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Dettagli dei prodotti

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substrato ceramico
Created with Pixso. Tavolo ceramico al carburo di silicio per la lavorazione di wafer a semiconduttori

Tavolo ceramico al carburo di silicio per la lavorazione di wafer a semiconduttori

Marchio: ZMSH
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-4 settimane
Condizioni di pagamento: T/T
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Shanghai, Cina
Materiale:
Carburo di silicio (SiC) di elevata purezza
Purezza:
99,9%
Colore:
Nero
Densità:
3,0–3,2 g/cm³
Il rapporto di Poisson:
0,15–0,21
Fratturare la tenacità:
2–4 MPa·m^1/2
Vickers Durezza:
21–28 GPa
Resistenza alla flessione:
400–600MPa
Resistenza a compressione:
MPa 2200
Modulo elastico:
400–450 GPa
Dilatazione termica (20–1000°C):
4–4,6×10^-6/K
Conducibilità termica:
100–230 W/m·K
Temperatura di funzionamento massima:
1300–1650°C
Resistività elettrica:
1–4×10^5 Ω·cm
Evidenziare:

vassoio per wafer in ceramica a carburo di silicio

,

sottostrato ceramico per la lavorazione dei semiconduttori

,

vassoio in ceramica per la movimentazione di wafer

Descrizione di prodotto

Tavolo ceramico al carburo di silicio per la lavorazione di wafer a semiconduttori


Visualizzazione del prodotto


Il vassoio in ceramica a carburo di silicio (SiC) è un vassoio ad alte prestazioni progettato per supportare wafer a semiconduttori e altri materiali in ambienti ad alta temperatura e chimicamente aggressivi.Nota per la sua eccellente resistenza alla corrosione, elevata stabilità termica e resistenza meccanica, il vassoio SiC garantisce prestazioni costanti e un supporto affidabile per processi critici come epitaxia, diffusione, ossidazione,e sinterizzazione ad alta temperatura.


I vassoi SiC sono ampiamente utilizzati nella produzione di semiconduttori, nella produzione di ceramiche avanzate, nella lavorazione chimica, nell'elettronica, nei componenti ottici, nell'aerospaziale, nell'automotive e nella fabbricazione di dispositivi medici.


Tavolo ceramico al carburo di silicio per la lavorazione di wafer a semiconduttori 0Tavolo ceramico al carburo di silicio per la lavorazione di wafer a semiconduttori 1


Specificità



Immobili Valore
Materiale Carburo di silicio di alta purezza (SiC)
Purezza 990,9%
Colore Nero
Densità 3.0 ∙ 3,2 g/cm3
Rapporto di Poisson 0.15 ¢0.21
Durezza della frattura 2°4 MPa·m^1/2
Durezza Vickers 21° 28° GPa
Forza flessibile 400 ∼ 600 MPa
Forza di compressione 2200 MPa
Modulo elastico 400-450 GPa
Espansione termica (20-1000°C) 4,6 × 10^-6/K
Conduttività termica 100 ‰ 230 W/m·K
Temperatura massima di funzionamento 1300 ∼ 1650°C
Resistenza elettrica 1×4×10^5 Ω·cm
Apparizione Tavolo nero liscio, uniforme e a bassa porosità



Metodi di produzione:Sinterizzazione senza pressione, pressatura a caldo, rivestimento CVD, legato a reazione.


Caratteristiche chiave


  1. Alta stabilità termica: mantiene le prestazioni a temperature estreme, adatta per la sinterizzazione e la lavorazione dei semiconduttori.

  2. Resistenza meccanica: l'elevata durezza e la capacità portante impediscono deformazioni o crepe.

  3. Resistenza alle sostanze chimiche: resiste agli acidi forti, alle alcaline e alle sostanze chimiche corrosive.

  4. Conduttività termica: trasferimento di calore efficiente a temperature di lavorazione uniformi.

  5. Bassa espansione termica: garantisce la stabilità dimensionale sotto il ciclo termico.

  6. Isolamento elettrico: fornisce un isolamento affidabile per applicazioni elettroniche.

  7. Opzioni di rivestimento CVD: disponibile per una maggiore resistenza all'usura e protezione da urti termici.

  8. Dimensioni e forme personalizzabili: supporta requisiti specifici del processo.


Applicazioni


  • Fabbricazione di semiconduttori:Supporta i chip LED e wafer nei processi di epitaxia, diffusione e ossidazione.

  • Sinterizzazione ad alta temperatura:Fornisce un supporto stabile per ceramiche e metalli durante la sinterizzazione.

  • Trasformazione chimica:Gestisce in modo sicuro sostanze chimiche aggressive in ambienti industriali o di laboratorio.

  • Produzione elettronica e ottica:Supporta substrati e componenti ottici che richiedono un controllo termico preciso.

  • Aerospaziale e Automotive:Scaffali leggeri e resistenti adatti a componenti che necessitano di gestione termica e resistenza alla corrosione.

  • Produzione di dispositivi medici:Adatto per vassoi resistenti alle sostanze chimiche e sterilizzabili.

  • Produzione di batterie e industria solare:Supporta processi ad alta temperatura per batterie agli ioni di litio e celle fotovoltaiche.

  • Laboratorio e ricerca e sviluppo:Ideale per esperimenti che comportano calore elevato o materiali corrosivi.

  • Metallurgia della polvere e industria del vetro/ceramica:Garantisce un riscaldamento uniforme e un controllo affidabile del processo.


Vantaggi


  • L'alta purezza e l'inerzia chimica riducono il rischio di contaminazione.

  • Proprietà meccaniche stabili in condizioni estreme.

  • Eccellente resistenza all'usura per un uso a lungo termine.

  • Leggera ma resistente per una facile manipolazione.

  • Versatile per applicazioni industriali multiple.


Imballaggio



Tutti i vassoi in ceramica a carburo di silicio sono accuratamente confezionati per ridurre al minimo i danni durante lo stoccaggio e il trasporto, garantendo che i prodotti arrivano in condizioni impeccabili.


Domande frequenti



1 I vassoi in ceramica SiC possono resistere a temperature estreme durante la produzione di semiconduttori?


Sì, i vassoi in ceramica SiC sono progettati per resistere a temperature di funzionamento continue fino a 1650°C, rendendoli ideali per processi ad alta temperatura come epitaxia, diffusione,e ossidazione nella produzione di semiconduttori e LED.


2 Quanto sono resistenti i vassoi a SiC alla corrosione e all'esposizione chimica?


I vassoi in SiC offrono un'eccezionale resistenza chimica agli acidi forti, alle alcaline, al plasma e ad altri ambienti corrosivi.recipienti di reazione chimica, e altri ambienti industriali difficili in cui l'integrità dei materiali è fondamentale.


3 I vassoi in ceramica SiC sono personalizzabili in termini di dimensioni, forma e rivestimento?


Sì, i vassoi in ceramica SiC possono essere personalizzati per soddisfare requisiti specifici, tra cui dimensioni, spessore e finitura superficiale.Offriamo rivestimenti CVD per una maggiore resistenza all'usura e una migliore resistenza allo shock termico, a seconda delle esigenze della domanda.


Riassunto



I vassoi ceramici a carburo di silicio ZMSH combinano eccellenza termica, chimica e meccanica per fornire una piattaforma affidabile per wafer a semiconduttori e processi di produzione avanzati.La loro elevata precisione, resistenza alla corrosione e stabilità termica li rendono componenti essenziali nelle moderne industrie ad alta tecnologia.



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