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Sic substrato
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| Luogo di origine | La CINA |
| Marca | SICC |
| Certificazione | CE |
| Numero di modello | 4h-n |
monocristallo del grado di ricerca del substrato di 2inch Dia50.8mm 4H-Semi sic
grado N tipo di produzione del substrato di spessore 4H di 2inch dia50mm 330μm sic
wafer 6H o 4H del carburo di silicio 2inch N tipo o cheisola sic i substrati
4 H-N Type/semi che isolano sic i wafer del carburo di silicio dei substrati 2inch 3inch 6inch
che cosa è sic subatrate
Sic un substrato si riferisce ad un wafer fatto del carburo di silicio (sic), che è un ampio-bandgap materiale a semiconduttore che ha proprietà elettriche e termiche eccellenti. Sic i substrati sono comunemente usati come piattaforma per la crescita degli strati epitassiali di sic o di altri materiali, che possono essere usati per fabbricare i vari dispositivi elettronici ed optoelettronici, quali i transistor ad alta potenza, i diodi Schottky, i rivelatori fotoelettrici UV ed il LED.
Sic i substrati sono preferiti sopra altri materiali a semiconduttore, quale silicio, per le applicazioni ad alta potenza ed ad alta temperatura di elettronica dovuto le loro proprietà superiori, compreso più alta tensione di ripartizione, il più alta conducibilità termica e il più alta temperatura di funzionamento massima. Sic i dispositivi possono funzionare alle temperature molto più alte che ai i dispositivi basati a silicio, rendendoli adatti ad uso negli ambienti estremi, quali nelle applicazioni automobilistiche, aerospaziali e di energia.
Applicazioni
Deposito del nitruro di III-V
Dispositivi optoelettronici
Dispositivi ad alta potenza
Dispositivi ad alta temperatura
Dispositivi di potere ad alta frequenza
Proprietà
| Proprietà | monocristallo 4H-SiC | monocristallo 6H-SiC |
| Parametri della grata (Å) |
a=3.076 c=10.053 |
a=3.073 c=15.117 |
| Impilamento della sequenza | ABCB | ABCACB |
| Densità | 3,21 | 3,21 |
| Durezza di Mohs | ~9,2 | ~9,2 |
| Coefficiente di espansione termica (CTE) (/K) | 4-5 x10-6 | 4-5 x10-6 |
| Indice @750nm di rifrazione |
nessun = 2,61 Ne = 2,66 |
nessun = 2,60 Ne = 2,65 |
| Costante dielettrica | c ~ 9,66 | c ~ 9,66 |
| Verniciatura del tipo | N tipo o Semi-isolare | N tipo o Semi-isolare |
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Conducibilità termica (W/cm-K @298K) (N tipo, 0,02 ohm-cm) |
a~4.2 c~3.7 |
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Conducibilità termica (W/cm-K @298K) (tipo d'isolamento) |
a~4.9 c~3.9
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a~4.6 c~3.2
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| Intervallo di banda (eV) | 3,23 | 3,02 |
| Campo elettrico di ripartizione (V/cm) | 3-5 x 106 | 3-5 x106 |
| Velocità di deriva di saturazione (m/s) | 2,0 x 105 | 2,0 x 105 |
| Dimensioni del substrato e del wafer | Wafer: 2, 3, 4, a 6 pollici; più piccoli substrati: 10x10, 20x20 millimetro, altre dimensioni sono disponibili e possono essere su ordine su richiesta | |
| Gradi del prodotto |
Una densità zero del micropipe del grado (MPD < 1="">cm-2) Grado di categoria B di produzione (MPD<> 5 cm-2) Grado di ricerca del grado di C (MPD<> 15 cm-2) Grado fittizio del grado di D (MPD<> 30 cm-2) |
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Specificazione
| Diametro | 50,8 | 76,2 | 100 | 150 | millimetro |
| Tipo | 4H- N)/4H-SI (Semi-isolare) (dell'azoto | ||||
| Resistività | 4H-Ni: 0,015 ~ 0,028; 4H-SI: >1E5 | Ω.cm | |||
| Thickness* | (330 ± ~ di 500) 25 | µm | |||
| Orientation* |
Su asse: <0001> ± 0.5˚ Fuori asse: 4˚± 0.5˚off verso (11-20) |
grado | |||
| Flat* primario | ± 5.0˚ (di 10-10) | grado | |||
| Piano secondario | Fronte del silicio: 90˚CW da ± primario 5.0˚ | Nessuno | grado | ||
| TTV* | ≤15 | µm | |||
| Bow* | ≤25 | ≤40 | µm | ||
| Warp* | ≤25 | ≤35 | ≤40 | ≤60 | µm |
| Densità di Micropipe | Zero: ≤1/produzione: ≤5/manichino: ≤15 | cm2 | |||
| Rugosità | Lucidato (Ra≤1) | nanometro | |||
| CMP (Ra≤0.5) | |||||
Catena industriale
La catena sic industriale del carburo di silicio è divisa nella preparazione materiale del substrato, nella crescita di strato epitassiale, nella fabbricazione del dispositivo e nelle applicazioni a valle. I monocristalli del carburo di silicio sono preparati solitamente dalla trasmissione fisica del vapore (metodo di PVT) e poi gli strati epitassiali sono generati tramite applicazione a spruzzo chimica (metodo di CVD) sul substrato ed i dispositivi pertinenti infine sono fatti. Nella catena industriale sic dei dispositivi, dovuto la difficoltà della tecnologia di fabbricazione del substrato, il valore della catena industriale pricipalmente è concentrato nel collegamento verso l'alto del substrato.
La società di ZMSH fornisce fornisce i wafer di 150mm e di 100mm sic. Con la sua durezza (sic è il secondo materiale più duro nel mondo) e la stabilità nell'ambito del calore e della corrente ad alta tensione, questo materiale sta essendo ampiamente usato in parecchie industrie.
FAQ
Q: Che cosa è il modo del termine di trasporto e di costo e di paga?
: (1) accettiamo in anticipo 50% T/T ed abbiamo lasciato 50% prima della consegna da DHL, da Fedex, dallo SME ecc.
(2) se avete vostro proprio conto preciso, è grande. Se non, potremmo aiutarvi a spedirli.
Il trasporto è conforme allo stabilimento reale.
Q: Che cosa è il vostro MOQ?
: (1) per l'inventario, il MOQ è 3pcs.
(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 10pcs su.
Q: Posso personalizzare i prodotti basati sul mio bisogno?
: Sì, possiamo personalizzare il materiale, le specifiche e la forma, dimensione basata sui vostri bisogni.
Q: Che cosa è il termine di consegna?
: (1) per i prodotti standard
Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo che ordinate.
Per i prodotti su misura: la consegna è 2 o 3 settimane dopo che ordinate.
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