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Sic Tray：Ultra-high temperature resistance Uniform heat conduction Excellent thermal shock resistance

Marchio:	ZMSH
Numero di modello:	Vassoio Sic
MOQ:	25
Prezzo:	Fluctuates with market
Tempo di consegna:	4-9 settimane
Condizioni di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Shangai, Cina

Materiale:

SiC legato per reazione (RBSiC)/SiC ricristallizzato (RSiC)

Forma:

Rotondo/Quadrato/Rettangolare/Personalizzabile

Temperatura massima di esercizio:

1400℃ – 1700℃ (per grado di materiale)

Finitura superficiale:

Opaco come cotto/macinato fine/lavorato con precisione

Applicazione:

Ricottura di wafer semiconduttori/Sinterizzazione ceramica/Forno ad alta temperatura

Struttura:

Piatto Piano / Rialzato / Scanalato / Impilabile

Descrizione di prodotto

Product Overview SiC Tray (Silicon Carbide Tray) is a high-performance high-temperature bearing component made of polycrystalline silicon carbide engineering ceramic, manufactured via advanced sintering processes including Reaction Bonded (RBSiC), Recrystallized (RSiC) and Silicon Nitride Bonded (N-SiC) technologies. As an upgraded alternative to traditional alumina ceramic trays and fused quartz trays, it features outstanding high-temperature resistance, excellent thermal

Etichette:

Wafer dello zaffiro

Sic substrato

Zaffiro Windows ottico

Lastra di silicio di IC

Il cavo ha visto la macchina

Zaffiro sintetico Rod

Piatto del quarzo fuso

Parti dello zaffiro

Pietra preziosa sintetica

Attrezzatura a semiconduttore

Wafer LiNbO3

Wafer del fosfuro di indio

substrato ceramico

Involucro del laboratorio

Wafer del nitruro di gallio

Wafer di GaAs