Dettagli del prodotto
Luogo di origine: Cina
Marca: ZMSH
Certificazione: rohs
Numero di modello: Wafer di quarzo da 4 pollici
Termini di pagamento e spedizione
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: by case
Imballaggi particolari: Pacchetto in lavanderia a 100 gradi
Tempi di consegna: 5-8weeks
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 1000 pezzi al mese
Diametro: |
A 4 pollici (100mm) |
Intervallo di spessore: |
0.5mm~1.5mm |
Roughness superficiale (polito): |
≤0.5nm |
Trasmittanza @193nm: |
>93% |
CTE (20-300°C): |
00,55×10−6/°C |
Parallelismo: |
≤3μm |
Diametro: |
A 4 pollici (100mm) |
Intervallo di spessore: |
0.5mm~1.5mm |
Roughness superficiale (polito): |
≤0.5nm |
Trasmittanza @193nm: |
>93% |
CTE (20-300°C): |
00,55×10−6/°C |
Parallelismo: |
≤3μm |
Il wafer di quarzo da 4 pollici (100 mm) è un substrato di silice fusa di purezza ultra elevata e di grande formato, progettato per applicazioni di alta precisione e alta stabilità nei semiconduttori, nell'elettronica optoelettronica e nell'ottica avanzata. Rispetto ai wafer da 3 pollici, la specifica da 4 pollici offre un'area utilizzabile significativamente maggiore, migliorando l'efficienza produttiva, in particolare per la produzione in lotti di fotomaschere IC, ottiche laser ad alta potenza e sensori MEMS.
ZMSH è specializzata nella ricerca e sviluppo e nella produzione di wafer di quarzo da 4 pollici e più grandi, offrendo:
- Personalizzazione completa: Supporta wafer da 4 pollici, 6 pollici e 8 pollici, con dimensioni non standard (ad esempio, quadrati, a forma di settore) disponibili.
- Lavorazione di alta precisione: Include lucidatura ultra-fine su entrambi i lati (Ra≤0,5 nm), taglio laser (tolleranza ±0,01 mm) e foratura di micro-fori/fori passanti di forma speciale.
- Trattamenti funzionali: Rivestimenti antiriflesso (AR), antiriflesso IR, rivestimenti simili al diamante (DLC) e altro.
- Soluzioni di livello industriale: Pulizia a livello di semiconduttore (Classe 10), bassa densità di difetti (≤0,1/cm²), ideale per la litografia EUV e il calcolo quantistico.
Termine tecnico | Specifiche |
Diametro | 4 pollici (100 mm) |
Intervallo di spessore | 0,5 mm~1,5 mm |
Rugosità superficiale (lucidata) | ≤0,5 nm |
Trasmittanza @193nm | >93% |
CTE (20-300°C) | 0,55×10⁻⁶/°C |
Parallelismo | ≤3μm |
Compatibilità con il vuoto | 10⁻¹⁰ Torr |
1. Precisione di grandi dimensioni: TTV≤10μm a 100 mm di diametro garantisce l'uniformità del processo.
2. CTE ultra-basso: 0,55×10⁻⁶/°C, adatto per processi ad alta temperatura (ad esempio, ricottura, impianto ionico).
3. Trasparenza a banda larga: >93% di trasmittanza @193nm (DUV), >90% @3-5μm (IR).
4. Qualità superficiale superiore: Lucidato su entrambi i lati con Ra≤0,5 nm per la litografia su scala nanometrica.
5. Durata migliorata: L'irrobustimento chimico opzionale aumenta la resistenza alla flessione a 600 MPa; resistente al plasma.
Campo | Applicazioni |
Semiconduttori | Ottiche per litografia EUV, substrati per fotomaschere, interpositori 3D NAND |
Laser ad alta potenza | Specchi laser, reticoli di compressione degli impulsi, tappi terminali per laser a fibra |
Tecnologia quantistica | Supporti per chip qubit, finestre di visualizzazione per trappole di atomi freddi, substrati per rilevatori di singoli fotoni |
Aerospaziale | Lenti satellitari, finestre per sensori resistenti alle radiazioni, rilevatori di particelle |
Biomedicale | Chip per sequenziamento del DNA, ottiche per endoscopi, stampi per dispositivi microfluidici |
ZMSH fornisce personalizzazione end-to-end per wafer di quarzo da 4 pollici, tra cui:
- Selezione dei materiali: Silice fusa di grado UV JGS1/JGS2 o di grado IR.
- Lavorazione di precisione: Lucidatura su scala nanometrica (λ/20), microstrutturazione laser (accuratezza ±1μm).
- Rivestimenti funzionali: AR (193-1064 nm), rivestimenti laser ad alta LIDT (>5J/cm²).
- Supporto QA: Rapporti di ispezione completi (AOI, interferometria).
1. D: Qual è la tolleranza di spessore tipica per i wafer di quarzo da 4 pollici?
R: I wafer di quarzo standard da 4 pollici (100 mm) mantengono una tolleranza di spessore di ±0,02 mm nell'intervallo 0,5-1,5 mm, garantendo l'uniformità per i processi di litografia dei semiconduttori.
2. D: Perché scegliere wafer di quarzo da 4 pollici rispetto a quelli da 6 pollici per le applicazioni MEMS?
R: I wafer da 4 pollici offrono un'efficienza dei costi ottimale per produzioni MEMS da piccole a medie, mantenendo al contempo un migliore controllo del processo rispetto ai diametri più piccoli.
Tag: #Substrato di quarzo da 3 pollici, #Personalizzato, #Piastre di silice fusa, #Cristallo SiO₂, #Wafer di quarzo, #Grado JGS1/JGS2, #Elevata purezza, #Componenti ottici in silice fusa, #Lastra di vetro al quarzo, #Fori passanti di forma personalizzata, #Wafer di quarzo da 4 pollici, #Diametro 100 mm, #Produzione di semiconduttori