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Dettagli dei prodotti

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substrato ceramico
Created with Pixso. Tavolo in ceramica SiC per processi di epitaxia e incisione ICP delle onde a LED

Tavolo in ceramica SiC per processi di epitaxia e incisione ICP delle onde a LED

Marchio: ZMSH
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-4 settimane
Condizioni di pagamento: T/T
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Shanghai, Cina
Materiale:
Carburo di silicio (SiC) di elevata purezza
Purezza:
99,9%
Densità:
3,0–3,2 g/cm³
Il rapporto di Poisson:
0,15–0,21
Fratturare la tenacità:
2–4 MPa·m^1/2
Vickers Durezza:
21–28 GPa
Resistenza alla flessione:
400–600MPa
Resistenza a compressione:
MPa 2200
Modulo elastico:
400–450 GPa
Dilatazione termica (20–1000°C):
4–4,6×10^-6/K
Conducibilità termica:
100–230 W/m·K
Temperatura di funzionamento massima:
1300–1650°C
Resistività elettrica:
1–4×10^5 Ω·cm
Evidenziare:

Tavolo per wafer in ceramica SiC

,

Substrato ceramico epitaxi LED

,

Tavolo di ceramica per incisione ICP

Descrizione di prodotto

Tavolo in ceramica SiC per processi di epitaxia e incisione ICP delle onde a LED


Visualizzazione del prodotto


Il vassoio in ceramica SiC è una soluzione ad alte prestazioni progettata per supportare wafer semiconduttori e altri materiali in ambienti ad alta temperatura e chimicamente aggressivi.Rinomato per la sua eccezionale resistenza alla corrosione, stabilità termica superiore e resistenza meccanica, il vassoio SiC offre prestazioni costanti e un supporto affidabile per processi critici come epitaxia, diffusione, ossidazione,e sinterizzazione ad alta temperatura.


I vassoi SiC sono essenziali in settori come la produzione di semiconduttori, ceramiche avanzate, lavorazione chimica, elettronica, ottica, aerospaziale, automobilistica e fabbricazione di dispositivi medici.


Specificità


Immobili Valore
Materiale Carburo di silicio di alta purezza (SiC)
Purezza 990,9%
Colore Nero
Densità 3.0 ∙ 3,2 g/cm3
Rapporto di Poisson 0.15 ¢0.21
Durezza della frattura 2°4 MPa·m^1/2
Durezza Vickers 21° 28° GPa
Forza flessibile 400 ∼ 600 MPa
Forza di compressione 2200 MPa
Modulo elastico 400-450 GPa
Espansione termica (20-1000°C) 4,6 × 10^-6/K
Conduttività termica 100 ‰ 230 W/m·K
Temperatura massima di funzionamento 1300 ∼ 1650°C
Resistenza elettrica 1×4×10^5 Ω·cm
Apparizione Tavolo nero liscio, uniforme e a bassa porosità




Caratteristiche chiave dei vassoi in ceramica SiC


    • Alta stabilità termica: conserva le prestazioni a temperature estreme, rendendoli ideali per processi ad alta temperatura come la sinterizzazione e la fabbricazione di semiconduttori.

    • Straordinaria resistenza meccanica: Alta durezza e eccellente capacità di carico impediscono deformazioni o crepe sotto stress.

    • Superiore resistenza chimica: Resistente agli acidi forti, alle alcaline e ad altre sostanze chimiche corrosive, garantendo l'affidabilità in ambienti difficili.

    • Eccellente conduttività termica: Un efficiente trasferimento di calore consente una distribuzione uniforme della temperatura, ottimizzando il controllo del processo.

    • Bassa espansione termica: mantiene la stabilità dimensionale durante il ciclo termico, riducendo il rischio di deformazione o distorsione.

    • Isolamento elettrico: fornisce un isolamento affidabile, che lo rende adatto alle applicazioni elettroniche.

    • Opzioni di rivestimento CVD: Disponibile per migliorare la resistenza all'usura e fornire una protezione aggiuntiva contro gli urti termici.

    • Dimensioni e forme personalizzabili: adattati per soddisfare esigenze specifiche di processo per diverse applicazioni industriali.


Applicazioni dei vassoi in ceramica SiC


    • Fabbricazione di semiconduttori: essenziale per supportare i chip LED e wafer durante processi come epitaxia, diffusione e ossidazione.

    • Sinterizzazione ad alta temperatura: offre un supporto stabile per ceramiche e metalli nei processi di sinterizzazione a temperature elevate.

    • Trasformazione chimica: manipolazione sicura di sostanze chimiche aggressive in ambienti industriali e di laboratorio.

    • Produzione di elettronica e ottica: utilizzato per substrati e componenti ottici che richiedono un controllo termico preciso.

    • Aerospaziale e Automotive: vassoi leggeri ma resistenti, ideali per componenti che richiedono una gestione termica e una resistenza alla corrosione superiori.

    • Fabbricazione di dispositivi medici: Perfetto per vassoi che devono essere resistenti alle sostanze chimiche e sterilizzabili.

    • Produzione di batterie e industria solare: Supporta processi ad alta temperatura critici per batterie agli ioni di litio e celle fotovoltaiche.

    • Laboratorio e ricerca e sviluppo: adatto a sperimentazioni con elevato calore o esposizione a materiali corrosivi.

    • Metallurgia della polvere e industria del vetro/ceramica: Garantisce un riscaldamento uniforme e un controllo affidabile del processo nella produzione ad alta temperatura.


VantaggiTavolo in ceramica SiC


    • Alta purezza e inerzia chimica: riduce al minimo il rischio di contaminazione, ideale per applicazioni di precisione.

    • Stabilità in condizioni estreme: mantiene la resistenza meccanica e l'integrità anche in ambienti difficili.

    • Esclusiva resistenza all'usura: progettato per un uso a lungo termine, offre durata e riduce la necessità di sostituzioni frequenti.

    • Leggera e resistente: Facile da maneggiare senza compromettere la resistenza e le prestazioni.

    • Versatile per molteplici industrie: adattabile a una vasta gamma di applicazioni, dalla produzione ad alta tecnologia alla ricerca e allo sviluppo.


Riassunto


I vassoi ceramici ZMSH SiC offrono una combinazione di eccellenza termica, chimica e meccanica, rendendoli un componente indispensabile nei processi di produzione avanzati.resistenza alla corrosione, e la stabilità termica assicurano l'affidabilità in settori come la produzione di semiconduttori, aerospaziale, dispositivi medici, e altro ancora.fornire soluzioni durature in ambienti difficili.


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