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Lastra di silicio di IC
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| Luogo di origine | La Cina |
| Marca | ZMSH |
| Certificazione | ROHS |
| Numero di modello | Silicon004 |
Le nostre lastre di silicio di alta qualità di IC sono fatte del materiale superiore del silicio e sono disponibili in wafer a 6 pollici, a 4 pollici, a 6 pollici e a 8 pollici di SOI. La superficie di queste lastre di silicio di IC è esente da tutti i difetti e dalle gamme di resistività da 1 a 10 ohm. Inoltre, la densità della particella sulla superficie di queste lastre di silicio di SOI è di meno di 30 per cm2 e filo di ordito sono di meno che 20um. Le nostre lastre di silicio di IC sono ampiamente usate nella produzione dei semiconduttori e dei circuiti integrati.
| Proprietà | Valore |
|---|---|
| Planarità | <50um> |
| Finitura superficia | SSP/DSP |
| Prova | Sì |
| Orientamento | (100), (110), (111) |
| Resistività | 1~10ohm |
| Dimensione | 1inch, 2inch, 3inch, 4inch, 6inch, 8inch, 12inch |
| Spessore | 0.28/ 0,35/0,5/0,525/0,625/0,7/0,725 |
| Arco | <10um> |
| Dopant | /N-type P tipo |
| Materiale | Silicio |
| Processo | LPCVD, substrato del rivestimento SiO2, wafer di PECVD SIO2 |
La lastra di silicio di IC di ZMSH è un wafer ad alto rendimento con una superficie ultrasottile ed ad alto rendimento. È estremamente adatto a fabbricazione a semiconduttore di IC, fornendo un substrato affidabile per la lavorazione dei circuiti integrati. Il modello Silicon004 ha uno spessore di 0.28/0.35/0.5/0.525/0.625/0.7/0.725 e una quantità di ordine minimo di 25PC. La certificazione di ROHS è disponibile ed ogni singolo wafer ha subito il controllo di qualità rigoroso con un valore di TTV di di meno che 10um. È disponibile nelle dimensioni 4inch, 6inch e 8inch e tre orientamenti (100), (110), (111). La superficie può essere personalizzata con rivestimento SiO2. Il prezzo è fatto attraverso il caso ed il termine di consegna è all'interno di 30days. I termini di pagamento sono T/T e l'abilità del rifornimento è 2000PC/months.
La lastra di silicio di IC di ZMSH è la scelta perfetta per fabbricazione a semiconduttore di IC, con la sua superficie ultrasottile ed ad alto rendimento. È un substrato ideale per i wafer di 4inch, di 6inch e di 8inch SOI ed il suo rivestimento SiO2 assicura una superficie affidabile e durevole. Tutte le lastre di silicio di IC sono provate rigorosamente, senza i difetti e un valore di TTV di di meno che 10um. Ciò è la scelta perfetta per chiunque che cerca un wafer ultrasottile e ad alto rendimento per fabbricazione a semiconduttore di IC.
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