Wafer da 2 pollici di arseniuro di gallio (GaAs) drogato con Zn per applicazioni LED e diodi laser

Panoramica del prodotto

Il wafer da 2 pollici di arseniuro di gallio (GaAs) drogato con Zn è un wafer semiconduttore di tipo p di alta qualità prodotto utilizzando il metodo di crescita cristallina Vertical Gradient Freeze (VGF). Il drogaggio con zinco fornisce caratteristiche elettriche di tipo p stabili e uniformi, consentendo prestazioni affidabili nella fabbricazione di dispositivi LED, diodi laser, optoelettronici e microelettronici.

Come semiconduttore III–V a gap diretto, il GaAs offre un'elevata mobilità dei portatori, una rapida risposta elettronica e un'eccellente efficienza ottica. Questo wafer viene fornito con orientamento cristallino (100), concentrazione di portatori controllata, bassa densità di etch pit e finiture superficiali lucidate, garantendo prestazioni di processo costanti e un'elevata resa dei dispositivi. Lo stretto controllo della planarità, della curvatura, della deformazione e della contaminazione da particelle supporta la lavorazione avanzata dei wafer e la crescita epitassiale utilizzando le tecniche MBE o MOCVD.

Con piani di orientamento opzionali, configurazioni di intaglio e marcatura laser sul retro, il wafer GaAs drogato con Zn da 2 pollici offre flessibilità per diversi flussi di processo e requisiti di identificazione. Le sue proprietà elettriche stabili e l'affidabile qualità della superficie lo rendono adatto sia per ambienti di ricerca che per la produzione in volume nella produzione di dispositivi optoelettronici e ad alta frequenza.

Specifiche tecniche – Wafer GaAs drogato con Zn da 2 pollici

Applicazioni

• Lavorazione wafer LED

• Fabbricazione di wafer per diodi laser

• Wafer per dispositivi optoelettronici

• Wafer elettronici RF e ad alta frequenza

Domande frequenti

Questo wafer GaAs è adatto per la produzione di LED e diodi laser?
Sì. Le caratteristiche elettriche di tipo p drogato con Zn, combinate con l'orientamento (100) e la concentrazione di portatori controllata, supportano l'emissione di luce stabile e prestazioni costanti dei dispositivi nella produzione di LED e diodi laser.

Questo wafer può essere utilizzato direttamente per la crescita epitassiale?
Sì. Il wafer viene fornito con superfici lucidate, bassa contaminazione da particelle e un rigoroso controllo della planarità, consentendo l'uso diretto nei processi di crescita epitassiale MBE o MOCVD.

Le specifiche del wafer possono essere personalizzate per diversi requisiti di processo?
Sì. Le opzioni come piani di orientamento, configurazione di intaglio, marcatura laser sul retro, finitura superficiale e parametri elettrici selezionati possono essere regolate su richiesta per soddisfare le esigenze specifiche delle apparecchiature e dei processi.

Prodotti correlati

Customized" width="400">

Wafer InAs drogato con Zn da 2 pollici Wafer di arseniuro di indio Dia 50 mm Spessore 500 um<100> Personalizzato