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Spessore di GaN Wafer 350um del nitruro di gallio dell'esposizione della proiezione del laser

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Spessore di GaN Wafer 350um del nitruro di gallio dell'esposizione della proiezione del laser

Laser Projection Display Gallium Nitride GaN Wafer 350um Thickness
Laser Projection Display Gallium Nitride GaN Wafer 350um Thickness Laser Projection Display Gallium Nitride GaN Wafer 350um Thickness

Grande immagine :  Spessore di GaN Wafer 350um del nitruro di gallio dell'esposizione della proiezione del laser

Dettagli:

Luogo di origine: La Cina
Marca: zmkj
Numero di modello: GaN-2INCH

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 1PC
Prezzo: by case
Imballaggi particolari: singola cassa del wafer nella stanza di pulizia di 100 gradi
Tempi di consegna: 2-quattro settimane
Termini di pagamento: L / C, T / T
Descrizione di prodotto dettagliata
Materiale: Monocristallo di GaN Metodo: HVPE
Dimensione: 2inch Spessore: 330um
Industria: LD, principale, dispositivo del laser, rivelatore, Colore: Bianco
PACCHETTO: singolo pacchetto della cassa della cassetta del wafer dallo stato di vuoto
Evidenziare:

gan template

,

aln template

substrati indipendenti di 2inch GaN, wafer per il LD, wafer semiconduttore di GaN del nitruro di gallio per principale, modello di GaN, substrati di 10x10mm GaN, wafer indigeno di GaN,

 

  1. III-nitruro (GaN, AlN, locanda)

Copertura severa di larghezza di banda (luminescente ed assorbimento) l'ultravioletto, la luce visibile e l'infrarosso.

Spessore di GaN Wafer 350um del nitruro di gallio dell'esposizione della proiezione del laser 0Spessore di GaN Wafer 350um del nitruro di gallio dell'esposizione della proiezione del laser 1

 

 

GaN può essere utilizzato in molte aree quali l'esposizione di LED, la rilevazione ad alta energia e la rappresentazione,

Esposizione della proiezione del laser, dispositivo di potere, ecc.

Spessore di GaN Wafer 350um del nitruro di gallio dell'esposizione della proiezione del laser 2

 

Specifiche:

Oggetto GaN-FS-n
Dimensioni ± 1mm di Ф 50.8mm
Densità di difetto di Marco Un livello ≤ 2 cm-2
Livello di B > 2 cm-2
Spessore 300 µm del ± 25
Orientamento ± 0.5° di C-asse (0001)
Orientamento piano ± 0.5°, (di 1-100) ± 16,0 1.0mm
Orientamento secondario piano ± 3°, 8,0 ± 1.0mm (di 11-20)
TTV (variazione totale di spessore) µm ≤15
ARCO µm ≤20
Tipo di conduzione N tipo
Resistività (300K) < 0="">
Densità di dislocazione Di meno che 5x106 cm-2
Area utilizzabile > 90%
Polacco

Superficie anteriore: Ra < 0="">

Superficie posteriore: Terra fine

Pacchetto Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, in singoli contenitori del wafer, nell'ambito di un'atmosfera dell'azoto.

 

2. La nostra visione di impresa

forniremo il substrato di GaN di alta qualità e la tecnologia dell'applicazione per l'industria.

L'alta qualità GaNmaterial è il fattore di repressione per l'applicazione dei III-nitruri, per esempio lunga vita

ed alta stabilità LDs, alto potere ed alti dispositivi di a microonde di affidabilità, alta luminosità

ed alta efficienza, LED economizzatore d'energia.

 

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- FAQ –
Q: Che cosa potete assicurare la logistica ed il costo?
(1) accettiamo DHL, Fedex, TNT, UPS, lo SME, SF ed ecc.
(2) se avete vostro proprio numero preciso, è grande.
Se non, potremmo assistervi per consegnare. Freight=USD25.0 (il primo peso) + USD12.0/kg

Q: Che cosa è il termine di consegna?
(1) per i prodotti standard quale il wafer di 2inch 0.33mm.
Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo ordine.
Per i prodotti su misura: la consegna è 2 o 3 settimane lavorative dopo ordine.

Q: Come pagare?
100%T/T, Paypal, unione ad ovest, MoneyGram, pagamento sicuro ed assicurazione di commercio.

Q: Che cosa è il MOQ?
(1) per l'inventario, il MOQ è 1pcs.
(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 5pcs-10pcs.
Dipende dalla quantità e dalle tecniche.

Q: Avete rapporto d'ispezione per materiale?
Possiamo fornire i rapporti di rapporto e di portata di ROHS per i nostri prodotti.

 

 

Dettagli di contatto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Persona di contatto: Wang

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