grado principale fittizio di produzione dei wafer di 4inch 6inch 4H-N sic per lo SBD MOS Device
1. Confronto dei materiali di terza generazione a semiconduttore
Sic a cristallo è un materiale di terza generazione a semiconduttore, che presenta i grandi vantaggi in a bassa potenza, scenari ad alta tensione ed ad alta frequenza di miniaturizzazione, dell'applicazione. I materiali di terza generazione a semiconduttore sono rappresentati dal carburo e dal nitruro di gallio di silicio. Rispetto alle due generazioni precedenti di materiali a semiconduttore, il più grande vantaggio è la sua ampia larghezza senza banda, che assicura che possa penetrare il più alta intensità di campo elettrica ed è adatta a preparare i dispositivi di potere ad alta tensione ed ad alta frequenza.
2. Classificazione
I substrati del carburo di silicio sic possono essere divisi in due categorie: (4H-SEMI non--dopend e V-verniciato di elevata purezza) substrati semi-isolati del carburo di silicio con alta resistività (resistorivity ≥107Ω·cm) e substrati conduttivi del carburo di silicio con resistività bassa (la gamma di resistività è 15-30mΩ·cm).
2. Specificazione per i wafer di 6inch 4H-N sic. (2inch, 3inch 4inch, sic il wafer 8inch inoltre è disponibile)
Grado |
Produzione zero di MPD Grado (grado di Z) |
Grado di produzione standard (grado di P) |
Grado fittizio (Grado di D) |
|
Diametro | 99,5 mm~100.0 millimetro | |||
Spessore | 4H-N | 350 μm±20 μm | 350 μm±25 μm | |
4H-SI | 500 μm±20 μm | 500 μm±25 μm | ||
Orientamento del wafer | Fuori dall'asse: 4.0°toward <1120> ±0.5°for 4H-N, sull'asse: <0001> ±0.5°for 4H-SI | |||
Densità di Micropipe | 4H-N | ≤0.5cm-2 | cm2 ≤2 | cm2 ≤15 |
4H-SI | ≤1cm-2 | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | |
Resistività del ※ | 4H-N | 0.015~0.025 Ω·cm | 0.015~0.028 Ω·cm | |
4H-SI | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | ||
Orientamento piano primario | {10-10} ±5.0° | |||
Lunghezza piana primaria | 32,5 mm±2.0 millimetro | |||
Lunghezza piana secondaria | 18,0 mm±2.0 millimetro | |||
Orientamento piano secondario | Silicio rivolto verso l'alto: 90°CW. da ±5.0° piano principale | |||
Esclusione del bordo | 3 millimetri | |||
LTV/TTV/Bow /Warp | ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | ||
Rugosità del ※ |
Ra≤1 polacco nanometro | |||
CMP Ra≤0.2 nanometro | Ra≤0.5 nanometro | |||
Crepe del bordo da luce ad alta intensità
|
Nessuno | ≤ cumulativo di lunghezza 10 millimetri, singolo length≤2 millimetro | ||
Piatti della sfortuna da luce ad alta intensità | Area cumulativa ≤0.05% | Area cumulativa ≤0.1% | ||
Aree di Polytype da luce ad alta intensità | Nessuno | Area≤3% cumulativo | ||
Inclusioni visive del carbonio | Area cumulativa ≤0.05% | Area cumulativa ≤3% | ||
Graffi della superficie del silicio da luce ad alta intensità |
Nessuno | Cumulativo len “il diametro di gth≤1×wafer | ||
Bordo Chips High By Intensity Light | Nessuno hanno permesso la larghezza e la profondità di ≥0.2 millimetro | 5 conceduti, ≤1 millimetro ciascuno | ||
Contaminazione di superficie del silicio da ad alta intensità |
Nessuno | |||
Imballaggio | cassetta del Multi-wafer o singolo contenitore del wafer |
sic specifiche N tipe dei substrati 6inch | ||||
Proprietà | Grado P-MOS | Grado di P-SBD | Grado di D | |
Crystal Specifications | ||||
Crystal Form | 4H | |||
Area di Polytype | Nessuno hanno permesso | Area≤5% | ||
(MPD) a | ≤0.2 /cm2 | ≤0.5 /cm2 | ≤5 /cm2 | |
Piatti della sfortuna | Nessuno hanno permesso | Area≤5% | ||
Polycrystal esagonale | Nessuno hanno permesso | |||
Inclusioni a | Area≤0.05% | Area≤0.05% | N/A | |
Resistività | 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm | 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm | 0.014Ω•cm-0.028Ω•cm | |
(EPD) a | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | N/A | |
(TED) a | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | N/A | |
(BPD) a | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N/A | |
(DST) a | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N/A | |
(Errore di impilamento) | Area di ≤0.5% | Area di ≤1% | N/A | |
Contaminazione da metalli di superficie | (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, mn) cm2 ≤1E11 | |||
Specifiche meccaniche | ||||
Diametro | 150,0 millimetri +0mm/-0.2mm | |||
Orientamento di superficie | Fuori asse: 4°toward <11-20>±0.5° | |||
Lunghezza piana primaria | 47,5 millimetri di ± 1,5 millimetri | |||
Lunghezza piana secondaria | Nessun piano secondario | |||
Orientamento piano primario | <11-20>±1° | |||
Orientamento piano secondario | N/A | |||
Misorientation ortogonale | ±5.0° | |||
Finitura superficia | C-fronte: Polacco ottico, Si-fronte: CMP | |||
Bordo del wafer | Smussatura | |||
Rugosità di superficie (10μm×10μm) |
Fronte Ra≤0.20 nanometro di si; Fronte Ra≤0.50 nanometro di C | |||
Spessore a | μm 350.0μm± 25,0 | |||
LTV (10mm×10mm) a | ≤2μm | ≤3μm | ||
(TTV) a | ≤6μm | ≤10μm | ||
(ARCO) a | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm | |
(Filo di ordito) a | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm | |
Specifiche di superficie | ||||
Chip/rientranze | Nessuno hanno permesso la larghezza e la profondità di ≥0.5mm | Larghezza e profondità di Qty.2 ≤1.0 millimetro | ||
Graffi a (Fronte di si, CS8520) |
≤5 e diametro cumulativo di Length≤0.5×Wafer | ≤5 e diametro cumulativo del wafer di Length≤1.5× | ||
TUA (2mm*2mm) | ≥98% | ≥95% | N/A | |
Crepe | Nessuno hanno permesso | |||
Contaminazione | Nessuno hanno permesso | |||
Esclusione del bordo | 3mm |
2. Catena industriale
La catena sic industriale del carburo di silicio è divisa nella preparazione materiale del substrato, nella crescita di strato epitassiale, nella fabbricazione del dispositivo e nelle applicazioni a valle. I monocristalli del carburo di silicio sono preparati solitamente dalla trasmissione fisica del vapore (metodo di PVT) e poi gli strati epitassiali sono generati tramite applicazione a spruzzo chimica (metodo di CVD) sul substrato ed i dispositivi pertinenti infine sono fatti. Nella catena industriale sic dei dispositivi, dovuto la difficoltà della tecnologia di fabbricazione del substrato, il valore della catena industriale pricipalmente è concentrato nel collegamento verso l'alto del substrato.
La tecnologia di ZMSH può fornire ai clienti conduttivo di alta qualità importato e domestico, 2-6inch cheisolano ed i substrati di HPSI (elevata purezza cheisola) sic nei lotti; Inoltre, può fornire ai clienti gli strati epitassiali omogenei ed eterogenei del carburo di silicio e può anche essere personalizzata secondo i bisogni specifici dei clienti, senza la quantità di ordine minimo.
Contattici in qualunque momento