Wafer di quarzo da 4 pollici, diametro 100 mm, wafer di silice fusa per la produzione di semiconduttori
Il wafer di quarzo da 4 pollici (100 mm) è un substrato di silice fusa di purezza ultra elevata e di grande formato, progettato per applicazioni di alta precisione e alta stabilità nei semiconduttori, nell'elettronica optoelettronica e nell'ottica avanzata. Rispetto ai wafer da 3 pollici, la specifica da 4 pollici offre un'area utilizzabile significativamente maggiore, migliorando l'efficienza produttiva, in particolare per la produzione in lotti di fotomaschere IC, ottiche laser ad alta potenza e sensori MEMS.
ZMSH è specializzata nella ricerca e sviluppo e nella produzione di wafer di quarzo da 4 pollici e più grandi, offrendo:
- Personalizzazione completa: Supporta wafer da 4 pollici, 6 pollici e 8 pollici, con dimensioni non standard (ad esempio, quadrati, a forma di settore) disponibili.
- Lavorazione di alta precisione: Include lucidatura ultra-fine su entrambi i lati (Ra≤0,5 nm), taglio laser (tolleranza ±0,01 mm) e foratura di micro-fori/fori passanti di forma speciale.
- Trattamenti funzionali: Rivestimenti antiriflesso (AR), antiriflesso IR, rivestimenti simili al diamante (DLC) e altro.
- Soluzioni di livello industriale: Pulizia a livello di semiconduttore (Classe 10), bassa densità di difetti (≤0,1/cm²), ideale per la litografia EUV e il calcolo quantistico.
Specifiche per wafer di quarzo da 4 pollici
| Termine tecnico |
Specifiche |
| Diametro |
4 pollici (100 mm) |
| Intervallo di spessore |
0,5 mm~1,5 mm |
| Rugosità superficiale (lucidata) |
≤0,5 nm |
| Trasmittanza @193nm |
>93% |
| CTE (20-300°C) |
0,55×10⁻⁶/°C |
| Parallelismo |
≤3μm |
| Compatibilità con il vuoto |
10⁻¹⁰ Torr |
Caratteristiche principali del wafer di quarzo da 4 pollici
1. Precisione di grandi dimensioni: TTV≤10μm a 100 mm di diametro garantisce l'uniformità del processo.
2. CTE ultra-basso: 0,55×10⁻⁶/°C, adatto per processi ad alta temperatura (ad esempio, ricottura, impianto ionico).
3. Trasparenza a banda larga: >93% di trasmittanza @193nm (DUV), >90% @3-5μm (IR).
4. Qualità superficiale superiore: Lucidato su entrambi i lati con Ra≤0,5 nm per la litografia su scala nanometrica.
5. Durata migliorata: L'irrobustimento chimico opzionale aumenta la resistenza alla flessione a 600 MPa; resistente al plasma.
Applicazioni strategiche del wafer di quarzo da 4 pollici
| Campo |
Applicazioni |
| Semiconduttori |
Ottiche per litografia EUV, substrati per fotomaschere, interpositori 3D NAND |
| Laser ad alta potenza |
Specchi laser, reticoli di compressione degli impulsi, tappi terminali per laser a fibra |
| Tecnologia quantistica |
Supporti per chip qubit, finestre di visualizzazione per trappole di atomi freddi, substrati per rilevatori di singoli fotoni |
| Aerospaziale |
Lenti satellitari, finestre per sensori resistenti alle radiazioni, rilevatori di particelle |
| Biomedicale |
Chip per sequenziamento del DNA, ottiche per endoscopi, stampi per dispositivi microfluidici |
Servizi di personalizzazione
ZMSH fornisce personalizzazione end-to-end per wafer di quarzo da 4 pollici, tra cui:
- Selezione dei materiali: Silice fusa di grado UV JGS1/JGS2 o di grado IR.
- Lavorazione di precisione: Lucidatura su scala nanometrica (λ/20), microstrutturazione laser (accuratezza ±1μm).
- Rivestimenti funzionali: AR (193-1064 nm), rivestimenti laser ad alta LIDT (>5J/cm²).
- Supporto QA: Rapporti di ispezione completi (AOI, interferometria).
FAQ
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