| Marchio: | ZMSH |
| MOQ: | 10 |
| Tempo di consegna: | 2-4 SETTIMANE |
| Condizioni di pagamento: | T/T |
Questo componente in ceramica a carburo di silicio personalizzato presenta una geometria di piastra circolare con un bordo a gradini lavorato con precisione.La struttura a gradini consente un posizionamento assiale accurato e un'integrazione stabile nelle camere di processo dei semiconduttori e nei sistemi termici avanzati.
Prodotto in ceramica SiC di alta purezza, il componente offre un'eccellente resistenza alle alte temperature, all'esposizione al plasma, alla corrosione chimica e allo shock termico.La superficie è lasciata intenzionalmente senza lucidare, in quanto il componente è progettato per un uso funzionale e strutturale piuttosto che per applicazioni ottiche o elettroniche.
Gli usi tipici comprendono coperture di camera, tappi di rivestimento, piastre di supporto,e componenti strutturali protettivi nelle apparecchiature di produzione di semiconduttori in cui la stabilità dimensionale a lungo termine e l'affidabilità dei materiali sono fondamentali.
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Materiale ceramico al carburo di silicio di alta purezza
Progettazione a gradini per posizionamento e montaggio precisi
Superficie macinata non lucidata ottimizzata per le prestazioni funzionali
Eccellente stabilità termica e bassa deformazione termica
Superiore resistenza al plasma, alle sostanze chimiche e ai gas corrosivi
Alta resistenza meccanica e rigidità
Adatti per ambienti a vuoto e a processi puliti
Dimensioni e geometrie personalizzate disponibili
| Parametro | Specificità |
|---|---|
| Materiale | Carburo di silicio (SiC) |
| Purezza | ≥ 99% (tipico) |
| Densità | 3.10 3,20 g/cm3 |
| Durezza | ≥ 2500 HV |
| Forza flessibile | ≥ 350 MPa |
| Modulo elastico | ~410 GPa |
| Conduttività termica | 120 200 W/m·K |
| Coefficiente di espansione termica (CTE) | ~4,0 × 10−6 /K |
| Temperatura massima di funzionamento | > 1600°C (in atmosfera inerte) |
| Temperatura massima di funzionamento (aria) | ~ 1400°C |
| Resistenza elettrica | Alto (disponibile grado di isolamento) |
| Finitura superficiale | Macinato / non lucidato |
| Piatto | Tolleranza personalizzata disponibile |
| Condizione del bordo | Camificati o specificati dal cliente |
| Compatibilità ambientale | Vacuo, plasma, gas corrosivi |
Nota: i parametri possono variare a seconda del grado di SiC, del metodo di formazione e dei requisiti di lavorazione.
Camere di processo a semiconduttori (CVD, PECVD, LPCVD, sistemi di incisione)
Cappelle e tappi per camere
Piastre di supporto strutturale in apparecchiature ad alta temperatura
Componenti in ceramica di plasma o adiacenti al plasma
Sistemi avanzati di elaborazione a vuoto
Parti strutturali in ceramica su misura per apparecchiature per semiconduttori e optoelettroniche
Diametro esterno e spessore personalizzati
Altezza e larghezza dei gradini personalizzati
Smallatura o lucidatura fine facoltativa su richiesta
Fabbricazione a partire da pezzi staccati
Sostenuta la produzione di piccoli lotti, prototipi e in volume
A:
Questo componente è utilizzato principalmente come parte ceramica strutturale o funzionale, come un coperchio della camera, una piastra di supporto o un tappo di rivestimento, in apparecchiature per semiconduttori e processi ad alta temperatura.La progettazione a gradini consente un posizionamento preciso e un montaggio stabile all'interno delle strutture dell'attrezzatura.
A:
La superficie non lucidata è intenzionale e non è utilizzata per funzioni ottiche o elettroniche, ma per scopi strutturali e di protezione.Le superfici di terra sono sufficienti e spesso preferite per una migliore stabilità meccanica e un costo di produzione ridotto nelle applicazioni in camera di processo.
A:
Il carburo di silicio offre un'eccellente resistenza all'erosione plasmatica e alla corrosione chimica, rendendolo adatto per applicazioni a fronte o adiacenti al plasma nelle camere di processo dei semiconduttori.
A:
Il materiale e il processo di produzione sono compatibili con gli ambienti a vuoto.La ceramica SiC presenta un basso rilascio di gas e mantiene la stabilità dimensionale in condizioni di vuoto e ciclo termico.
A:
Il diametro esterno, lo spessore, l'altezza del gradino, la larghezza del gradino e le caratteristiche dei bordi possono essere personalizzati in base ai disegni del cliente o alle esigenze dell'applicazione.
A:
Su richiesta è possibile fornire finitura superficiale opzionale, compresa la levigatura o la lucidatura, e possono essere disponibili anche rivestimenti a seconda dell'applicazione e dell'ambiente di funzionamento.
A:
Questo tipo di componente ceramico SiC è comunemente utilizzato nella produzione di semiconduttori, optoelettronica, sistemi a vuoto avanzati e attrezzature di elaborazione industriale ad alta temperatura.