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Wafer dello zaffiro
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| Luogo di origine | La CINA |
| Marca | zmkj |
| Certificazione | Cz/ Rohs/ GSG |
| Numero di modello | 4.125/6.125/6inch/8inch |
monocristallo Al2O3 di 6inch Sapphire Wafer Orientation 0001
il lato singolo o doppio dell'C-aereo di 4inch Sapphire Wafer ha lucidato il monocristallo Al2O3
aereo singolo Crystal Sapphire Wafer di 4inch Dia100mm A
asse singolo Crystal Sapphire Wafer Sapphire Substrates di 2inch Dia50mm C
8inch diametro 159mm singolo Crystal Sapphire Wafer For Epi - trasportatore pronto
il wafer dello zaffiro di R-asse dell'c-aereo di 4inch/5inch/6inch/6.125inch/8inch (1-102) (10-10), i substrati dello zaffiro di dia200mm, il wafer per epi-pronto principale, i substrati dello zaffiro, dello zaffiro lucidato doppio lato di C-asse 2-6inch la lente ottica di cristallo Al2O3, doppio lato ha lucidato la superficie 8" di SSP Sapphire Carrier
Orientamento
I substrati dello zaffiro dell'Un-aereo - sono usati solitamente per le applicazioni microelettroniche ibride che richiedono una costante di dielettrico uniforme ed altamente che isolano le caratteristiche.
Substrati dell'C-aereo - tenda ad essere usato per i composti del ll-Vl e del lll-V, quale GaN, per il LED luminoso ed i diodi laser blu e verdi.
Substrati dell'R-aereo - questi sono preferiti per il deposito etero-epitassiale di silicio utilizzato nelle applicazioni microelettroniche di IC.
Caratteristica
Specifiche di Sapphire Wafer, a 6 pollici, C-aereo (0001), grado principale
| Materiale | Elevata purezza, >99.99%, Al2O3di monocristallo |
| Dimensione | 150,0 millimetro +/- 0,05 millimetri |
| Spessore | 1300 um +/- 25 um (SSP), 600 um +/- 25 um (DSP) |
| Orientamento | Aereo di C (0001) fuori dal grado degli aerei 0,2 +/- 0,05 di m. (1-100) |
| Orientamento piano primario | Un-aereo +/- 1 grado |
| Variazione totale di spessore (TTV) | <20um> |
| Arco | <25um> |
| Filo di ordito | <25um> |
| Coefficiente di espansione termica | 6,66 x 10-6 / parallelo del °C all'asse di C, 5 x 10-6/°C |
| Resistenza dielettrica | 4,8 x 105 V/cm |
| Costante dielettrica | 11,5 (1 megahertz) lungo l'asse di C, 9,3 perpendicolare (1 megahertz) all'asse di C |
| Tangente di perdita dielettrica (a.k.a fattore di dissipazione) | meno di 1 x 10- 4 |
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Trasmissione: |
88% +/- 1% @460 nanometro |
Proprietà elettriche di zaffiro
Resistività, ohm x cm a °C 200-500: 1011 - 1016
Costante dielettrica: 10,0
Resistenza dielettrica, V/cm: 4 x 105
Tangente di perdita: 1 x 10-4
Applicazione
Esposizione del prodotto
Imballaggio dei wafer dello zaffiro
FAQ:
Q: Che cosa è il vostro MOQ?
: (1) per l'inventario, il MOQ è 10pcs.
(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 25pcs su.
Q: Che cosa è il modo di trasporto e di costo?
: (1) accettiamo DHL, Fedex, lo SME ecc.
(2) se avete vostro proprio conto preciso, è grande. Se non, potremmo aiutarvi a spedirli.
Il trasporto è conforme allo stabilimento reale.
Q: Che cosa è il termine di consegna?
Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo che ordinate.
Per i prodotti su misura: la consegna è 2 o 3 settimane dopo che ordinate.
Q: Avete prodotti standard?
: I nostri prodotti standard in stock.as come 4inch 0.65mm, wafer lucidato 0.5mm.
Q: Come pagare?
: 50%deposit, lasciato prima della consegna T/T,
Q: Posso personalizzare i prodotti basati sul mio bisogno?
: Sì, possiamo personalizzare il materiale, le specifiche ed il rivestimento ottico per il vostro ottico
componenti basate sui vostri bisogni.
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