8Y-ZrO2 biossido di zirconio su misura buona qualità ZrO2 Rod ceramico
1.ZrO2 Rod Technical Data ceramico
Proprietà ceramiche di PSZ | ||
PROPRIETÀ |
Unità | Biossido di zirconio ceramico |
Al2O3(ZrO2) Contenuto | WT % | ≥ 94 |
Densità |
G /CM3 |
6,00 |
Durezza (HRA) | ≥ di HRA | 90 |
Resistenza alla flessione | ≥ del MPa | 800 |
Temperatura massima di uso | ℃ | 1000 |
Gas-tenuta | Passaggio | |
Resistenza di shock termico | Passaggio | |
Coefficienti. del exp termico. | ×10-6/℃ | 10,0 |
Resistività di volume | Ω·cm 20℃ | 1014 |
Resistenza dielettrica | KV/mm, DC≥ | 20 |
Resistente agli'acidi | mg/cm2≤ | 2,0 |
Resistenza dell'alcali | mg/cm2≤ | 0,08 |
Abilità di usura | g/cm2≤ | 0,05 |
Resistenza alla compressione | ≥ di m. Pa | 2000 |
Resistenza alla trazione | ≥ di m. Pa | 600 |
Modulo elastico (giovane) | PA di G | 320 |
Conducibilità termica | W/m·K (20℃) | 2,6 |
Proprietà ceramiche di Y-FSZ |
||
Contenuto chimico | ZrO2 | 86 WT % |
Y2O3 | 14 WT % | |
Proprietà fisiche |
Punto di fusione | ≥2500℃ |
Temperatura di funzionamento di massimo | 2200℃ | |
Colore | Bianco | |
Densità | 5.8g/cm3 | |
Proprietà meccaniche | Resistenza alla flessione | 200MPa |
Modulo di Young | 200GPa | |
Durezza (HRA) | 86 | |
Proprietà termiche | Coefficiente di espansione termica (20℃) | 8-10X10-6 |
Conducibilità termica | 1-2W/mk | |
Proprietà elettriche | Costante dielettrica (1MHz25℃) | 12 |
Resistività elettrica (25℃) | 109 |
Applicazione:
Decices elettronici di vuoto, Cruibles, piatti dell'isolamento, condensatori, voli spaziali, traffico,
Tessuto, Petro Chemical, miniera, ingegneria farmaceutica, tecnica delle comunicazioni
e Archtectural, ecc.
La nostra fabbrica di cooperazione può ha applicato il processo del colata-nastro per la fabbricazione di
substrato dell'allumina. Con buona conducibilità termica, isolamento, resistenza di shock termico,
resistenza buona ed antiacido e
l'alcali ecc., i nostri substrati ceramici può essere utilizzato nei circuiti integrati ibridi del spesso-film (HIC),
Base ceramica di irradiamento del LED, modulo di potere, dispositivi a semiconduttore ed altri campi.
Abbiamo applicato il processo del colata-nastro per la fabbricazione del substrato dell'allumina.
Con buona conducibilità termica, isolamento, resistenza di shock termico, resistenza buona e
l'antiacido e l'alcali ecc., i nostri substrati ceramici possono essere utilizzati nell'ibrido del spesso-film integrato
circuiti (HIC), base ceramica di irradiamento del LED, modulo di potere, dispositivi a semiconduttore ed altri campi.
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