione del materiale di destinazione:Il materiale di destinazione è il materiale che deve essere depositato sul materiale del substrato, che può essere metallo, lega, ossido, nitruro, ecc.Il materiale bersaglio è di solito fissato su un dispositivo chiamato pistola bersaglio.   2. ambiente sotto vuoto:Il processo di sputtering deve essere effettuato in un ambiente ad alto vuoto per evitare l'interazione tra le molecole di gas e il materiale bersaglio.Questo contribuisce a garantire la purezza e l'uniformità del film depositato.   3. gas ionizzato:Durante il processo di sputtering, un gas inerte (come l'argon) viene solitamente introdotto per ionizzarlo in un plasma.che si chiama "plasma della nube di elettroni".   4Applicazione del campo magnetico:Un campo magnetico viene applicato tra il materiale bersaglio e il materiale del substrato, limitando il plasma della nube di elettroni alla superficie del materiale bersaglio.mantenendo così uno stato ad alta energia.   5Processo di sputtering:Con l'applicazione di un plasma di nuvole di elettroni ad alta energia, gli atomi o le molecole del materiale bersaglio vengono colpiti e quindi rilasciati.Questi atomi o molecole rilasciati si depositano sotto forma di vapore sulla superficie del materiale del substrato, formando un film.     I vantaggi dello sputtering magnetron includono:   1. Uniformità della pellicola depositata:Il campo magnetico può aiutare a controllare la trasmissione degli ioni, ottenendo così una deposizione uniforme del film,assicurando che lo spessore e le proprietà della pellicola rimangano costanti su tutta la superficie del substrato.   2- Preparazione di leghe e composti complessi:Lo sputtering magnetron può essere utilizzato per fabbricare film complessi di leghe e composti, che possono essere più difficili da ottenere con altre tecniche di deposizione.   3Controllabilità e modificabilità:Aggiustando parametri quali la composizione del materiale bersaglio, la pressione del gas e la velocità di deposizione, le proprietà del film, compresi spessore, composizione e microstruttura,può essere controllato con precisione.   4. Film di alta qualità:Lo sputtering magnetron può generalmente produrre pellicole di alta qualità, dense e uniformi con eccellenti adesioni e proprietà meccaniche.   5.Multifunzionalità:È applicabile a vari tipi di materiali, tra cui metalli, ossidi, nitruri, ecc. Pertanto, ha ampie applicazioni in diversi campi.   6. Deposizione a bassa temperatura:Rispetto ad altre tecniche, lo sputtering al magnetrone può essere effettuato a basse temperature o anche a temperatura ambiente.che lo rende adatto per applicazioni in cui il materiale del substrato è sensibile alla temperatura.   Nel complesso, lo sputtering magnetron è una tecnologia di fabbricazione di film sottile altamente controllabile e flessibile, applicabile a una vasta gamma di campi di applicazione, dai dispositivi elettronici ai rivestimenti ottici,ecc.     III. Deposito di vapore chimico plasmatico     La tecnologia PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) è ampiamente utilizzata nella preparazione di vari film (come il silicio, il nitruro di silicio e il biossido di silicio, ecc.).   Il diagramma strutturale del sistema PECVD è illustrato nella figura seguente.       Diagramma schematico della struttura del sistema di deposizione di vapore chimico potenziato con plasma   Il principio di base è il seguente: le sostanze gassose contenenti i componenti della pellicola vengono introdotte nella camera di deposizione.le sostanze gassose subiscono reazioni chimiche per generare plasmaQuando questo plasma viene depositato sul substrato, viene coltivato un materiale di pellicola.   I metodi per avviare la scarica di luce includono: eccitazione a radiofrequenza, eccitazione ad alta tensione di corrente continua, eccitazione a impulsi e eccitazione a microonde.   Lo spessore e la composizione delle pellicole preparate da PECVD presentano un'eccellente uniformità.le pellicole depositate con questo metodo hanno una forte adesione e possono raggiungere elevati tassi di deposizione a temperature di deposizione relativamente basse.   In generale, la crescita di pellicole sottili comporta principalmente i seguenti tre processi:   Il primo passo è che il gas reattivo, sotto l'eccitazione del campo elettromagnetico, subisce una scarica luminosa per generare plasma.   Durante questo processo, gli elettroni si scontrano con il gas reattivo, avviando una reazione primaria, che porta alla decomposizione del gas reattivo e alla generazione di ioni e gruppi reattivi.   Il secondo passo consiste nel spostamento dei vari prodotti generati dalla reazione primaria verso il substrato,mentre vari gruppi attivi e ioni subiscono reazioni secondarie per formare prodotti secondari.   La terza fase consiste nell'assorbimento di vari prodotti primari e secondari sulla superficie del substrato e nella loro successiva reazione con la superficie.vi è il rilascio di sostanze molecolari gassose.       IV. Tecniche di caratterizzazione del film sottile     4.1 Diffrazione a raggi X (XRD)   XRD (X-ray Diffraction) è una tecnica comunemente utilizzata per analizzare le strutture cristalline.   Rivela informazioni come i parametri del reticolo,struttura cristallina e orientamento cristallino del materiale misurando i modelli di diffrazione dei raggi X sulla struttura cristallina all'interno del materiale.   L'XRD è ampiamente utilizzato in vari campi come la scienza dei materiali, la fisica allo stato solido, la chimica e la geologia.       Diagramma schematico del principio di prova XRD   Principio di funzionamento: il principio di base dell'XRD si basa sulla legge di Bragg.se il reticolo atomico o ionico nel cristallo è in una disposizione specificaL'angolo e l'intensità della diffrazione possono fornire informazioni sulla struttura del cristallo.       Bruker D8 Discover diffrattometro a raggi X   Composizione dello strumento: uno strumento XRD tipico è costituito dai seguenti componenti:   1. Fonte di raggi X: Dispositivo che emette raggi X, di solito utilizzando bersagli di tungsteno o rame per generare raggi X.   2. piattaforma di campionamento: piattaforma per il posizionamento dei campioni, che può essere ruotata per regolare l'angolo dei campioni.   3Detettore a raggi X: utilizzato per misurare l'intensità e l'angolo di diffrazione della luce.   4Sistema di controllo e analisi: comprende il sistema software per il controllo della sorgente di raggi X, l'acquisizione, l'analisi e l'interpretazione dei dati.     Campo d'applicazione: XRD ha importanti applicazioni in molti campi, tra cui ma non limitato a:   1Ricerca cristallografica: utilizzata per analizzare la struttura cristallina dei cristalli, determinare i parametri del reticolo e l'orientamento del cristallo.   2. Caratterizzazione del materiale: analizzare informazioni quali la struttura cristallina, la composizione di fase e i difetti cristallini del materiale.   3Analisi chimica: Identificazione delle strutture cristalline dei composti inorganici e organici e studio delle interazioni tra le molecole.   4Analisi del film: viene utilizzato per studiare la struttura cristallina, lo spessore e la corrispondenza del reticolo del film.   5Mineralogia e geologia: utilizzato per identificare i tipi e i contenuti dei minerali e studiare la composizione dei campioni geologici.   6Ricerca sui farmaci: l'analisi della struttura cristallina di un farmaco è utile per comprendere le sue proprietà e le sue interazioni.   Nel complesso, l'XRD è una potente tecnica analitica che consente a scienziati e ingegneri di acquisire una profonda comprensione della struttura cristallina e delle proprietà dei materiali,promuovendo così la ricerca e le applicazioni in materia di scienze dei materiali e campi correlati.       Foto del diffrattometro XRD       4.2 Microscopio elettronico di scansione (SEM)   Il microscopio elettronico a scansione (SEM) è un tipo di microscopio comunemente utilizzato.che consentono l'osservazione ad alta risoluzione della superficie e della morfologia.   La SEM è ampiamente utilizzata in campi come la scienza dei materiali, la biologia e la geologia.     Il principio fondamentale di funzionamento della SEM è il seguente:   La SEM utilizza una pistola elettronica per generare un fascio di elettroni.Il raggio di elettroni passa attraverso un sistema di collimazione, che consiste in una serie di lenti elettroniche, per focalizzare e allineare il fascio di elettroni, garantendo la stabilità e la messa a fuoco del fascio.il raggio di elettroni scansiona la superficie del campione.   La posizione del fascio elettronico può essere controllata con precisione, generando così pixel di scansione sul campione.   Il campione deve essere conduttivo perché nel SEM, il fascio di elettroni deve interagire con la superficie del campione per generare elettroni secondari,eccQuando i fasci di elettroni ad alta energia colpiscono la superficie del campione, interagiscono con gli atomi e le molecole nel campione.generare vari segnaliLa rilevazione SEM analizza i vari segnali generati dalla superficie del campione, in particolare gli elettroni secondari (SE) e gli elettroni retro-dispersi (BSE).   Questi segnali forniscono informazioni sulla morfologia superficiale, la struttura e la composizione del campione.SEM può ottenere le informazioni sui pixel della superficie del campioneQueste informazioni vengono elaborate e visualizzate da un computer, generando immagini ad alta risoluzione della superficie del campione.       Immagine fisica SEM       4.3 Microscopio di forza atomica (AFM)   Il microscopio a forza atomica (AFM) è una tecnica microscopica ad alta risoluzione, utilizzata principalmente per osservare le caratteristiche su scala atomica e su scala nanometrica dei campioni.Il suo principio di funzionamento si basa sull'interazione tra la sonda e la superficie del campione. Misurando i cambiamenti di posizione della sonda, può ottenere le informazioni topografiche e topologiche della superficie del campione.   In AFM, viene utilizzata una sonda molto sottile, di solito di silicio o di altri materiali con una punta su scala nanometrica.con la punta della sonda vicina alla superficie del campioneQuando la sonda è vicina alla superficie del campione, si verificano interazioni tra gli atomi e le molecole del campione e la sonda, comprese le forze elettrostatiche, le forze di van der Waals,e interazioni di legame chimico, ecc. Il movimento del cantilever o del dispositivo piezoelettrico è controllato per mantenere una certa forza tra la punta della sonda e la superficie del campione.   L'AFM utilizza un sistema di feedback per mantenere una forza costante tra la sonda e il campione.il sistema di feedback regola automaticamente la posizione del cantilever per mantenere costante la forzaLa sonda e il campione si muovono l'uno rispetto all'altro, di solito su una griglia bidimensionale, formando una scansione.l'irregolarità della superficie del campione provoca un cambiamento della posizione della punta della sonda. Misurando il cambiamento di posizione della sonda, si possono ottenere informazioni topologiche della superficie del campione.i dati raccolti sono trattati per generare un'immagine topologica ad alta risoluzione della superficie del campione;.   L'AFM ha ampie applicazioni in più campi, come la scienza dei materiali, la biologia e la nanotecnologia.aiutare i ricercatori a comprendere meglio la morfologia e la struttura della superficie dei materiali, e consentendo persino la manipolazione di strutture su scala nanometrica.   I vantaggi dell'AFM includono alta risoluzione, non distruttività e modalità di lavoro multiple, che lo rendono uno strumento potente per l'osservazione e la ricerca su scala nanometrica.       Immagine fisica AFM       Diagramma schematico del principio di misura e del modo di funzionamento della microscopia a forza atomica       Conclusioni     ZMSH è specializzata in tecnologie avanzate di deposizione a film sottile, tra cui MOCVD, Magnetron Sputtering e PECVD, offrendo lo sviluppo di processi su misura per semiconduttori, optoelettronica,e applicazioni di rivestimento funzionale. I nostri servizi coprono la progettazione di sistemi personalizzati, l'ottimizzazione dei parametri e la crescita di pellicole ad alta purezza, insieme alle vendite di attrezzature di deposizione di precisione per soddisfare le esigenze di ricerca e sviluppo e produzione industriale.       Ecco i prodotti SiC raccomandati da ZMSH:                 * Si prega di contattarci per eventuali problemi di copyright, e li affronteremo prontamente.      

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L'asta laser al rubino: un pioniere nella tecnologia laser
Rubino sintetico a base di laser Una pietra angolare dell'innovazione del laser       I laser sono oggi strumenti fondamentali in vari settori, dalla sanità e dalle comunicazioni all'automazione industriale e alla scoperta scientifica.Illaser di rubinoLa Commissione ha adottato una proposta di regolamento (CE) del Consiglio che modifica il regolamento (CE) n.primo sistema laser dimostrato con successoIl suo nucleo è ilcon una lunghezza di 20 mm o più ma non superiore a 20 mmQuesto articolo approfondisce la scienza dietro le barre laser rubino, la loro struttura, i principi di funzionamento,e il loro significato duraturo nella tecnologia laser.   1.Cos'è un laser rubino? Abastoncino laser di rubinoè un cristallo cilindrico costituito darubino sintetico, che è essenzialmenteossido di alluminio (Al2O3)dopato con una piccola concentrazione diioni di cromo (Cr3+)Mentre l'Al2O3 puro è trasparente, l'aggiunta di cromo conferisce al rubino la sua caratteristica tonalità rossa o rosa e, cosa più importante, crea i centri attivi necessari per l'azione del laser. In un sistema laser, ilmezzo attivoè il materiale responsabile dell'amplificazione della luce attraverso il processo diemissione stimolataNei laser a rubino, la canna di rubino sintetico funge da mezzo attivo, assorbendo energia e convertendola in luce rossa intensa e coerente. 2.Struttura fisica della canna laser rubino Le barre laser rubino sono tipicamente fabbricate indi forma cilindrica, con diametri che vanno da pochi millimetri a 10 mm e lunghezze comprese tra 30 e 150 mm a seconda delle esigenze di applicazione.Questa geometria ottimizza la riflessione interna della luce e il guadagno all'interno della cavità del laser.   La concentrazione di doping diGli ioni Cr3+ sono generalmente intorno allo 0,05%, un livello accuratamente calibrato che bilancia l'efficienza di assorbimento e l'emissione di luce.sostituzione di alcuni atomi di alluminio nel reticolo di zaffiro per formare i centri laser. 3Principio di funzionamento della canna laser rubino 3.1Escitazione degli ioni di cromo Il laser rubino è unlaser a stato solido pompato con torciaQuando la luce ad alta energia di una torcia a xenone irradia la canna di rubino, laGli ioni Cr3+ assorbono i fotoniQuesto processo di eccitazione eleva gli elettroni a livelli di energia più elevati. 3.2Stato metastabile e inversione della popolazione Dopo eccitazione, gli elettroni negli ioni Cr3+ scendono astato metastabileQuesto ritardo consente l'accumulo di una quantità diinversione della popolazione- una condizione in cui più elettroni occupano lo stato eccitato rispetto allo stato di base. 3.3 Emissioni e uscite laser stimolate Quando un fotone della lunghezza d'onda corretta (694,3 nm, rosso intenso) interagisce con un ione Cr3+ eccitato, innesca l'emissione di un secondo fotone in fase e direzione perfette.luce coerenteQuesta reazione a catena di generazione di fotoni produce il potente raggio laser. 3.4Risonatore ottico e amplificazione La barra di rubino è collocata tra due specchi che formano uncavità ottica risonanteUn specchio è completamente riflettente e l'altro è parzialmente trasmissibile.fino a quando la luce coerente non esce come raggio laser stretto dall'accoppiatore di uscita. 4.Ruolo pionieristico nella storia del laser Il laser rubino ha fatto la storia nel1960, quando fisicoTheodore MaimanIl primo dispositivo a trasformare il concetto teorico del LASER (Amplificazione della luce da emissioni di radiazioni stimolateQuesta scoperta ha gettato le basi per decenni di innovazione ottica e ha posizionato il laser rubino come il laser piùbase di tutte le tecnologie laser. 5Vantaggi e svantaggi dei laser rubino 5.1 Vantaggi I.Disegno sempliceI laser Ruby sono strutturalmente semplici, rendendoli accessibili per l'istruzione, la prototipazione e la ricerca. II.Medio a stato solido resistente Il rubino sintetico è meccanicamente robusto, chimicamente stabile e meno sensibile alle condizioni ambientali rispetto ai laser a gas o a coloranti. iii.Ottima qualità del raggioProduce un fascio rosso coerente e strettamente collimato ad alta risoluzione spaziale, ideale per l'olografia e per alcune applicazioni mediche. iv.Importanza storicaI laser ruby rappresentano una pietra miliare tecnologica e rimangono un simbolo dell'innovazione laser. 6Applicazioni dei laser ruby Sebbene superati dai moderni tipi di laser come Nd:YAG, laser a fibra o diodi, i laser rubino sono ancora utilizzati in aree di nicchia in cui la loro lunghezza d'onda specifica e l'uscita pulsata sono vantaggiose: HolografiaUna luce rossa coerente e stabile è ideale per registrare con grande precisione i modelli di interferenza. Dermatologia medicaI laser rubino sono stati utilizzati perrimozione del tatuaggio,trattamento della pigmentazione, erinfrescamento della pellea causa dei loro impulsi brevi e ad alta energia. Ricerca scientifica dei materialiUtilizzato in studi che coinvolgono l'interazione luce-materia, la rottura indotta dal laser e gli esperimenti di riscaldamento pulsato. LIDAR e rangefindingGli impulsi rossi ad alta energia sono efficaci per misurare lunghe distanze e rilevare le superfici con precisione. Conclusioni Ilcon una lunghezza di 20 mm o più ma non superiore a 20 mmSfruttando la dinamica energetica dello zaffiro dopato di cromo,ha permesso la prima dimostrazione di successo dell'amplificazione della luce coerenteMentre le nuove tecnologie hanno preso il loro posto nelle applicazioni tradizionali, l'influenza del laser rubino persiste sia nel patrimonio scientifico che nei casi di utilizzo specializzati.Non serve solo come strumento funzionale, ma anche come simbolo di ingegno scientifico e dell'inizio dell'era del laser..

2025

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