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Dummy Grade  6Inch Sic Substrate Wafer Dia150mm 4H-N 500mm Thickness

Spessore fittizio del wafer Dia150mm 4H-N 500mm del substrato del grado 6Inch sic

  • Evidenziare

    sic wafer

    ,

    sic substrato

  • applicazioni
    dispositivo, principale, 5G, rivelatore, elettronica di potenza
  • industria
    wafer di semicondctor
  • materiale
    semiconduttore sic
  • colore
    verde o bianco o blu
  • durezza
    9,0
  • tipo
    4H, 6H, verniciato, NO--verniciato,
  • Luogo di origine
    La Cina
  • Marca
    zmsh
  • Numero di modello
    6inch-001
  • Quantità di ordine minimo
    1pcs
  • Prezzo
    by case by FOB
  • Imballaggi particolari
    Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, in cassette di singoli contenitori d
  • Tempi di consegna
    all'interno di 40days
  • Capacità di alimentazione
    50pcs/months

Spessore fittizio del wafer Dia150mm 4H-N 500mm del substrato del grado 6Inch sic

6inch sic substrati, 6inch sic wafer, lingotti sic di cristallo,

blocco sic a cristallo, sic substrati a semiconduttore, wafer del carburo di silicio

 

Diametro a 6 pollici, specificazione del substrato del carburo di silicio (sic)  
Grado Grado zero di MPD Grado di produzione Grado di ricerca Grado fittizio
Diametro 150,0 mm±0.2mm
ThicknessΔ 350 μm±25μm o 500±25un
Orientamento del wafer Fuori dall'asse: 4.0° verso< 1120=""> ±0.5° per l'asse di 4 H-N On: <0001> ±0.5° per 6H-SI/4H-SI
Piano primario {10-10} ±5.0°
Lunghezza piana primaria 47,5 mm±2.5 millimetro
Esclusione del bordo 3 millimetri
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤40μm/≤60μm
Densità di Micropipe cm2 ≤1 cm2 ≤5 cm2 ≤15 cm2 ≤100
Resistività 4H-N 0.015~0.028 Ω·cm
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm
Rugosità Ra≤1 polacco nanometro
CMP Ra≤0.5 nanometro
Crepe da luce ad alta intensità Nessuno 1 conceduto, ≤2 millimetro ≤ cumulativo 10mm, singolo length≤2mm di lunghezza
Piatti della sfortuna da luce ad alta intensità Area cumulativa ≤1% Area cumulativa ≤2% Area cumulativa ≤5%
Aree di Polytype da luce ad alta intensità Nessuno Area≤2% cumulativo Area≤5% cumulativo
Graffi da luce ad alta intensità 3 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer 5 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer 5 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer
Chip del bordo Nessuno 3 conceduti, ≤0.5 millimetro ciascuno 5 conceduti, ≤1 millimetro ciascuno
Contaminazione da luce ad alta intensità Nessuno
Spessore fittizio del wafer Dia150mm 4H-N 500mm del substrato del grado 6Inch sic 0
Poiché il cristallo di dimensione 6inch coltiva le difficoltà tecniche dei &process (avvolti e che lucidano), possiamo fornire appena il grado fittizio 6inch come prodotti comuni in 30days e le produzioni classificano ma dovendo essere riservato a 90days.
 
 
Circa la nostra società
SHANGHAI CO. COMMERCIALE FAMOSO, srl individua nella città di Shanghai, che è la migliore città della Cina e la nostra fabbrica è fondata nella città di Wuxi nel 2014.
Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati e parts.components di vetro ottico custiomized ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'optoelettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S.
È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dai nostri buoni reputatiaons.
Spessore fittizio del wafer Dia150mm 4H-N 500mm del substrato del grado 6Inch sic 1Spessore fittizio del wafer Dia150mm 4H-N 500mm del substrato del grado 6Inch sic 2Spessore fittizio del wafer Dia150mm 4H-N 500mm del substrato del grado 6Inch sic 3