Apparecchiature per l'assottigliamento di wafer

Chiacchierare Contattici

Apparecchiature per l'assottigliamento di wafer

Altri video

April 15, 2025

Connessione Categoria: Attrezzatura a semiconduttore

Chiacchierare Contattici

Questa apparecchiatura consente di sottilizzare con precisione materiali semiconduttori fragili da 4 a 12 pollici, tra cui il silicio (Si), il carburo di silicio (SiC), l'arsenide di gallio (GaAs) e i substrati di zaffiro,ottenendo una precisione di controllo dello spessore di ±1 μm e una variazione totale dello spessore (TTV) ≤2 μm per soddisfare i severi requisiti della fabbricazione avanzata di imballaggi e dispositivi di potenza.

Etichette:

#4 pollici forno per la crescita di lingotti di SiC #8 pollici forno per la crescita di lingotti di SiC #6 pollici forno per la coltivazione di lingotti di SiC

Riassunto: Scopri il sistema di assottigliamento wafer Precision Thinning Equipment, compatibile con wafer SiC, Si, GaAs e zaffiro da 4-12 pollici. Ottieni un controllo dello spessore di ±1 μm e un TTV ≤2 μm per l'imballaggio avanzato e la fabbricazione di dispositivi di potenza. Ottimizzato per semiconduttori a banda larga come il SiC.

Caratteristiche del prodotto correlate:

Precision thinning for 4-12inch brittle semiconductor materials including Si, SiC, GaAs, and sapphire.
Raggiunge una precisione di controllo dello spessore di ±1 μm e TTV ≤2 μm.
Parametri di rettifica ottimizzati e processi di lucidatura per diverse proprietà dei materiali.
Monitoraggio integrato e automatizzato dello spessore in tempo reale per prestazioni stabili.
Soluzioni personalizzabili per prodotti irregolari.
Smalzaggio a fusione in-feed ad alta precisione con precisione di lavorazione superiore.
Funzionamento facile da usare con HMI ergonomica e controllo preciso dell'asse Z.
Supporta modalità di funzionamento full-auto e semi-auto con misurazione dello spessore in tempo reale.

FAQ:

L'apparecchiatura di sottilizzazione dei wafer supporta la personalizzazione?

Sì, forniamo soluzioni completamente personalizzate, compresi i cernieri specializzati per wafer irregolari e lo sviluppo di ricette su misura.
Qual è la precisione di controllo dello spessore che possono raggiungere le macchine per l'assottigliamento dei wafer?

I modelli premium raggiungono un'uniformità dello spessore di ± 0,5 μm con TTV≤1 μm (sistema di monitoraggio dello spessore dell'interferometria laser).
What materials are compatible with the Wafer Thinning System?

The system is compatible with 4-12inch brittle semiconductor materials including silicon (Si), silicon carbide (SiC), gallium arsenide (GaAs), and sapphire substrates.

Altri video

July 15, 2025

Apparecchiature per l'assottigliamento di wafer

Sistema di sottilizzazione dei wafer attrezzature di sottilizzazione di precisione Wafer SiC Si compatibile 4 -12 pollici Wafer capacità

Marcatrice laser CO₂ Incisione automatica di immagini e testo con laser CO₂

MACCHINA PER MARCATURA LASER A POMPA FINALE 8W-40W, lunghezza d'onda laser 1064nm

Marcatrice laser a pompa finale 6W-30W marcatura ad alta precisione lunghezza d'onda 1064nm

Macchina di taglio laser a CO2 40W-600W Precisione di posizionamento ± 0,05 mm

Wafer di zaffiro Ti+ Al2O3, Lente in vetro di cristallo di zaffiro drogato al titanio

Substrato di vetro perforato con via passante (TGV) per wafer TGV Sapphire

Coni Luce Zaffiro

Pad antiscivolo bionico, alta frizione, bassa adesione, per il trasporto di wafer, ventose con pad di attrito bionico

Il carburo di silicio (SiC) di grado A può essere tagliato in punte da trapano Mosan.

Sistema di separazione laser per substrati SiC

Macchina di marcatura laser a CO2

Macchine di marcatura laser a pompa terminale

Macchina di taglio laser a CO2

Macchina di marcatura laser UV