2inch Un-aereo singolo Crystal Sapphire Wafer Substrates Al 2O3 monocristallino

aereo singolo Crystal Sapphire Wafer Substrates Al 2O3 di 2inch A

asse singolo Crystal Sapphire Wafer Sapphire Substrates di 2inch Dia50mm C
8inch diametro 159mm singolo Crystal Sapphire Wafer For Epi - trasportatore pronto
il wafer dello zaffiro di R-asse dell'c-aereo di 4inch/5inch/6inch/6.125inch/8inch (1-102) (10-10), i substrati dello zaffiro di dia200mm, il wafer per epi-pronto principale, i substrati dello zaffiro, dello zaffiro lucidato doppio lato di C-asse 2-6inch la lente ottica di cristallo Al2O3, doppio lato ha lucidato la superficie 8" di SSP C-aereo di Sapphire Carrier Wafer (0001) con il migliore prezzo, 8inch il diametro 159mm singolo Crystal Sapphire Wafer For Epi - trasportatore pronto
 

Descrizione di prodotto

Lo zaffiro è un materiale di una combinazione unica di proprietà fisiche, chimiche ed ottiche, che lo rendono resistente ad erosione di temperatura elevata, dello shock termico, dell'acqua e della sabbia e di graffio. È un materiale superiore della finestra per molte applicazioni di IR da 3µm a 5µm. i substrati dello zaffiro dell'C-aereo sono ampiamente usati coltivare i composti di II-VI e di III-V quale GaN per il LED ed i diodi laser blu, mentre i substrati dello zaffiro dell'R-aereo sono usati per il deposito etero-epitassiale di silicio per le applicazioni microelettroniche di IC.

Specifiche di Sapphire Wafer For Epi - trasportatore pronto

• Materiale: Elevata purezza >99.996%, Al di monocristallo2O3
• Dimensione: 50,8 millimetro +/- 0,1 millimetri
• Spessore: una norma di 0,50 millimetri
• Parametro della grata: a=4.785 A, c=12.991 A
• Densità: 3,98 g/cm3
• Orientamento: Un-aereo grado (di 11-20) 0,2 +/- 0,1
• Orientamento piano primario: C-aereo
• Lunghezza piana primaria: 16,0 +/- 1 millimetro
• Variazione totale di spessore: <10 um="">
• Arco: <10 um="">
• Filo di ordito: <10 um="">
• Coefficiente di espansione termica: 6,66 x 10-6 / parallelo del °C all'asse di C, 5 x 10-6perpendicolare di/°C all'asse di C
• Resistenza dielettrica: 48.000 V/cm (1.200 V/mil)
• Lucidatura: Ra lucidato singolo lato < 0="">

Caratteristiche

Tutti gli orientamenti sono orientamento disponibile e su ordinazione è benvenuti
La dimensione del wafer da 2 a 6 pollici è disponibile per tutti i tipi
Wafer sottile giù a 250um per a 2 pollici, a 300um per a 4 pollici e a 300um per a 6 pollici

Applicazioni

• Substrato di crescita per i composti di II-VI e di III-V
• Elettronica ed optoelettronica
• Applicazioni di IR
• Silicio su Sapphire Integrated Circuit (SOS)
• Circuito integrato di radiofrequenza (RFIC)

 
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Possiamo assicurare il servizio su misura professionale a tempo e fornire la cooperazione ed il supporto dell'apparecchio dello sviluppo e della tecnologia di nuovo prodotto.
 

 
Imballaggio dei wafer dello zaffiro:

 
 
Prodotti relativi: Wafer di GaAs

 
 
FAQ:
 
Q: Che cosa è il vostro MOQ?
: (1) per l'inventario, il MOQ è 10pcs.
(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 25pcs su.
 
Q: Che cosa è il modo di trasporto e di costo?
: (1) accettiamo DHL, Fedex, lo SME ecc.
(2) se avete vostro proprio conto preciso, è grande. Se non, potremmo aiutarvi a spedirli.
Il trasporto è conforme allo stabilimento reale.
 
Q: Che cosa è il termine di consegna?
Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo che ordinate.
Per i prodotti su misura: la consegna è 2 o 3 settimane dopo che ordinate.
 
Q: Avete prodotti standard?
: I nostri prodotti standard in stock.as come 4inch 0.65mm, wafer lucidato 0.5mm.
Q: Come pagare?
: 50%deposit, lasciato prima della consegna T/T,
Q: Posso personalizzare i prodotti basati sul mio bisogno?
: Sì, possiamo personalizzare il materiale, le specifiche ed il rivestimento ottico per il vostro ottico
componenti basate sui vostri bisogni.