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2 pollici 3 pollici 4 pollici Germanium Substrati Wafer semiconduttori Custom CZ <100><110><111>

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2 pollici 3 pollici 4 pollici Germanium Substrati Wafer semiconduttori Custom CZ <100><110><111>

2inch 3inch 4inch Germanium Substrates Semiconductor Wafers Custom CZ <100><110><111>
2inch 3inch 4inch Germanium Substrates Semiconductor Wafers Custom CZ <100><110><111> 2inch 3inch 4inch Germanium Substrates Semiconductor Wafers Custom CZ <100><110><111> 2inch 3inch 4inch Germanium Substrates Semiconductor Wafers Custom CZ <100><110><111>

Grande immagine :  2 pollici 3 pollici 4 pollici Germanium Substrati Wafer semiconduttori Custom CZ <100><110><111>

Dettagli:
Luogo di origine: Cina
Marca: ZMSH
Certificazione: rohs
Numero di modello: Substrati di germanio
Termini di pagamento e spedizione:
Tempi di consegna: 2-4 settimane
Termini di pagamento: T/T
Contatto
Descrizione di prodotto dettagliata
Materiali:: Monocristallo di GE Diametro:: 0.5~150mm
Spessore:: 0.5 mm Tipo:: Tipo N/Tipo P/Non dopato
Superficie:: Polito/ecceduto Resistività:: 0.1~60 ohm.cm
Industria:: substrati a semiconduttore, dispositivo, ottico
Evidenziare:

Substrati di germanio semiconduttori

,

Dimensioni personalizzate Substrati di germanio

,

Forme personalizzate Sottostrati di germanio

Descrizione del prodotto

2 pollici 3 pollici 4 pollici Germanium Substrati Wafer semiconduttori Custom CZ <100><110><111>

Il germanio di alta purezza viene dopato con elementi trivalenti (ad esempio indio, gallio, boro) per ottenere semiconduttori di germanio di tipo P.e elementi pentavalenti (e.g., antimonio, arsenico e fosforo) dopati per ottenere semiconduttori di germanio di tipo N. Hanno un'elevata mobilità elettronica e un'elevata mobilità di buchi.I substrati di germanio di alta qualità possono essere utilizzati nel fotovoltaico concentrato (CPV), pannelli solari spaziali e applicazioni di diodi emettitori di luce (LED) ad alta luminosità.

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Caratteristiche

- La costante di reticolo è maggiore di quella del silicio, che favorisce la costruzione di eterostrutture.

- L'elevata mobilità elettronica, circa tre volte superiore a quella del silicio, favorisce la fabbricazione di dispositivi elettronici ad alta velocità.

- La piccola larghezza di banda (0,67 eV) lo rende adatto per le applicazioni di rilevamento fotoelettrico e di emissione a infrarossi.

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È più sensibile alle radiazioni ed è adatto per apparecchiature elettroniche sensibili alle radiazioni.

La tecnologia di lavorazione è relativamente complessa e il costo è elevato.

Parametri tecnici

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Applicazioni

1- elettronica analogica e RF ad alta frequenza: diodi a microonde, transistor, circuiti integrati; apparecchiature elettroniche nella banda di frequenza a microonde, quali radar e comunicazioni.

2- rilevamento e emissione fotoelettrica a infrarossi: rivelatore a infrarossi, apparecchio termico; diodi di emissione a infrarossi, diodi laser.

3Equipaggiamento elettronico sensibile alle radiazioni: Heterostruttura composta di semiconduttori: Sistema aeronautico aerospaziale; Centrali nucleari e apparecchiature elettroniche nel campo militare.

4. eterostruttura dei semiconduttori composti: materiali di substrato per i composti III-V quali GaAs, InP, ecc.; cellule solari di struttura eterogenea, diodi laser, ecc.

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I nostri servizi

1Fabbricazione diretta e vendita.

2Citazioni veloci e precise.

3Risponderemo entro 24 ore lavorative.

4. ODM: Disegno personalizzato è disponibile.

5Velocità e preziosa consegna.

Domande frequenti

1. D: Come si paga?
A:100%T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, pagamento sicuro e commercio
Assicurazione su e così via.

2.D: Posso personalizzare i prodotti in base alle mie esigenze?
R: Sì, possiamo personalizzare il materiale, le specifiche per i vostri componenti ottici
in base alle vostre esigenze.

3.D: Qual è il vostro MOQ?
R: (1) Per l'inventario, il MOQ è di 3pcs.
(2) Per i prodotti personalizzati, il MOQ è di 25pcs.

Prodotto Tag:

Single Tray Sapphire Parts,

2inch Sapphire Wafer,

Sapphire Wafer Single Packaging

Dettagli di contatto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Persona di contatto: Mr. Wang

Telefono: +8615801942596

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

Sic substrato

L'elevata purezza non-ha verniciato il wafer del carburo di silicio sic, substrato del carburo di silicio di 6Inch 4H-Semi sic

6H a 2 pollici - basso consumo energetico del wafer del carburo di silicio dei semi per il rivelatore

sic carburi di silicio del lingotto 4inch spessore di 15mm - di 5 per i semiconduttori

4H-SEMI ha lucidato sic la durezza della lente 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 del wafer per il materiale del dispositivo

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Wafer di zaffiro Spessore 0,43 mm Componenti di zaffiro Dimensioni e orientamenti personalizzati

Di cristallo quadrato del wafer dello zaffiro/zaffiro 10x10mm 5x5mm per la lente ottica

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