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2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material stante
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2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material stante

Luogo di origine La Cina
Marca zmkj
Numero di modello GaN-non-polare
Dettagli del prodotto
Materiale:
Monocristallo di GaN
Metodo:
HVPE
Dimensione:
10x10mm, 5x5mm
Spessore:
350um
Industria:
LD, principale, dispositivo del laser, rivelatore,
Superficie:
canti o il doppio lato poliseed
Grado:
per il LD
Tipo:
GaN Substrates indipendente non polare
Evidenziare: 

substrato gan

,

modello gan

Descrizione di prodotto

Modello di substrati GaN da 2 pollici, wafer GaN per LeD, wafer di nitruro di gallio semiconduttore per ld, modello GaN, wafer GaN mocvd, substrati GaN autoportanti di dimensioni personalizzate, wafer GaN di piccole dimensioni per LED, wafer di nitruro di gallio mocvd 10x10mm, 5x5mm, 10x5mm GaN wafer, substrati GaN indipendenti non polari (a-plane e m-plane)

 

Caratteristica del wafer GaN

Prodotto Substrati di nitruro di gallio (GaN).
Descrizione del prodotto: Il modello Saphhire GaN è presentato con il metodo dell'epitassia della fase vapore dell'idruro epitxiale (HVPE).Nel processo HVPE, l'acido prodotto dalla reazione GaCl, che a sua volta viene fatto reagire con ammoniaca per produrre fusione di nitruro di gallio.Il modello GaN epitassiale è un modo economico per sostituire il substrato a cristallo singolo di nitruro di gallio.
Parametri tecnici:
Misurare 2 "tondo; 50 mm ± 2 mm
Posizionamento del prodotto Asse C <0001> ± 1,0.
Tipo di conducibilità Tipo N & Tipo P
Resistività R <0.5Ohm-cm
Trattamento superficiale (faccia Ga) COME cresciuto
RMS <1 nm
Superficie disponibile > 90%
Specifiche:

 

Film epitassiale GaN (Piano C), tipo N, 2"* 30 micron, zaffiro;

Film epitassiale GaN (Piano C), tipo N, 2"* 5 micron zaffiro;

Film epitassiale GaN (Piano R), tipo N, 2"* 5 micron zaffiro;

Film epitassiale GaN (Piano M), tipo N, 2"* 5 micron zaffiro.

film AL2O3 + GaN (Si drogato di tipo N);Film AL2O3 + GaN (Mg drogato di tipo P)

Nota: in base alla richiesta del cliente orientamento e dimensioni speciali della spina.

Imballaggio standard: 1000 clean room, 100 buste pulite o confezione singola

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material stante 0

Applicazione

GaN può essere utilizzato in molte aree come display a LED, rilevamento e imaging ad alta energia,
Display di proiezione laser, dispositivo di alimentazione, ecc.

  • Display di proiezione laser, dispositivo di alimentazione, ecc.
  • Archiviazione della data
  • Illuminazione a risparmio energetico
  • Display a colori a colori
  • Proiezioni laser
  • Dispositivi elettronici ad alta efficienza
  • Dispositivi a microonde ad alta frequenza
  • Rilevamento e immaginazione ad alta energia
  • Nuova energia tecnologia solor idrogeno
  • Ambiente Rilevazione e medicina biologica
  • Sorgente luminosa banda terahertz

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material stante 1 
 
Specifiche:

 

Specifica del modello GaN

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material stante 2

 
File di specifica GaN indipendente da 2 ~ 4 pollici
Articolo GaN-FS-CU-C50 GaN-FS-CN-C50 GaN-FS-C-SI-C50
Dimensioni e 50,8 mm ± 1 mm
Spessore 350 ± 25:00
Superficie utilizzabile > 90%
Orientamento Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse M 0,35° ± 0,15°
Orientamento piatto (1-100) ±0,5°, 16,0 ±1,0 mm
Orientamento secondario piatto (11-20) ±3°, 8,0 ±1,0 mm
TTV(Variazione Spessore Totale) < 15:00
ARCO < 20:00
Tipo di conduzione Tipo N Tipo N Semi-isolante (drogato con Fe)
Resistività (3O0K) < 0,1 Q·cm < 0,05 Q・cm >106Q・cm
Densità di dislocazione Da 1x105 cm-2 a 3x106 cm-2
Lucidatura Superficie frontale: Ra <0,2 nm (lucidata);o < 0,3 nm (lucidatura e trattamento superficiale per epitassia)
Superficie posteriore: 0,5~1,5 pm;opzione: 1~3 nm (terra fine);< 0,2 nm (lucidato)
Pacchetto Confezionato in camera bianca di classe 100, in contenitori singoli di wafer, sotto atmosfera di azoto.
 
misurare Substrati GaN 4”.
Articolo GaN-FS-N
Dimensione dimensioni Ф 100,0 mm ± 0,5 mm
Spessore del substrato 450 ± 50 µm
Orientamento del substrato Asse C (0001) verso l'asse M 0,55± 0,15°
Polacco SSP o DSP
Metodo HVP
ARCO <25um
TTV <20um
Rugosità <0,5 nm
resistività 0.05ohm.cm
Drogante
(002) FWHM e (102) FWHM
<100arco
Quantità e dimensione massima dei fori
e fosse
Grado di produzione ≤23@1000 um; Grado di ricerca ≤68@1000 um
Grado fittizio ≤112@1000 um
Zona utilizzabile livello P>90%;R level>80%: Dlevel>70%(esclusione bordi e macro difetti)

 

  Substrati GaN autoportanti non polari (a-plane e m-plane)
Articolo GaN-FS-a GaN-FS-m
Dimensioni 5,0 mm × 5,5 mm
5,0 mm × 10,0 mm
5,0 mm × 20,0 mm
Dimensione personalizzata
Spessore 330 ± 25 µm
Orientamento piano a ± 1° piano m ± 1°
TTV ≤15 µm
ARCO ≤20 µm
Tipo di conduzione Tipo N
Resistività (300K) < 0,5Ω·cm
Densità di dislocazione Meno di 5x106 cm-2
Superficie utilizzabile > 90%
Lucidatura Superficie frontale: Ra <0,2 nm.Epi-ready lucidato
Superficie posteriore: macinata fine
Pacchetto Confezionato in camera bianca di classe 100, in contenitori singoli di wafer, sotto atmosfera di azoto.

 

 

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material stante 3

2.ZMKJ fornisce wafer GaN all'industria microelettronica e optoelettronica con diametro da 2 "a 4".

I wafer epitassiali GaN sono cresciuti con il metodo HVPE o MOCVD, possono essere utilizzati come substrato ideale ed eccellente per dispositivi ad alta frequenza, alta velocità e alta potenza.Attualmente siamo in grado di offrire wafer epitassiale GaN per la ricerca fondamentale e lo sviluppo di prodotti per dispositivi, incluso il modello GaN, AlGaN

e InGaN.Oltre al wafer standard basato su GaN, sei invitato a discutere la struttura del tuo strato epi.
 
2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material stante 4

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