SrLaaAlO4 Strontium Lanthanum Aluminate substrato 10x10x0.5mmt, 5x5x1mmt Personalizzato
The lanthanum strontium aluminate (LaSrAlO4) crystal substrate has emerged as the preferred choice for high-temperature superconducting thin film deposition due to its exceptional lattice matching characteristicsQuesto materiale, caratterizzato da una struttura cristallina tetragonale stabile, mantiene l'integrità strutturale anche al suo elevato punto di fusione di 1650°C, mentre la sua elevata densità (5.92 g/cm3) e costante dielettrica (16.8) forniscono condizioni fondamentali ottimali per la crescita del film superconduttore.possono essere ottenuti substrati cristallini di alta qualità con diversi orientamenti e dimensioni per soddisfare le diverse esigenze di ricerca e applicazioneIn particolare, questo materiale non presenta transizioni di fase in un ampio intervallo di temperatura, prevenendo efficacemente i difetti della struttura cristallina indotti dalle variazioni termiche.
Parametri tecnici
| Principali parametri di prestazione |
| sistema cristallino |
quadrato |
| Metodo di crescita |
Tirafa |
| Costante di reticolo |
a=3,756Å c=12,63 Å |
| Punto di fusione (°C) |
1650 |
| densità |
5.92 ((g/cm3) |
| durezza |
6-6.5 (mohs) |
| Costante dielettrica ε |
- 22. |
| dimensione |
10×3, 10×5, 10×10, 15×15, 20×15, 20×20, |
| F15, F20, F1′′, F2′′ |
| spessore |
0.5 mm,1.0 mm |
| lucidato |
di larghezza superiore a 50 mm |
| Orientazione cristallina |
Classificazione: |
| Precisione di orientamento del piano: |
± 0,5° |
| Accuratezza di orientamento del bordo: |
2° (fino a 1° per esigenze particolari) |
| Oggetti di legno |
I wafer con piani cristallini orientati ai bordi, inclinati ad angoli specifici (1°-45°) possono essere lavorati secondo esigenze specifiche |
| Ra: |
≤ 5 μm × 5 μm |
| confezionamento |
Classe 100 sacchetto pulito, classe 1000 stanza pulita |
Caratteristiche chiave
Caratteristiche della struttura cristallina:Dispone di una configurazione di tipo perovskite analoga a SrTiO3, pur dimostrando un'integrità strutturale superiore e una ridotta densità di difetti del reticolo.
Compatibilità epitassiale:Mostra parametri di reticolo altamente compatibili con i superconduttori cuprati come YBCO, fornendo un modello ideale per la crescita di film epitaxiale superconduttore di alta qualità.
Stabilità termodinamica:Dispone di un comportamento di espansione termica più moderato rispetto ai materiali perovskitici convenzionali, riducendo significativamente lo stress di disallineamento termico durante i processi eteroepitaxiali.
Proprietà dielettriche:La sua bassa costante dielettrica la rende eccezionalmente adatta per applicazioni a microonde e ad alta frequenza.
Applicazioni
-Dispositivi elettronici superconduttori:Con un'eccezionale compatibilità reticolare, funge da materiale di substrato preferito per la fabbricazione di film sottili superconduttori REBCO.
-Componenti elettronici ad alta frequenza:Le sue proprietà dielettriche uniche lo rendono estremamente utile per i dispositivi di comunicazione 5G/6G.
-Tecnologia eteroepitaxiale:Fornisce un'interfaccia atomicamente piatta e stabile per la crescita di film sottili di ossido complessi.
-Ricerca di materiali all'avanguardia:Supporta la preparazione e la caratterizzazione di nuovi materiali quantistici quali isolanti topologici.
Visualizzazione del prodotto
ZMSH offre wafer di cristallo stronzio-lantanum aluminato (SrLaAlO4) personalizzati appositamente progettati per soddisfare le rigide esigenze dei superconduttori ad alta temperatura e delle applicazioni ad alta frequenza.I nostri substrati cristallini su misura sono progettati per supportare iniziative di ricerca e sviluppo all'avanguardia, garantendo basi di qualità superiore per varie tecnologie avanzate.
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