tipo wafer di 2inch 3inch 4inch 6inch N del germanio di GE con EPD basso

tipo wafer di 2inch 3inch 4inch 6inch N del germanio di GE con EPD basso

Wafer di GE

Il germanio è il materiale per la fabbricazione i dispositivi a semiconduttore e dei dispositivi ottici infrarossi. Svolge un ruolo importante nello sviluppo di fisica dello stato solido e di elettronica semi conduttrice. Il germanio ha una densità di fusione di 5.32g/cm 3, il germanio può essere classificato come metallo sparso sottile, la stabilità chimica del germanio, non interagisce con aria o il vapore acqueo alla temperatura ambiente, ma a ℃ 600~700, il diossido del germanio è generato rapidamente. Non lavora con acido cloridrico, acido solforico diluito. Quando l'acido solforico concentrato è riscaldato, il germanio si dissolverà lentamente. In acido nitrico ed in acqua regia, il germanio è dissolto facilmente. L'effetto della soluzione alcalina su germanio è molto debole, ma l'alcali fuso in aria può fare il germanio dissolversi rapidamente. Il germanio non funziona con carbonio, in modo da è fuso in un crogiolo della grafite e non sarà contaminato da carbonio. Il germanio ha buone proprietà a semiconduttore, quale mobilità di elettrone, mobilità di foro ecc. Lo sviluppo di germanio ancora ha grande potenziale.

Specificazione

Esposizione del prodotto

Metodo di crescita

Il metodo della crescita di substrato del germanio comprende i seguenti punti: fornendo un substrato sostenente, il substrato sostenente è un materiale di cristallo; Lo strato di cristallo del primo germanio si sviluppa tramite la prima epitassia della temperatura sulla superficie del substrato sostenente. Lo strato di cristallo del secondo germanio si sviluppa tramite la seconda epitassia della temperatura sulla superficie dello strato di cristallo del primo germanio e la prima temperatura è più bassa della seconda temperatura. I vantaggi di presente invenzione è di presentare un genere di processo di crescita epitassiale del germanio di bassa temperatura, in primo luogo, uno strato dello strato del germanio, germanio che della crescita di bassa temperatura il tasso di crescita epitassiale è basso, caratteristiche bidimensionali di una crescita e rilassamento completo, questo strato sottile dello strato del germanio alla bassa temperatura ha molti difetti, a sforzo incline rilassato e l'annientamento della dislocazione, successivamente, quindi uno strato dello strato epitassiale del germanio ad alta temperatura della crescita, della velocità della crescita di strato, dello strato del germanio di monocristallo con alta massa a cristallo e del rilassamento completo possono essere ottenuti.