| Marchio: | ZMSH |
| MOQ: | 10 |
| Tempo di consegna: | 2-4 settimane |
| Condizioni di pagamento: | T/T |
Effettore termico in ceramica SiC per la manipolazione di wafer - resistente alla corrosione e al calore per la lavorazione dei semiconduttori
Visualizzazione del prodotto:
Il nostroEffettore termico in ceramica SiC ad alta purezzaè progettato per una manipolazione precisa e affidabile dei wafer nei processi di produzione dei semiconduttori.questo effettivo termico è progettato per resistere alle condizioni estreme comunemente riscontrate nella lavorazione dei semiconduttoriCon la sua eccezionale resistenza termica e chimica, l'effettore termico SiC garantisce prestazioni superiori, sicurezza,e la longevità nella manipolazione di delicati wafer semiconduttori.
L'effettore finale è essenziale per varie operazioni critiche, tra cui il trasporto dei wafer, l'incisione, la deposizione e le prove.e bassa generazione di particelle, che sono fondamentali per mantenere l'integrità dei dispositivi semiconduttori durante la produzione.
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Materiale:Carburo di silicio (SiC) di alta purezza ≥ 99%
Resistenza termica:Resiste a temperature fino a1600°C(2900°F)
Resistenza chimica:Eccellente resistenza agli acidi, alle basi e agli ambienti plasmatici
Resistenza meccanica:Resistenza alla flessione > 400 MPa, fornendo elevata rigidità e durata
Generazione di basse particelle:Garantisce la compatibilità delle stanze pulite, riducendo il rischio di contaminazione
Dimensioni personalizzabili:Disponibile per la movimentazione di wafer da 4", 6", 8", 12", con opzioni per disegni personalizzati e slot per la compatibilità del braccio robotico
Finitura superficiale:Disponibile in finitura lucida o opaca in base alle esigenze dell'utente
Classe della stanza pulita:Adatto per l'uso in ambienti puliti di classe 1·100, garantendo una pulizia ottimale negli ambienti di lavorazione dei semiconduttori
Manipolazione dei wafer: Manipolazione sicura e precisa delle onde semiconduttrici durante le varie fasi di fabbricazione
Trasformazione dei semiconduttori: Ideale per ambienti ad alta temperatura e ad alta intensità chimica, quali incisione, deposizione e collaudo
Compatibilità del braccio robotico: progettato per una facile integrazione con braccia robotizzate utilizzate nel trasporto e nella manipolazione di wafer
Test dei pacchetti e selezione dei chip: Fornisce prestazioni affidabili nei processi di selezione e di prova dei wafer
| Parametro | Specificità |
|---|---|
| Materiale | SiC di alta purezza (≥99%) |
| Dimensione | Personalizzabile (per wafer da 4 ′′12") |
| Finitura superficiale | Finitura lucida o opaca a seconda dei requisiti |
| Resistenza termica | Fino a 1600°C |
| Resistenza chimica | Resistente agli acidi, alle basi e al plasma |
| Forza meccanica. | Resistenza alla flessione > 400 MPa |
| Densità | D=3,21 g/cm3 |
| Resistenza | 00,60 ohm·cm |
| Grado della stanza pulita | Adatto per la classe 1?? 100 |
L'effettore finale in ceramica SiC è realizzato conCarburo di silicio (SiC) di alta purezza, con una purezza di≥99%Questo materiale offre un'eccellente resistenza termica, resistenza meccanica e stabilità chimica, rendendolo ideale per ambienti di lavorazione di semiconduttori difficili.
Il SiC Ceramic End Effector è ideale permanipolazione dei wafer,lavorazione dei semiconduttori(gravurazione, deposizione, collaudo) eintegrazione del braccio robotico. È usato anche inprova del pacchetto- eSortitura dei chip.
Sì, il SiC Ceramic End Effector è adatto per l' impiego inSala pulita di classe 1 ̇100, garantendo la sua compatibilità con ambienti di produzione di semiconduttori ultra-puliti.
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