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4 Inch Semi-Insulating Indium Phosphide InP Wafer For LD Laser Diode

Wafer d'isolamento a 4 pollici del InP del fosfuro di indio per il diodo laser di LD

  • Evidenziare

    wafer del inp

    ,

    substrato del MgO

  • materiali
    Monocristallo del InP
  • Industria
    substrati a semiconduttore, dispositivo,
  • Colore
    Nero
  • Tipo
    tipo semi-
  • Diametro
    100mm 4inch
  • Spessore
    625um o 350um
  • Luogo di origine
    La Cina
  • Marca
    zmkj
  • Numero di modello
    InP-3inch
  • Quantità di ordine minimo
    10pcs
  • Prezzo
    by case
  • Imballaggi particolari
    singola cassa del wafer
  • Tempi di consegna
    3-4weeks
  • Capacità di alimentazione
    1000pcs/month

Wafer d'isolamento a 4 pollici del InP del fosfuro di indio per il diodo laser di LD

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Il InP presenta

                                                                                                         
Monocristallo del InP
Wafer d'isolamento a 4 pollici del InP del fosfuro di indio per il diodo laser di LD 0

Wafer d'isolamento a 4 pollici del InP del fosfuro di indio per il diodo laser di LD 1

 la crescita (metodo modificato di Czochralski) è usata per tirare un singolo

 

cristallo attraverso un liquido borico dell'ossido encapsulant a partire da un seme.

Il dopant (Fe, S, Sn o Zn) si aggiunge al crogiolo con il polycrystal. L'alta pressione si applica dentro la camera per impedire la decomposizione della società dell'indio Phosphide.he ha sviluppato un processo per rendere l'elevata purezza completamente stechiometrica e ed il monocristallo basso del inP di densità di dislocazione.

La tecnica del tCZ migliora sopra i ringraziamenti di metodo di LEC

ad una tecnologia termica del deflettore in relazione ad un numerico

modellistica degli stati termici di crescita. il tCZ è un redditizio

tecnologia matura con riproducibilità di alta qualità dal boule al boule

 

Specificazione

                                                                                                   

 

Il Fe ha verniciato il InP

Specifiche d'isolamento del InP

Metodo di crescita VGF
Dopant Ferro (Fe)
Forma del wafer Giro (diametro: 2", 3" E 4")
Orientamento di superficie (100) ±0.5°

Orientamenti del *Other forse disponibili su richiesta

Resistività (Ω.cm) ≥0.5 × 107
Mobilità (cm2/V.S) ≥ 1.000
Densità del passo incissione all'acquaforte (cm2) 1,500-5,000

 

Diametro del wafer (millimetri) 50.8±0.3 76.2±0.3 100±0.3
Spessore (µm) 350±25 625±25 625±25
TTV [P/P] (µm) ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10
TTV [P/E] (µm) ≤ 10 ≤ 15 ≤ 15
FILO DI ORDITO (µm) ≤ 15 ≤ 15 ≤ 15
DI (millimetri) 17±1 22±1 32.5±1
DI/SE (millimetri) 7±1 12±1 18±1
Polish* E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

Nota: Altre specifiche forse disponibili su richiesta

 

n- ed InP p tipo

Specifiche semicondutrici del InP

Metodo di crescita VGF
Dopant n tipo: S, Sn ED Undoped; p tipo: Zn
Forma del wafer Giro (diametro: 2", 3" E 4")
Orientamento di superficie (100) ±0.5°

Orientamenti del *Other forse disponibili su richiesta

Dopant S & Sn (n tipi) Undoped (n tipo) Zn (p tipo)
Concentrazione in trasportatore (cm-3) (0.8-8) × 1018 × 1015 (di 1-10) (0.8-8) ×1018
Mobilità (cm2/V.S.) × 103 (di 1-2.5) × 103 (di 3-5) 50-100
Densità del passo incissione all'acquaforte (cm2) 100-5,000 ≤ 5000 ≤ 500
Diametro del wafer (millimetri) 50.8±0.3 76.2±0.3 100±0.3
Spessore (µm) 350±25 625±25 625±25
TTV [P/P] (µm) ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10
TTV [P/E] (µm) ≤ 10 ≤ 15 ≤ 15
FILO DI ORDITO (µm) ≤ 15 ≤ 15 ≤ 15
DI (millimetri) 17±1 22±1 32.5±1
DI/SE (millimetri) 7±1 12±1 18±1
Polish* E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

Nota: Altre specifiche forse disponibili su richiesta

 

Elaborazione del wafer del InP
Wafer d'isolamento a 4 pollici del InP del fosfuro di indio per il diodo laser di LD 0
Ogni lingotto è wafer incisi che sono avvolti, lucidato e superficie pronto per l'epitassia. Il processo globale è dettagliato qui sotto.

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Specificazione ed identificazione piane L'orientamento è indicato sui wafer da due appartamenti (lungamente piani per l'orientamento, il piccolo appartamento per identificazione). La norma di E.J. (europea-nipponica) è usata solitamente. La configurazione piana alterna (Stati Uniti) principalmente è usata per Ø 4" wafer.
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Orientamento del boule I wafer esatti (100) o misoriented sono offerti.
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Accuratezza dell'orientamento di DI In risposta ai bisogni dell'industria optoelettronica, noi wafer di offerte con accuratezza eccellente del dell'orientamento: < 0="">
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Profilo del bordo Ci sono due spec. comuni: bordo chimico che elabora o che elabora meccanico del bordo (con una smerigliatrice del bordo).
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Lucidatura I wafer sono lucidati per mezzo di un processo prodotto-meccanico con conseguente superficie piana e senza danno. forniamo entrambi i (con il lato avvolto ed indietro inciso) wafer lucidati lucidati e lati unico lati doppio.
Wafer d'isolamento a 4 pollici del InP del fosfuro di indio per il diodo laser di LD 3
Preparazione della superficie ed imballaggio finali I wafer passano con molti punti chimici eliminare l'ossido prodotto durante la lucidatura e creare una superficie pulita con lo strato stabile ed uniforme dell'ossido che è pronto per la crescita epitassiale - la superficie epiready e quella riduce gli oligoelementi ad estremamente - bassi livelli. Dopo ispezione finale, i wafer sono imballati in un modo che mantiene la pulizia di superficie.
Le istruzioni specifiche per rimozione dell'ossido sono disponibili per tutti i tipi di tecnologie epitassiali (MOCVD, MBE).
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Base di dati Come componente del nostro programma statistico qualità totale/del controllo dei processi, l'estesa base di dati che registra le proprietà elettriche e meccaniche per ogni lingotto come pure analisi di superficie di cristallo e di qualità di wafer è disponibile. In ogni fase di montaggio, il prodotto è ispezionato prima del passaggio alla fase seguente per mantenere un alto livello di consistenza di qualità dal wafer al wafer e dal boule al boule.

 

Wafer d'isolamento a 4 pollici del InP del fosfuro di indio per il diodo laser di LD 10Wafer d'isolamento a 4 pollici del InP del fosfuro di indio per il diodo laser di LD 11

Wafer d'isolamento a 4 pollici del InP del fosfuro di indio per il diodo laser di LD 12

Pacchetto & consegna

 

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FAQ:

Q: Che cosa è il vostri MOQ e termine di consegna?

: (1) per l'inventario, il MOQ è 5 pc.

(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 10-30 pc su.

  (3) per i prodotti su misura, il termine di consegna in 10days, dimensione custiomzed per 2-3weeks