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Created with Pixso. Effettore termico in ceramica SiC per la manipolazione di wafer - resistente alla corrosione e al calore per la lavorazione dei semiconduttori

Effettore termico in ceramica SiC per la manipolazione di wafer - resistente alla corrosione e al calore per la lavorazione dei semiconduttori

Marchio: ZMSH
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-4 settimane
Condizioni di pagamento: T/T
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Shangai, Cina
Materiale:
SiC ad elevata purezza (≥99%)
Misurare:
Personalizzabile (per wafer da 4 ′′12")
Finitura superficiale:
Finitura lucida o opaca a seconda delle esigenze
Resistenza termica:
Fino a 1600 ° C.
Resistenza chimica:
Resistente ad acidi, basi e plasma
Resistenza meccanica:
Resistenza a flessione > 400 MPa
Densità:
D=3,21 g/cm³
Resistività:
0,1–60 ohm·cm
Grado per camera bianca:
Adatto per la Classe 1–100
Descrizione di prodotto

Effettore termico in ceramica SiC per la manipolazione di wafer - resistente alla corrosione e al calore per la lavorazione dei semiconduttori


Visualizzazione del prodotto:


Il nostroEffettore termico in ceramica SiC ad alta purezzaè progettato per una manipolazione precisa e affidabile dei wafer nei processi di produzione dei semiconduttori.questo effettivo termico è progettato per resistere alle condizioni estreme comunemente riscontrate nella lavorazione dei semiconduttoriCon la sua eccezionale resistenza termica e chimica, l'effettore termico SiC garantisce prestazioni superiori, sicurezza,e la longevità nella manipolazione di delicati wafer semiconduttori.


L'effettore finale è essenziale per varie operazioni critiche, tra cui il trasporto dei wafer, l'incisione, la deposizione e le prove.e bassa generazione di particelle, che sono fondamentali per mantenere l'integrità dei dispositivi semiconduttori durante la produzione.


Effettore termico in ceramica SiC per la manipolazione di wafer - resistente alla corrosione e al calore per la lavorazione dei semiconduttori 0Effettore termico in ceramica SiC per la manipolazione di wafer - resistente alla corrosione e al calore per la lavorazione dei semiconduttori 1


Caratteristiche chiave:


  • Materiale:Carburo di silicio (SiC) di alta purezza ≥ 99%


  • Resistenza termica:Resiste a temperature fino a1600°C(2900°F)


  • Resistenza chimica:Eccellente resistenza agli acidi, alle basi e agli ambienti plasmatici


  • Resistenza meccanica:Resistenza alla flessione > 400 MPa, fornendo elevata rigidità e durata


  • Generazione di basse particelle:Garantisce la compatibilità delle stanze pulite, riducendo il rischio di contaminazione


  • Dimensioni personalizzabili:Disponibile per la movimentazione di wafer da 4", 6", 8", 12", con opzioni per disegni personalizzati e slot per la compatibilità del braccio robotico


  • Finitura superficiale:Disponibile in finitura lucida o opaca in base alle esigenze dell'utente


  • Classe della stanza pulita:Adatto per l'uso in ambienti puliti di classe 1·100, garantendo una pulizia ottimale negli ambienti di lavorazione dei semiconduttori


Applicazioni:


  • Manipolazione dei wafer: Manipolazione sicura e precisa delle onde semiconduttrici durante le varie fasi di fabbricazione


  • Trasformazione dei semiconduttori: Ideale per ambienti ad alta temperatura e ad alta intensità chimica, quali incisione, deposizione e collaudo


  • Compatibilità del braccio robotico: progettato per una facile integrazione con braccia robotizzate utilizzate nel trasporto e nella manipolazione di wafer


  • Test dei pacchetti e selezione dei chip: Fornisce prestazioni affidabili nei processi di selezione e di prova dei wafer


Specificativi del prodotto:


Parametro Specificità
Materiale SiC di alta purezza (≥99%)
Dimensione Personalizzabile (per wafer da 4 ′′12")
Finitura superficiale Finitura lucida o opaca a seconda dei requisiti
Resistenza termica Fino a 1600°C
Resistenza chimica Resistente agli acidi, alle basi e al plasma
Forza meccanica. Resistenza alla flessione > 400 MPa
Densità D=3,21 g/cm3
Resistenza 00,60 ohm·cm
Grado della stanza pulita Adatto per la classe 1?? 100


FAQ -Effettore termico in ceramica SiC per la manipolazione di wafer


1.Qual è il materiale utilizzato per l'effettore finale in ceramica SiC?

  • L'effettore finale in ceramica SiC è realizzato conCarburo di silicio (SiC) di alta purezza, con una purezza di≥99%Questo materiale offre un'eccellente resistenza termica, resistenza meccanica e stabilità chimica, rendendolo ideale per ambienti di lavorazione di semiconduttori difficili.


2.Per quali applicazioni è adatto l'effettore finale in ceramica SiC?

  • Il SiC Ceramic End Effector è ideale permanipolazione dei wafer,lavorazione dei semiconduttori(gravurazione, deposizione, collaudo) eintegrazione del braccio robotico. È usato anche inprova del pacchetto- eSortitura dei chip.


3.L'effettore finale in ceramica SiC è compatibile con ambienti in camera bianca?

  • Sì, il SiC Ceramic End Effector è adatto per l' impiego inSala pulita di classe 1 ̇100, garantendo la sua compatibilità con ambienti di produzione di semiconduttori ultra-puliti.


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