spessore piano di 8inch 0,725 Dia100mm C singolo Crystal Sapphire Wafer 1300mm 1500mm

wafer dello zaffiro di monocristallo dell'aereo di 8inch 0,725 dia100mm c

il lato singolo o doppio dell'C-aereo di 4inch Sapphire Wafer ha lucidato il monocristallo Al2O3

aereo singolo Crystal Sapphire Wafer di 4inch Dia100mm A

asse singolo Crystal Sapphire Wafer Sapphire Substrates di 2inch Dia50mm C
8inch diametro 159mm singolo Crystal Sapphire Wafer For Epi - trasportatore pronto
il wafer dello zaffiro di R-asse dell'c-aereo di 4inch/5inch/6inch/6.125inch/8inch (1-102) (10-10), i substrati dello zaffiro di dia200mm, il wafer per epi-pronto principale, i substrati dello zaffiro, dello zaffiro lucidato doppio lato di C-asse 2-6inch la lente ottica di cristallo Al2O3, doppio lato ha lucidato la superficie 8" di SSP Sapphire Carrier

Descrizione di prodotto

I wafer a 8 pollici dello zaffiro possono permettere ai produttori di chip di srotolare più produttività, che li aiuterà per guidare drammaticamente giù i costi.

CRYSCORE è qualificato fornire i wafer epi-pronti a 8 pollici dello zaffiro. Lo spessore comune è μm 1300 μm e 1500.

Generalmente, questa serie di wafer lucidato dello zaffiro ha una tacca invece di un piano importante, ma con la lunghezza su ordinazione è pianamente inoltre disponibile. I nostri wafer dello zaffiro sono puliti nel locale senza polvere della classe 100 dall'acqua ultrapure con qualità sopra *cm 18MΩ e poi sono imballati in cassette pulite.

Proprietà elettriche di zaffiro
Resistività, ohm x cm a °C 200-500: 1011 - 1016
Costante dielettrica: 10,0
Resistenza dielettrica, V/cm: 4 x 105
Tangente di perdita: 1 x 10-4

Caratteristica

• Tutti gli orientamenti sono orientamento disponibile e su ordinazione è benvenuti
• La dimensione del wafer da 2 a 6 pollici è disponibile per tutti i tipi
• Wafer sottile giù a 250um per a 2 pollici, a 300um per a 4 pollici e a 300um per a 6 pollici

Specifiche di Sapphire Wafer, a 6 pollici, C-aereo (0001), grado principale

Proprietà elettriche di zaffiro
Resistività, ohm x cm a °C 200-500: 1011 - 1016
Costante dielettrica: 10,0
Resistenza dielettrica, V/cm: 4 x 105
Tangente di perdita: 1 x 10-4


Applicazione

1. Substrato di crescita per i composti di II-VI e di III-V
2. Elettronica ed optoelettronica
3. Applicazioni di IR
4. Silicio su Sapphire Integrated Circuit (SOS)
5. Circuito integrato di radiofrequenza (RFIC)

Esposizione del prodotto

Imballaggio dei wafer dello zaffiro

Prodotti relativi

FAQ:

Q: Che cosa è il vostro MOQ?
: (1) per l'inventario, il MOQ è 10pcs.
(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 25pcs su.

Q: Che cosa è il modo di trasporto e di costo?
: (1) accettiamo DHL, Fedex, lo SME ecc.
(2) se avete vostro proprio conto preciso, è grande. Se non, potremmo aiutarvi a spedirli.
Il trasporto è conforme allo stabilimento reale.

Q: Che cosa è il termine di consegna?
Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo che ordinate.
Per i prodotti su misura: la consegna è 2 o 3 settimane dopo che ordinate.

Q: Avete prodotti standard?
: I nostri prodotti standard in stock.as come 4inch 0.65mm, wafer lucidato 0.5mm.
Q: Come pagare?
: 50%deposit, lasciato prima della consegna T/T,
Q: Posso personalizzare i prodotti basati sul mio bisogno?
: Sì, possiamo personalizzare il materiale, le specifiche ed il rivestimento ottico per il vostro ottico
componenti basate sui vostri bisogni.