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Dettagli dei prodotti

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Lastra di silicio di IC
Created with Pixso. Wafer di silicio di 8 pollici di diametro 200 mm <111>Sfondore 700um P Tipo N Tipo di lucidatura singola doppia lucidatura

Wafer di silicio di 8 pollici di diametro 200 mm <111>Sfondore 700um P Tipo N Tipo di lucidatura singola doppia lucidatura

Marchio: zmkj
Numero di modello: Si-8 pollici
MOQ: 25pcs
prezzo: by case
Tempo di consegna: 5-30Giorni
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
La Cina
Materiale:
Si singolo cristallo
Industria:
Wafer a semiconduttore IC, solor, vetro ottico
Applicazione:
IC, wafer solare, lenti ottiche,
Dimensione:
diametro di 200 mm
Metodo:
Cz,Fz
Tipo:
Dopante: P (B), N (P)
Grado:
Grado primario/grado di prova
Imballaggi particolari:
casstle 25pcs nella stanza di pulizia di 100 gradi
Evidenziare:

substrato di silicio

,

lastra di silicio lucidata

Descrizione di prodotto

Descrizione del prodotto

Wafer di silicio 8 pollici Diametro 200 mm Spessore 700um P Tipo N Tipo single polishing doppia lucidatura

I wafer di silicio sono generalmente tagliati da barre di silicio monocristallino di alta purezza.e poi tagliato e lucidato per fare wafer di silicioI diametri comuni dei wafer in silicio sono di 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici, 12 pollici, ecc. Lo spessore del wafer è generalmente compreso tra 0,5 e 0,7 mm.I wafer di silicio possono essere dopati con diversi elementi di impurità (ePer i materiali di silicio di tipo n o di tipo p, è necessario utilizzare materiali di silicio di tipo n (ad esempio, fosforo, boro).Questo è importante per la produzione di vari circuiti integrati e dispositivi semiconduttoriLa superficie dei wafer di silicio deve essere lucidata, pulita e sottoposta ad altri trattamenti per rimuovere i difetti e le contaminazioni della superficie e garantire che la superficie del wafer sia piatta e liscia.

Wafer di silicio di 8 pollici di diametro 200 mm <111>Sfondore 700um P Tipo N Tipo di lucidatura singola doppia lucidatura 0


Caratteristiche

1.Struttura cristallina:Il silicio è un tipico semiconduttore elementare con una struttura cristallina di diamante regolare e una disposizione ordinata degli atomi, che fornisce una buona base per le sue proprietà elettroniche.
2.Caratteristiche elettroniche:La larghezza di banda del silicio è di circa 1,12 eV, che si trova tra l'isolatore e il conduttore, e può generare e ricombinare coppie di elettroni-buco sotto l'azione di un campo elettrico esterno,che presentano quindi buone proprietà di semiconduttore.
3.Doping:Il silicio può essere regolato incorporando elementi di impurità del gruppo III (ad esempio, B) o V (ad esempio, P, As) per regolare il suo tipo di conducibilità e la sua resistività,che fornisce la possibilità di fabbricare vari dispositivi semiconduttori.
4.Oxidabilità:Il silicio può reagire chimicamente con l'ossigeno ad alte temperature per formare una pellicola densa e uniforme di biossido di silicio (SiO2), che pone le basi per i processi di circuito integrato a base di silicio.
5.Proprietà meccaniche:Il silicio ha un'elevata durezza, resistenza e stabilità chimica, che favorisce il successivo taglio, lucidatura e altri processi di lavorazione.
6.Dimensioni e dimensioni:I wafer possono essere preparati in dischi di diametro da 2 a 12 pollici per soddisfare le esigenze di diversi processi.

Wafer di silicio di 8 pollici di diametro 200 mm <111>Sfondore 700um P Tipo N Tipo di lucidatura singola doppia lucidatura 1


Parametri tecnici

Wafer di silicio di 8 pollici di diametro 200 mm <111>Sfondore 700um P Tipo N Tipo di lucidatura singola doppia lucidatura 2


Applicazioni

1.circuiti integrati:I wafer di silicio sono i vettori principali per la produzione di vari circuiti integrati digitali (come CPU, memorie) e circuiti integrati analogici (come amplificatori e sensori operativi).
2.Cellule solari:I wafer di silicio sono trasformati in moduli di celle solari, ampiamente utilizzati nella generazione e nell'alimentazione distribuita di energia fotovoltaica.
3.Sistemi microelettromeccanici (MEMS):I dispositivi MEMS come microattuatori e sensori sono fabbricati utilizzando le proprietà meccaniche e le tecniche di microfabbricazione dei materiali al silicio.
3.elettronica di potenza:Produrre una vasta gamma di dispositivi semiconduttori di potenza basati sul silicio, con elevata tolleranza alle temperature e elevata capacità di carico.
4.Sensori:I sensori a base di silicio sono ampiamente utilizzati nelle apparecchiature elettroniche, nel controllo industriale, nell'elettronica automobilistica e in altri campi, come i sensori di pressione, i sensori di accelerazione, ecc.

Wafer di silicio di 8 pollici di diametro 200 mm <111>Sfondore 700um P Tipo N Tipo di lucidatura singola doppia lucidatura 3


I nostri servizi

1Fabbricazione diretta e vendita.

2Citazioni veloci e precise.

3Risponderemo entro 24 ore lavorative.

4. ODM: Disegno personalizzato è disponibile.

5Velocità e preziosa consegna.


Domande frequenti

1.D: Qual è il tempo di consegna?
A: (1) Per i prodotti standard
Per l'inventario: la consegna è di 5 giorni lavorativi dal momento dell'ordine.
Per i prodotti personalizzati: la consegna è di 2 o 3 settimane dopo l'ordine.
(2) Per i prodotti a forma speciale, la consegna è di 4 settimane lavorative dopo l'ordine.

2.D: Posso personalizzare i prodotti in base alle mie esigenze?
R: Sì, possiamo personalizzare il materiale, le specifiche per i vostri componenti ottici
in base alle vostre esigenze.